佐藤 拓磨TAKUMA SATO

Last Updated :2021/04/06

所属・職名
大学院先進理工系科学研究科 助教
メールアドレス
takumashiroshima-u.ac.jp

基本情報

学位

  • 修士(理学) (筑波大学)
  • 博士(工学) (筑波大学)

教育活動

授業担当

  1. 2021年, 修士課程・博士課程前期, セメスター(前期), 電子工学セミナーA
  2. 2021年, 修士課程・博士課程前期, セメスター(後期), 電子工学セミナーB

研究活動

学術論文(★は代表的な論文)

  1. Atomic hydrogen passivation for photoresponsivity enhancement of boron-doped p-BaSi2 films and performance improvement of boron-doped p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells., Journal of Applied Physics, 127巻, pp. 233104-1-233104-15, 2020
  2. Hydrogen states in hydrogen-passivated semiconducting barium disilicide measured via muon spin rotation., Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, pp. 071004-1-071004-7, 2020
  3. Significant enhancement of photoresponsivity in As-doped n-BaSi2 epitaxial films by atomic hydrogen passivation., Applied Physics Express, 13巻, pp. 051001-01-051001-04, 2020
  4. Effects of boron and hydrogen doping on the enhancement of photoresponsivity and photoluminescence of BaSi2 epitaxial films., Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, pp. 051001-1-051001-4, 2020
  5. Effects of molecular beam epitaxy growth conditions on grain size and lattice strain in BaSi2 epitaxial films., Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, pp. SFFA09-1-SFFA09-5, 2020
  6. Drastic enhancement of photoresponsivity in C-doped BaSi2 films formed by radio-frequency sputtering., Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, pp. SFFA06-1-SFFA06-5, 2020
  7. Modeling the effects of defect parameters on the performance of a p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cell., Solar Energy Materials and Solar Cells, 205巻, pp. 110244-1-110244-7, 2020
  8. Three-step growth of highly photoresponsive BaSi2 light absorbing layers with uniform Ba to Si atomic ratios., Journal of Applied Physics, 126巻, pp. 215301-1-215301-7, 2019
  9. Correlation of native defects between epitaxial films and polycrystallline BaSi2 bulks based on photoluminescence spectra., Applied Physics Express, 12巻, pp. 111001-1-111001-4, 2019
  10. Investigation of defect levels in BaSi2 epitaxial films by photoluminescence and the effect of atomic hydrogen passivation., Journal of Physics Communications, 3巻, pp. 075005-1-075005-5, 2019
  11. Investigation of native defects in BaSi2 epitaxial films by electron paramagnetic resonance., Applied Physics Express, 12巻, pp. 061005-1-061005-4, 2019
  12. Simple way of finding Ba to Si deposition rate ratios for high photoresponsivity in BaSi2 films by Raman spectroscopy., Applied Physics Express, 12巻, pp. 055506-1-055506-4, 2019
  13. Detection of local vibrational modes of point defects in undoped BaSi2 light absorber layers by Raman spectroscopy., Journal of Applied Physics, 124巻, pp. 025301-1-025301-8, 2018
  14. Impact of Ba to Si deposition rate ratios during molecular beam epitaxy on carrier concentration and spectral response of BaSi2 epitaxial film., Journal of Applied Physics, 123巻, pp. 045703-1-045703-7, 2018
  15. Improving the photoresponse spectra of BaSi2 layers by capping with hydrogenated amorphous Si layers prepared by radio-frequency hydrogen plasma., AIP Advances, 8巻, pp. 055306-1-055306-6, 2018
  16. p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells on Si(001) with conversion efficiency approaching 10%: comparison with Si(111)., Applied Physics Express, 11巻, pp. 062301-1-062301-5, 2018
  17. Investigation of electrically active defects in undoped BaSi2 light absorber layers using deep-level transient spectroscopy., Japanese Jornal of Applied Physics, 57巻, pp. 075801-1-075801-5, 2018
  18. Polaronic Nonmetal-Correlated Metal Crossover System beta'-CuxV2O5 with Anharmonic Copper Oscillation and Thermoelectric Conversion Performance., Journal of the Physical Society of Japan, 86巻, pp. 124801-1-124801-9, 2017

