花房 宏明HIROAKI HANAFUSA

Last Updated :2024/05/08

所属・職名
大学院先進理工系科学研究科　准教授
ホームページ
http://www.semicon.hiroshima-u.ac.jp/
メールアドレス
hanafushiroshima-u.ac.jp
自己紹介
半導体結晶の最表面欠陥や半導体プロセス・プラズマの融合研究を推進しています。

基本情報

主な職歴

  • 2011年04月01日, 2012年02月29日, 東京農工大学, 工学部・工学府, 特任助教
  • 2012年03月01日, 2020年03月31日, 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 助教

学歴

  • 東京農工大学, 工学研究科, 日本, 2008年04月, 2011年06月

学位

  • 博士（工学）　(東京農工大学)
  • 修士（工学）　(東京農工大学)

教育担当

  • 【学士課程】 工学部 : 第二類（電気電子・システム情報系） : 電子システムプログラム
  • 【博士課程前期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム
  • 【博士課程後期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム

担当主専攻プログラム

  • 電子システムプログラム

研究分野

  • 総合理工 / 応用物理学 / 薄膜・表面界面物性

研究キーワード

  • 半導体

所属学会

  • 応用物理学会

教育活動

授業担当

  1. 2024年, 教養教育, １ターム, 教養ゼミ
  2. 2024年, 教養教育, １ターム, 教養ゼミ
  3. 2024年, 学部専門, ４ターム, エネルギーと情報システム概論
  4. 2024年, 学部専門, １ターム, 電気磁気学演習I
  5. 2024年, 学部専門, 通年, 卒業論文
  6. 2024年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（前期）, 電子工学セミナーA
  7. 2024年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（後期）, 電子工学セミナーB
  8. 2024年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  9. 2024年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, 電子工学特別演習A
  10. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ２ターム, 電子工学特別演習A
  11. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ３ターム, 電子工学特別演習B
  12. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ４ターム, 電子工学特別演習B
  13. 2024年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  14. 2024年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 量子物質科学特別研究

