横川 凌RYO YOKOGAWA

Last Updated :2025/07/07

所属・職名
半導体産業技術研究所　助教
メールアドレス
yokogawahiroshima-u.ac.jp
自己紹介
次世代電子・熱電発電デバイス実現へ向けた半導体材料の物性評価、作製に関する研究を行っています。主にIV族半導体であるSiやGeを研究対象にしており、微細化や混晶化すると原子スケールで何が生じているかを明らかにしつつ、低消費電力化かつ無給電発電デバイスの創成を目指しています。

基本情報

主な職歴

  • 2024年12月, 広島大学, 半導体産業技術研究所, 助教
  • 2020年04月, 2024年11月, 明治大学, 理工学部 電気電子生命学科, 助教
  • 2020年04月, 2021年03月, 公益財団法人高輝度光科学研究センター(JASRI), 客員研究員
  • 2017年04月, 2020年03月, 日本学術振興会, 特別研究員DC1

学歴

  • 明治大学, 理工学研究科, 電気工学専攻博士後期課程, 2017年04月, 2020年03月
  • 明治大学, 理工学研究科, 電気工学専攻博士前期課程, 2015年04月, 2017年03月
  • 明治大学, 理工学部, 電気電子生命学科, 2011年04月, 2015年03月

学位

  • 修士（工学）　(明治大学)
  • 博士（工学）　(明治大学)

研究キーワード

  • 結晶工学
  • フォノンエンジニアリング
  • 熱電発電デバイス
  • Siナノワイヤ
  • シリコンゲルマニウム(SiGe)
  • ラマン分光法
  • X線非弾性散乱法

教育活動

授業担当

  1. 2025年, 学部専門, セメスター（前期）, 電気電子システム工学実験I
  2. 2025年, 学部専門, セメスター（前期）, 電気電子システム工学実験I
  3. 2025年, 学部専門, セメスター（後期）, 電気電子システム工学実験II
  4. 2025年, 学部専門, セメスター（後期）, 電気電子システム工学実験II
  5. 2025年, 学部専門, セメスター（前期）, 電気工学基礎実験I
  6. 2025年, 学部専門, セメスター（前期）, 電気工学基礎実験I
  7. 2025年, 学部専門, セメスター（後期）, 電気工学基礎実験II
  8. 2025年, 学部専門, セメスター（後期）, 電気工学基礎実験II