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. 新規太陽電池材料BaSi2内の 常磁性・輻射性欠陥, 佐藤 拓磨, Jean-Marie Mouesca, Anne-Laure Barra, 今井 基晴, 東 清一郎, Serge Gambarelli, 末益 崇, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月11日, 通常, 日本語, オンライン
  2. 電子スピン常磁性による新規太陽電池材料BaSi2内の欠陥検出, 佐藤 拓磨, Jean-Marie Mouesca, Anne-Laure Barra, 今井 基晴, 東 清一郎, Serge Gambarelli, 末益 崇, 2020年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, 2020年08月02日, 通常, 日本語, オンライン
  3. ELDOR-detected NMRによるBaSi2内の常磁性欠陥の調査, 佐藤 拓磨, 末益 崇, Gambarelli Serge, 第58回電子スピンサイエンス学会年会(SEST2019), 2019年11月07日, 通常, 日本語, 神奈川
  4. BaSi2におけるポストアニールが光学特性に及ぼす影響, 伯 ゆりか, 佐藤 拓磨, 山下 雄大, 都甲 薫, 末益 崇, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月21日, 通常, 日本語, 札幌
  5. スパッタリング法によるC-doped BaSi2の作製と特性評価, 根本 泰良, 佐藤拓磨, 召田 雅実, 倉持豪人, 都甲 薫, 末益 崇, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月20日, 通常, 日本語, 札幌
  6. 電子スピン共鳴によるバルクおよび薄膜BaSi2内の欠陥の調査, 佐藤拓磨, Gambarelli Serge, Anna-Laure Barra, 末益崇, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語, 東京
  7. 三段階成長法によるBaSi2光吸収層の高品位エピタキシャル成長, 山下雄大, 佐藤拓磨, 都甲薫, 末益崇, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語, 東京
  8. Study of the origin of defect levels in undoped-BaSi2 epitaxial films by PL measurement, Louise Benincasa, 星田裕文, Tianguo Deng, 佐藤拓磨, 都甲薫, 寺井慶和, 末益崇, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月10日, 通常, 英語, 東京
  9. Investigation of defect levels in undoped-BaSi2 epitaxial films by PL measurement, Louise Benincasa, 星田裕文, Tianguo Deng, 佐藤拓磨, 都甲薫, 寺井慶和, 末益崇, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月20日, 通常, 英語, 名古屋
  10. MBE法により成長したBaSi2光吸収層中の点欠陥評価, 山下雄大, 佐藤拓磨, 都甲薫, 末益崇, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月19日, 通常, 日本語, 名古屋
  11. 電子スピン共鳴によるBaSi2薄膜の欠陥評価, 佐藤拓磨, Gambarelli Serge, 山下雄大, 末益崇, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日, 通常, 日本語, 名古屋
  12. DLTS法を用いたundoped BaSi2光吸収層の欠陥評価, 山下 雄大, 佐藤 拓磨, 都甲 薫, 末益 崇, 第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 2018年07月12日, 通常, 日本語, 札幌
  13. Investigation on p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells using a Si(001) substrate, 佐藤拓磨, Zhihao Xu, 髙部涼太, 谷内卓, 山下雄大, 都甲薫, 末益崇, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月19日, 通常, 英語
  14. BaSi2エピタキシャル膜ラマンスペクトルの膜厚およびBa/Si体積レート比依存性, 佐藤拓磨, 山下雄大, 都甲薫, 末益崇, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月19日, 通常, 日本語, 東京
  15. beta’-CuxV2O5の非調和型Cu振動と熱電変換, 小野田雅重, 佐藤拓磨, 日本物理学会2017年秋季大会, 2017年09月21日, 通常, 日本語, 岩手大学
  16. DLTS法によるBaSi2エピタキシャル膜内の欠陥評価, 佐藤拓磨, 髙部涼太, 児玉小桃, 都甲薫, 末益崇, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月07日, 通常, 日本語, 福岡
  17. バナジウムブロンズbeta’-CuxV2O5の物性と応用, 佐藤拓磨, 小野田雅重, 日本物理学会第72回年次大会, 2017年03月17日, 通常, 日本語, 大阪大学
  18. ジグザグ鎖-梯子系’-CuxV2O5の磁性と伝導, 佐藤拓磨, 小野田雅重, 日本物理学会2016年秋季大会, 2016年09月13日, 通常, 日本語, 金沢大学
  19. 複合結晶型CuxV4O11系におけるCu部分脱離相の結晶構造とスピンダイナミクス, 小野田雅重, 田村麻人, 佐藤拓磨, 日本物理学会2015年秋季大会, 2015年09月16日, 通常, 日本語, 関西大学
  20. Investigation of hydrogen states in semiconducting BaSi2 by muon spin rotation, 2019年12月13日, 通常, 英語
  21. Defects investigation in BaSi2 for solar cell applications., 2019年11月18日, 通常, 日本語
  22. Molecular Beam Epitaxy of High-quality Undoped BaSi2 Light Absorbers using Threestep Growth Method., 2019年07月21日, 通常, 英語
  23. Electron paramagnetic resonance spectra of BaSi2 epitaxial films and bulk samples., 2019年07月21日, 通常, 日本語
  24. Investigation of defect levels in undoped-BaSi2 epitaxial films and the effect of atomic hydrogen passivation by photoluminescence measurement., 2019年07月21日, 通常, 英語
  25. Characterization of Defect Levels in BaSi2 by DLTS and Significant Improvement of Photoresponsivity by Increasing Growth Temperature., 2019年04月24日, 通常, 英語
  26. Towards BaSi2 homojunction solar cells on Si(001)., 2018年09月24日, 通常, 英語
  27. Deep level transient spectroscopy characterization of undoped BaSi2 light absorbers., 2018年09月12日, 通常, 英語
  28. Formation of lowest defect density BaSi2 light absorbers for high efficiency homojunction solar cell applications., 2018年09月21日, 通常, 英語
  29. Investigation of BaSi2 homojunction solar cells on a p+-BaSi2/p+-Si tunnel junction towards BaSi2/Si tandem solar cells., 2012年09月12日, 通常, 英語
  30. Formation of low defect density BaSi2 light absorbers for solar cell applications., 2018年06月28日, 通常, 英語
  31. Investigation of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells on Si(001) and comparison to those on Si(111)., 2018年06月13日, 通常, 英語