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. Development of a real-time temperature measurement technique for SiC wafer during ultra-rapid thermal annealing based on optical-interference contactless thermometry (OICT), JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 62巻, SC号, 20230401
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  2. Millisecond Annealing by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet and Direct Imaging of Temperature Distribution using Optical Interference Contactless Thermometry (OICT), ECS. Trans., 104巻, 4号, pp. 63-68, 202110
  3. Growth of high-crystallinity silicon films by a combination of intermittent pulse heating and plasma-enhanced chemical vapor deposition, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 61巻, SI号, 20220701
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  4. Investigation on electrical characteristics of TFTs fabricated with germanium films crystallized by atmospheric-pressure micro thermal plasma jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 61巻, SC号, 20220501
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  5. Crystalline Ge Layer Growth on Si(001) by Sputter Epitaxy Method, Book of 1st Int. Workshop on Si based Nano-electronics and –photonics eds by S. Chiussi, P. Alpuim, J. Murota, P. González, J. Serra, and B. León, pp. 137-138, 20090901
  6. Ge Flat Layer Growth on Heavily Phosphorus-Doped Si(001) by Sputter Epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, 51巻, pp. 055502, 20120427
  7. SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Procedia Engineering, 36巻, pp. 396-403, 20120401
  8. Direct observation of grain growth from molten silicon formed by micro-thermal-plasma-jet irradiation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 101巻, 17号, 20121022
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  9. Strain Distribution Analysis of Sputter-Formed Strained Si by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy, Applied physics express, 4巻, 2号, pp. 25701-025701-3, 20110113
  10. High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 6号, 20150527
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  11. Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by EBSD Pattern Analysis, Mat. Sci. Forum, 821巻, pp. 391-394, 20150630
  12. Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100), ECS Trans, 64(6)巻, pp. 423-429, 20141012
  13. Properties of Al Ohmic contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer, Mater. Sci. Forum, 778-780巻, pp. 649-652, 20140226
  14. Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers, Applied physics express, 4巻, 2号, pp. 24102-024102-3, 20110127
  15. Strain-Relaxed Si1-xGex and Strained Si Grown by Sputter Epitaxy, Jpn J Appl Phys, 47巻, 4号, pp. 3020-3023, 20080425
  16. Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 6号, 20170516
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  17. High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 4号, 201705
  18. Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 6号, 201806
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  19. Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 7巻, 1号, pp. 943-948, 2019
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  20. Development of high-yield layer transfer process of single-crystalline silicon thin films on plastic substrate and its application to multi-functional device integration, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 59巻, 20200401