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. ★, Spatial correlation model for Si-rich SiGe alloys based on Raman spectra, Japanese Journal of Applied Physics, 64巻, pp. 060904-060904, 202506
  2. Evaluation of temperature dependent stress around electrodes in crystalline silicon solar cells by Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 64巻, 6号, pp. 06SP11-06SP11, 202506
  3. Evaluation of Ag-coated Cu paste as Ag-saving electrode paste for silicon heterojunction solar cells, Japanese Journal of Applied Physics, 64巻, 5号, pp. 05SP12-05SP12, 202505
  4. Evaluation of bias-dependent band structure changes in metal–oxide–semiconductor structures with varying doping concentrations using laboratory hard x-ray photoelectron spectroscopy, Applied Physics Letters, 126巻, 7号, pp. 072103-072103, 202503
  5. Temperature and Ge fraction dependence of broad peaks observed in Ge-rich SiGe Raman spectra by oil-immersion Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 63巻, 12号, pp. 125504-125504, 202412
  6. Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-Rich SiSn thin Film, ECS Transactions, 114巻, 2号, pp. 225-232, 20240927
  7. Optical Properties of Multilayered Staggered SiGe Nanodots Depending on Si Spacer Growth Temperature, ECS Transactions, 114巻, 2号, pp. 207-214, 20240927
  8. ★, Determination of Ge-fraction-shift coefficients for Raman spectroscopy in all vibration modes investigated by single-crystalline bulk SiGe and its application to strain evaluation in SiGe film grown on substrate, Japanese Journal of Applied Physics, 63巻, 3号, pp. 035503-035503, 202403
  9. Strain and optical characteristics analyses of three-dimentional self-ordered multilayered SiGe nanodots by photoluminescence and Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 63巻, 3号, pp. 03SP31-03SP31, 202402
  10. Local thermal conductivity properties of a SiGe nanowire observed by laser power sweep Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 63巻, 2号, pp. 02SP68-02SP68, 202401
  11. Strain distributions in carbon-doped silicon nanowires along [110] and [100] investigated by X-ray diffraction, Japanese Journal of Applied Physics, 63巻, 1号, pp. 01SP11-01SP11, 202312
  12. Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-Thin Body (100) Silicon-Germanium-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Oil-Immersion Raman Spectroscopy, ECS Transactions, 112巻, 1号, pp. 37-43, 202309
  13. Temperature Dependence of Raman Peak Shift in Single-Crystalline Silicon-Germanium, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 12巻, 6号, pp. 064004-064004, 202306
  14. Analysis of InGaAs/InP p-I-n Photodiode Failed by Electrostatic Discharge, Journal of Electronic Materials, 52巻, 8号, pp. 5150-5158, 20230524
  15. Evaluation of Strain-Relaxation of Carbon-Doped Silicon Nanowires and Its Crystal Orientation Dependence Using X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping, Journal of Electronic Materials, 52巻, 8号, pp. 5140-5149, 20230523
  16. Inelastic X-ray Scattering Measurement on Single-Crystalline GeSn Thin Film, Journal of Electronic Materials, 52巻, 8号, pp. 5128-5133, 20230508
  17. Conformal deposition of WS2 layered film by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition, Japanese Journal of Applied Physics, 62巻, SG号, pp. SG1048-SG1048, 202305
  18. Effect of sawing damage on flexibility of crystalline silicon wafers for thin flexible silicon solar cells, Japanese Journal of Applied Physics, 62巻, 1号, 20230101
  19. Non-seed chemical bath deposition of ZnO films in a rotating continuous flow reactor with various carboxylic acids and their application to transparent conductive films, CRYSTENGCOMM, 24巻, 47号, pp. 8294-8302, 202212
  20. レーザーラマン分光法による半導体評価の最前線, レーザー研究, 50巻, 10号, pp. 575-579, 202210
  21. Distribution Evaluation of Optical Properties in Silicon Germanium Films Grown on Silicon Substrates with Graded Silicon Germanium Buffer Layers, ECS Transactions, 109巻, 4号, pp. 367-374, 20220930
  22. Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-X Sn X , ECS Transactions, 109巻, 4号, pp. 359-366, 20220930
  23. Evaluation of Strained Group IV Semiconductor Devices by Oil-Immersion Raman Spectroscopy, ECS Transactions, 109巻, 4号, pp. 351-357, 202209
  24. ★, Study on phonon lifetime in bulk silicon–germanium through observation of acoustic phonon spectra broadening by inelastic x-ray scattering, Applied Physics Letters, 121巻, 8号, pp. 082105-082105, 20220822
  25. Modification and Characterization of Interfacial Bonding for Thermal Management of Ruthenium Interconnects in Next-Generation Very-Large-Scale Integration Circuits, ACS Applied Materials and Interfaces, 14巻, 5号, pp. 7392-7404, 20220209
  26. Atomic mass dependency of a localized phonon mode in SiGe alloys, AIP Advances, 11巻, 11号, pp. 115225-115225, 202111
  27. Dependency of a localized phonon mode intensity on compositional cluster size in SiGe alloys, AIP Advances, 11巻, 7号, pp. 075017-075017, 202107
  28. Thermal conductivity and inelastic X-ray scattering measurements on SiGeSn polycrystalline alloy, Japanese Journal of Applied Physics, 60巻, SB号, pp. SBBF11-SBBF11, 202105