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  21. In situ monitoring to visualize temperature distribution in molten silicon region formed under atmospheric pressure thermal plasma jet irradiation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 13巻, 1号, 20200101
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  22. Band-energy estimation on silicon cap annealed 4H-SiC surface using hard X-ray photoelectron spectroscopy, SURFACE SCIENCE, 696巻, 202006
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  23. Precise measurement of the temperature of a silicon wafer by an optical-interference contactless thermometer during rapid plasma processing, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 127巻, 20号, 20200529
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  24. Large area annealing by magnetic field scanning of atmospheric pressure thermal plasma beam, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 59巻, 202006
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  25. Direct observation of ultra-rapid solid phase crystallization of amorphous silicon films irradiated by micro-thermal-plasma-jet, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 121巻, 202101
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  26. Investigation on characteristics of millisecond solid-phase crystallized silicon films annealed by atmospheric pressure DC arc discharge micro-thermal-plasma-jet and their application to bottom-gate thin film transistors fabrication, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 60巻, 10号, 20211001
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  27. Direct observation of three-dimensional transient temperature distribution in SiC Schottky barrier diode under operation by optical-interference contactless thermometry imaging, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 15巻, 2号, 20220201
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. Generation of Reactive Atmospheric-Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Organic Film Etching, H. Kato, H. Hanafusa, T. Sato, S. Hayashi, S. Higashi, 43rd International Symposium on Dry Process (DPS2022), 2022年11月24日, 通常, 英語, Osaka, Japan+オンライン
  2. Development of a Real-Time Temperature Measurement Technique for SiC Wafer During Ultra-Rapid Thermal Annealing Based on Optical-Interference Contactless Thermometry (OICT), J. Yu, K. Matsuguchi, T. Sato, H. Hanafusa, S. Higashi, 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022), 2022年09月26日, 通常, 英語, Makuhari Messe + Online Conference
  3. Ultra-fast Etching of Photoresist by Reactive Atmospheric-pressure Thermal Plasma Jet, H. Kato, H. Hanafusa, T. Sato, S. Higashi, 2022 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM2022), 2022年12月12日, 通常, 英語, KFC Hall, Tokyo
  4. Single Crystalline Silicon CMOSFETs on Plastic and Their Application to Highly Sensitive Virus Detection System, S. Higashi, R. Sumichika, T. Suehiro, H. Hanafusa, and Y. Okamura, The 29th International Display Workshops (IDW'22), 2022年12月14日, 招待, 英語, Fukuoka, Japan
  5. 3-D Imaging of Temperature Variations in 4H-SiC Schottky Barrier Diode under Operation based on Optical Interference Contactless Thermometry, S. Higashi, K. Fujimoto, and H. Hanafusa, 13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2023年01月23日, 招待, 英語, Sendai, Japan
  6. Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Technology for Semiconductor Device Manufacturing, S. Higashi, A. Kameda, H. Kato, and H. Hanafusa, 15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its　Applications for Nitrides and Nanomaterials 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2023/IC-PLANTS2023), 2023年03月05日, 招待, 英語, Gifu, Japan
  7. 通電過熱時におけるシリコンウェハ内の過渡的温度分布 の3次元イメージング, 松口　康太郎、Yu Jiawen、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2022年09月20日, 通常, 日本語, 東北大学　川内北キャンパス+オンライン
  8. 反応性大気圧熱プラズマジェットを用いた急速熱処理と原子状酸素ラジカルの同時供給によるフォトレジストの超高速エッチング, 加藤　響、花房　宏明、東　清一郎, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 2023年03月15日, 通常, 日本語, 上智大学　四谷キャンパス+オンライン
  9. 光ファイバーによる光学干渉非接触温度測定(OICT)系の小型化とリアルタイム温度測定, 後藤　隆之介、堀内　憲志郎、Jiawen Yu、花房　宏明、東　清一郎, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 2023年03月15日, 通常, 日本語, 上智大学　四谷キャンパス+オンライン
  10. 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を基盤とした SiC ウエハの高速プラズマ処理時のリアルタイ ム温度測定技術の開発, YU JIAWEN、松口 康太郎、花房 宏明、東 清一郎, 先進パワー半導体分科会　第9回講演会, 2022年12月21日, 通常, 日本語, 福岡国際会議場
  11. OICT による通電加熱時におけるシリコンウェハ内部の３次元温度イメージング技術, 松口 康太郎、Jiawen Yu、花房 宏明、東 清一郎, 先進パワー半導体分科会　第9回講演会, 2022年12月20日, 通常, 日本語, 福岡国際会議場
  12. 反応性大気圧熱プラズマジェットを用いたフォトレジストの局所超高速エッチング, 加藤　響、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第19回研究集会, 2022年11月18日, 通常, 日本語, 龍谷大学　響都ホール+オンライン
  13. OICT による通電加熱時における Si ウェハ内の 過渡的温度分布の３次元イメージング技術, 松口　康太郎、Jiawen Yu、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第19回研究集会, 2022年11月18日, 通常, 日本語, 龍谷大学　響都ホール+オンライン
  14. Development of A Real-Time Temperature Measurement Technique for SiC Wafer During Rapid Plasma Processing Based on Optical-Interference Contactless Thermometry (OICT), Jiawen Yu，K. Matsuguchi, H. Hanafusa, and S. Higashi, 薄膜材料デバイス研究会　第19回研究集会, 2022年11月18日, 通常, 英語, 龍谷大学　響都ホール+オンライン
  15. 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を基盤としたSiCウ エハの高速熱処理時のリアルタイム温度測定技術の開発, Yu Jiawen、松口 康太郎、佐藤 拓磨、花房 宏明、東 清一郎, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2022年09月22日, 通常, 日本語, 東北大学川内北キャンパス+オンライン
  16. 反応性大気圧熱プラズマジェットを用いたフォトレジス トの超高速エッチング, 加藤 響、花房 宏明、佐藤 拓磨、東 清一郎, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2022年09月22日, 通常, 日本語, 東北大学川内北キャンパス+オンライン
  17. a-Si:H膜を用いたSiCへのシリコンキャップアニールと Siドット形成の低温化, 花房 宏明、東 清一郎, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 2022年09月20日, 通常, 日本語, 東北大学川内北キャンパス+オンライン
  18. ウイルスの高速検出に向けたアクティブマトリックス型pHセンサの研究, 住近 力也、 末弘 徹、花房 宏明、佐藤 拓磨、岡村 好子、東 清一郎, 2022年度応用物理・物理系中国四国支部合同学術講演会, 2022年07月30日, 通常, 日本語, 香川大学
  19. 光学干渉非接触温度測定法(OICT)によるシリコンウェハ内部の過渡的熱拡散過程の三次元イメージング, 松口　康太朗、藤本　渓也、Yu Jiawen、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, シリコン材料・デバイス研究会［SDM], 2022年04月23日, 通常, 日本語, 高千穂ホール+オンライン
  20. 超ハイパワー大気圧熱プラズマジェット生成技術に関する研究, 堀内　憲志郎、佐藤　拓磨、花房　宏明、東　清一郎, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日, 通常, 日本語, 青山学院大学　相模原キャンパス+オンライン
  21. Development of automatic 3D temperature imaging technique for SiC wafer during ultra-rapid thermal annealing based on optical-interference contactless thermometry (OICT), Jiawen Yu、Keiya Fujimoto、Kotaro Matsuguchi、Takuma Sato、Hiroaki Hanafusa、Seiichirou Higashi, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日, 通常, 英語, 青山学院大学　相模原キャンパス+オンライン
  22. 光学干渉非接触温度測定 (OICT)イメージングを用いたSiC Schottky barrier diodeの三次元自己発熱測定及び故障観察, 藤本　渓也、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日, 通常, 日本語, 青山学院大学　相模原キャンパス+オンライン
  23. シリコンウェハ内の過渡的熱拡散過程のイメージング技術に関する研究, 松口　康太朗、藤本　渓也、Yu Jiawen、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日, 通常, 日本語, 青山学院大学　相模原キャンパス+オンライン
  24. Research on Real-Time Temperature Measurement for SiC Wafer during Ultra-Rapid Thermal Annealing Based on Optical-Interference Contactless Thermometry (OICT), Jiawen Yu, K. Fujimoto, K. Matsuguchi, T. Sato, H. Hanafusa and S. Higashi, International Workshop on Nanodevice Technologies 2022, in Memory of M. Hirose (IWNT2022), 2022年03月11日, 通常, 英語, RNBS, Hiroshima University
  25. Growth of High Crystallinity Silicon Films by Intermittent Pulse Heating assisted Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, T. Nojima, H. Hanafusa, T. Sato, S. Hayashi, S. Higashi, 42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021), 2021年11月19日, 通常, 日本語, Online Symposium
  26. 間欠パルス加熱支援プラズマCVDによる高結晶シリコン膜の成長制御, 野島　大志、花房　宏明、佐藤　拓磨、林　将平、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第18回研究集会, 2021年11月11日, 通常, 日本語, オンライン
  27. マイクロ熱プラズマジェットミリ秒アニールによるⅣ族半導体薄膜の結晶化と常磁性欠陥, 佐藤　拓磨、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第18回研究集会, 2021年11月11日, 通常, 日本語, オンライン
  28. 光学干渉非接触温度測定法（OICT）を用いたSiC-Schottky Barrier Diode 内部温度イメージング及びデバイス故障過程の観察, 藤本　渓也、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第18回研究集会, 2021年11月12日, 通常, 日本語, オンライン
  29. シリコンウェハ内の過渡的熱拡散過程のイメージング技術に関する研究, 松口　康太郎、藤本　渓也、Jiawen Yu、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第18回研究集会, 2021年11月12日, 通常, 日本語, オンライン
  30. 水素化アモルファスシリコン薄膜を用いたフレキシブル脈波センサに関する研究, 岩﨑　真也、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第18回研究集会, 2021年11月12日, 通常, 日本語, オンライン
  31. Transient Temperature Imaging in SiC Wafer During Thermal-Plasma-Jet Annealing Based on Optical-Interference Contactless Thermometry, J. Yu、K. Fujimoto、K. Matsuguchi、T. Sato、H. Hanafusa、and S. Higashi, 薄膜材料デバイス研究会　第18回研究集会, 2021年11月12日, 通常, 英語, オンライン
  32. Visualization of Transient Internal Temperature Changes during SiC-Schottky Barrier Diode Operation using Optical-Interference Contactless Thermometry, K. Fujimoto, H. Hanafusa, T. Sato, S. Higashi, 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020.2021), 2021年10月24日, 通常, 英語, Tours, France and Virtual conference
  33. Application of Millisecond Solid Phase Crystallization of Silicon Films Induced by Micro-Thermal-Plasma-Jet to Bottom-Gate Thin-Film Transistors, Nguyen ThiKhanh Hoa、Hiroaki Hanafusa、Seiichiro Higashi, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月23日, 通常, 英語, オンライン
  34. Automatic Temperature Measurement of SiC Wafer During Millisecond Thermal Processing Based on Optical-Interference Contactless Thermometry (OICT), Jiawen Yu、Keiya Fujimoto、Kotaro Matsuguchi、Takuma Sato、Hiroaki Hanafusa、Seiichiro Higashi, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日, 通常, 英語, オンライン
  35. シリコンウェハ内の過渡的熱拡散過程のイメージング技術に関する研究, 松口　康太郎、藤本　渓也、 Yu Jiawen、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日, 通常, 日本語, オンライン
  36. 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いた SiC-Schottky Barrier Diode 内部の過渡的温度測定, 藤本　渓也、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一郎, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日, 通常, 日本語, オンライン
  37. プラズマCVD法によるシリコン膜堆積時の瞬間加熱による高結晶性シリコン膜の成長に関する研究, 野島　大志、花房　宏明、佐藤　拓磨、東　清一 郎, 第82回応用物理学会秋季学術講演, 2021年09月12日, 通常, 日本語, オンライン
  38. Effects of Crystallization Conditions on the Electrical Characteristics of P-type Ge TFTs Formed by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation, T. SATO, H. HANAFUSA, S. HIGASHI, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), 2021年09月08日, 通常, 英語, ALL-VIRTUAL conference
  39. 大気圧熱プラズマビームによる鋼板の局所加熱法の研究, 花房　宏明、東　清一郎, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日, 通常, 日本語, オンライン
  40. Characteristics of Millisecond Solid Phase Crystallized Silicon Films Formed by Micro-Thermal-Plasma-Jet and Their Application to Bottom-Gate Thin Film Transistor, Hoa ThiKhanh Nguyen, H. Hanafusa, R. Kawakita, K. Segawa, S. Higashi, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), 2021年09月08日, 通常, 英語, ALL-VIRTUAL conference
  41. シリコンキャップアニールを施した4H-SiCのコンタクト特性とエネルギーバンド構造の研究, 花房　宏明、東堂　大地、東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第18回研究集会, 2021年11月11日, 通常, 日本語
  42. Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis, H. Hanafusa, K. Maruyama, S. Hayashi, S. Higashi, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2014), 2014年09月21日, 通常, 英語, Grenoble, France
  43. EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC 層の結晶性評価, 花房宏明、丸山佳祐、林将平、東清一郎, 第75回 応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月17日, 通常, 日本語, 北海道大学　札幌キャンパス
  44. 電子線後方散乱法を用いたリン注入4H-SiCの結晶性評価, 花房宏明、丸山圭祐、林将平、東清一郎, 平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会　第1回講演会・見学会, 2015年01月24日, 通常, 日本語, 広島大学　東広島キャンパス
  45. 2015年10月, 通常, 英語
  46. 2015年10月04日, 通常, 英語
  47. ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と連続結晶成長, 中島 涼介、花房 宏明、東 清一郎, 第63回応用物理学会学術講演会, 2016年03月19日, 通常, 日本語
  48. 大気圧熱プラズマジェット照射を用いたSiC中P不純物高効率活性化層の結晶性評価, 花房　宏明、東　清一郎, 先進パワー半導体分科会 第２回講演会, 2015年11月09日, 通常, 日本語
  49. 大気圧熱プラズマジェット照射による高温イオン注入した4H-SiC中Pイオンの高効率活性化, 花房 宏明、石丸 凌輔、東 清一郎, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月15日, 通常, 日本語, 名古屋国際会議場
  50. 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化, 石丸 凌輔、花房 宏明、東 清一郎, 第76回応用物理学会学術講演会, 2015年09月13日, 通常, 日本語
  51. 2017年03月02日, 通常, 英語
  52. 2017年03月02日, 通常, 英語
  53. 2017年03月02日, 通常, 英語
  54. 2017年01月16日, 通常, 英語
  55. 2016年11月21日, 通常, 英語
  56. 2016年09月26日, 通常, 英語
  57. 2016年09月25日, 通常, 英語
  58. 大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製, 原田 大夢, 東 清一郎、花房 宏明、新 良太, 第64回応用物理学会学術講演会, 2017年03月14日, 通常, 日本語
  59. ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの加熱特性評価とシリコン薄膜の結晶成長制御, 中島 涼介, 花房 宏明、東 清一郎, 第64回応用物理学会学術講演会, 2017年03月14日, 通常, 日本語
  60. シリコンキャップアニールによるn型4H-SiCのオーミック電極形成, 谷口 太一, 花房　宏明、東　清一郎, 第64回応用物理学会学術講演会, 2017年03月14日, 通常, 日本語
  61. ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの生成とアモルファスシリコン結晶化への応用, 中島　涼介, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, シリコンテクノロジー分科会　第199回研究集会, 2017年02月17日, 招待, 日本語
  62. 大気圧熱プラズマジェットの磁場制御とSiCデバイス作製プロセスに向けた大面積熱処理への応用, 寺本憲司, 花房宏明、東清一郎, 先進パワー半導体分科会　第3回講演会, 2016年11月08日, 通常, 日本語
  63. Si層挿入によるn型4H-SiCにおけるオーミックコンタクト形成要因の調査, 谷口 太一, 花房 宏明、東 清一郎, 先進パワー半導体分科会　第3回講演会, 2016年11月08日, 通常, 日本語
  64. 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiC の熱酸化, 花房 宏明, 東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第13回研究集会, 2016年10月21日, 通常, 日本語
  65. ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と結晶成長制御, 中島 涼介, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第13回研究集会, 2016年10月21日, 通常, 日本語
  66. 中空構造 SOI 層を用いたフレキシブル基板への転写技術におけるパターン微小化, 竹島 真治, 水上 隆達、山下 知徳、花房 宏明、東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第13回研究集会, 2016年10月21日, 通常, 日本語
  67. フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化, 稗田 竜己, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 通常, 日本語
  68. ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化, 中島 涼介, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 通常, 日本語
  69. 交番磁場印加による大気圧熱プラズマジェットの走査と半導体基板の加熱, 寺本 憲司, 花房 宏明、東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 通常, 日本語
  70. 外部磁場印加による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御と半導体基板の加熱, 寺本　憲司, 花房　宏明、東　清一郎, 2016年度　応用物理・物理系学会中国四国支部　合同学術講演会, 2016年07月31日, 通常, 日本語
  71. 外部磁場による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御, 寺本　憲司, 花房　宏明、東　清一郎, 第35回電子材料シンポジウム, 2016年07月06日, 通常, 日本語
  72. 窒素ブーストによる大気圧熱プラズマジェットの超ハイパワー化, 花房 宏明, 中島 涼介、東 清一郎, 第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月05日, 通常, 日本語
  73. 窒素ブーストにより超ハイパワー化した大気圧熱プラズマジェットの加熱特性, 花房　宏明, 中野　航、中島　涼介、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第14回研究集会, 2017年10月20日, 通常, 日本語
  74. シリコンキャップアニール処理したn型4H-SiC表面の電子状態評価, 花房　宏明, 東堂　大地、東　清一郎, 電子デバイス界面テクノロジー研究会　第23回研究会　材料・プロセス・デバイス特性の物理, 2018年01月19日, 通常, 日本語
  75. 大気圧熱プラズマジェット照射によるGaN中のMgの活性化, 花房 宏明、東 清一郎、塩崎 宏司, 第65回応用物理学会学術講演会, 2018年03月17日, 通常, 日本語
  76. Silicidation-Less Ohmic Contact Formation on N-Type 4H-SiC with Silicon Cap Annealing, H. Hanafusa, T. Taniguchi and S. Higashi, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), 2017年09月17日, 通常, 英語
  77. Extremely High-power-density Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Generated by Nitrogen-boost Effect, H. Hanafusa, W. Nakano, R. Nakashima and S. Higashi, Int. Symp. Dry Process (DPS2017), 2017年11月16日, 通常, 英語
  78. Activation of High-temperature-implanted Phosphorus Atoms in 4H-SiC by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing, H. Hanafusa, S. Higashi, 2018 18th Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2018), 2018年03月08日, 招待, 英語
  79. シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する調査, 東堂 大地、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月20日, 通常, 日本語
  80. ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS論理回路のバッテリーレス動作, 長澤 聡、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月21日, 通常, 日本語, 名古屋国際会議場
  81. シリコン熱光学係数の精密測定による非接触温度測定の高精度化, 亀田 朝輝、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月21日, 通常, 日本語
  82. 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール, 河崎 星輝、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月20日, 通常, 日本語
  83. 大気圧熱プラズマジェット照射による溶融シリコン内温度分布の可視化, 水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月20日, 通常, 日本語
  84. 花房 宏明、東 清一郎、塩崎 宏司, 大気圧熱プラズマジェット照射によるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月19日, 通常, 日本語
  85. ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS 論理回路のバッテリーレス動作, 長澤　聡、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第15回研究集会, 2019年11月09日, 通常, 日本語
  86. 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットの電極消耗量の低減, 瀬川　和輝、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第15回研究集会, 2019年11月09日, 通常, 日本語
  87. 大気圧熱プラズマジェット照射中における溶融シリコン内温度分布の２次元的可視化, 水川　友里、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第15回研究集会, 2019年11月09日, 通常, 日本語
  88. 熱電対を用いた裏面温度測定によるシリコンウェハ非接触温度測定の絶対温度の検証, 亀田 朝輝、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月12日, 通常, 日本語
  89. 中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術における転写時間の短縮化, 河北 竜治、平野 友貴、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日, 通常, 日本語, 東京工業大学　大岡山キャンパス
  90. 単結晶シリコン薄膜のフレキシブル基板上への繰り返し転写プロセスの構築, 平野 友貴、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  91. プラスチック上のフローティングゲートメモリ作製のための低温プロセス技術に関する研究, 近藤 史康、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月09日, 通常, 日本語
  92. ペロブスカイト太陽電池と単結晶シリコンCMOS論理回路のガラス基板上における集積化, 長澤 聡、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  93. 菊池線パターン解析によるSi結晶内の欠陥量評価法の開発, 花房 宏明、沖 昴志、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  94. 大気圧熱プラズマジェット照射中の溶融シリコン内温度分布解析, 水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月10日, 通常, 日本語
  95. 大気圧熱プラズマジェット照射後のポストアニールによるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化促進, 花房 宏明、東 清一郎、塩崎 宏司, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  96. 2018年09月05日, 通常, 英語
  97. 2018年09月03日, 通常, 英語
  98. 2018年09月10日, 通常, 英語
  99. 2018年09月30日, 招待, 英語
  100. 2018年11月12日, 通常, 英語
  101. 2018年11月14日, 通常, 英語
  102. 2019年03月01日, 通常, 英語
  103. 2019年03月08日, 通常, 英語

社会活動

委員会等委員歴

  1. The Electrochemical Society 日本支部役員
  2. 第9回先進パワー半導体分科会講演会プログラム委員, 2022年01月27日, 2022年12月31日
  3. 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 実行委員, 2019年01月13日, 2019年06月30日, 日本結晶成長学会　ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
  4. 第41回ドライプロセス国際シンポジウム　実行委員, 2019年01月11日, 2019年12月31日, 第41回ドライプロセス国際シンポジウム組織委員会
  5. 応用物理学会中国四国支部会計幹事, 2015年04月, 2017年03月, 応用物理学会中国四国支部
  6. 第６回薄膜太陽電池セミナー実行委員, 2015年, 2015年
  7. 第５回薄膜太陽電池セミナー実行委員, 2014年, 2014年