  29. Phonon properties of group IV materials for thermoelectric applications, 2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021, 20210408
  30. Effect of Growth Parameters on MoS2Film Quality Deposited by Low-Temperature MOCVD Using I-Pr2DADmo(CO)3and (t-C4H9)2S2, ECS Transactions, 104巻, 3号, pp. 3-15, 2021
  31. Evaluation of Mo(1-x)W xs Alloy Fabricated by Combinatorial Film Deposition, ECS Transactions, 104巻, 3号, pp. 21-28, 2021
  32. Strain evaluation in Ge and Sn implanted Si layers with laser and rapid thermal annealing, Materials Science in Semiconductor Processing, 120巻, pp. 105282-105282, 202012
  33. Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, 11号, pp. 115503-1-115503-6, 202011
  34. Evaluation of Thermal Conductivity Characteristics in Polycrystalline Silicon - The Effect of Nanostructure in the Grains, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 437-446, 202009
  35. Evaluation of Silicon Nitride Film Formed by Atomic Layer Deposition on the Silicon Substrate with Trench Structure Using Angle-Resolved Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy, ECS Transactions, 98巻, 3号, pp. 113-120, 202009
  36. Evaluation of Thermal Expansion Coefficient in Ge1-x Sn x Nanowire Using Reciprocal Space Mapping, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 481-490, 202009
  37. Evaluation of Temperature and Germanium Concentration Dependence of EXAFS Oscillations in Si-Rich Silicon Germanium Thin Films, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 473-479, 202009
  38. Observation of an Unidentified Phonon Peak in SiGe Alloys and Superlattices Using Molecular Dynamics Simulation, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 533-546, 202009
  39. Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 291-300, 202009
  40. Evaluation of Phonon Dispersion Relation for Bulk Silicon Germanium by Inelastic X-ray Scattering, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 465-472, 202009
  41. Quantification of Ge fraction using local vibrational modes in Raman spectra of silicon germanium by oil-immersion Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, 7号, pp. 075502-075502, 20200701
  42. ★, Anomalous low energy phonon dispersion in bulk silicon-germanium observed by inelastic x-ray scattering, Applied Physics Letters, 116巻, 24号, pp. 242104-242104, 20200615
  43. Evaluation of Sawing Damage for Thin Flexible Silicon Solar Cells, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2020-June巻, pp. 0875-0880, 20200614
  44. Phonon dispersion of bulk Ge-rich SiGe: inelastic X-ray scattering studies, Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, 6号, pp. 061003-1-061003-6, 202006
  45. Stress evaluation induced by wiggling silicon nitride fine pattern using Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, SI号, pp. SIIF03-1-SIIF03-6, 202006
  46. Thermal conductivity characteristics in polycrystalline silicon with different average sizes of grain and nanostructures in the grains by UV Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, 7号, pp. 075501-1-075501-7, 202005
  47. Anisotropic biaxial stress evaluation in metal-organic chemical vapor deposition grown Ge1-xSnx mesa structure by oil-immersion Raman spectroscopy, Thin Solid Films, 697巻, pp. 137797-1-137797-5, 202003
  48. Anisotropic Biaxial Strain Evaluation in Carbon-Doped Silicon Using Water-Immersion Raman Spectroscopy, ECS Transactions, 92巻, 4号, pp. 33-39, 201907
  49. Ultra-Thin Lightweight Bendable Crystalline Si Solar Cells for Solar Vehicles, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp. 1131-1134, 201906
  50. Evaluation of thermal conductivity characteristics in Si nanowire covered with oxide by UV Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 58巻, SD号, pp. SDDF04-1-SDDF04-5, 201906
  51. Evaluations of minority carrier lifetime in floating zone Si affected by Si insulated gate bipolar transistor processes, Japanese Journal of Applied Physics, 58巻, SB号, pp. SBBD07-1-SBBD07-6, 201904
  52. Determination of phonon deformation potentials and strain-shift coefficients in Ge-rich Si1-xGex using bulk Ge-rich Si1-xGex crystals and oil-immersion Raman spectroscopy, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 10号, pp. 106601-1-106601-6, 201810
  53. Strain Evaluation of Laser-annealed SiGe Thin Layers, ECS Transactions, 86巻, 7号, pp. 59-65, 201809
  54. Determination of Phonon Deformation Potentials in Carbon-doped Silicon, ECS Transactions, 86巻, 7号, pp. 419-425, 201809
  55. Evaluation of Anisotropic Three-Dimensional Strain Relaxation in Stripe-Shaped Ge1-xSnx Mesa Structure, ECS Transactions, 86巻, 7号, pp. 329-336, 201809
  56. Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth, ECS Transactions, 86巻, 7号, pp. 87-93, 201809
  57. Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress Induced Around Trench Gate of Si Power Transistor Using Water-Immersion Raman Spectroscopy, Journal of Electronic Materials, 47巻, pp. 1-6, 20180503
  58. Miniaturized planar Si-nanowire micro-thermoelectric generator using exuded thermal field for power generation, Science and Technology of Advanced Materials, 19巻, 1号, pp. 443-453, 201805
  59. Probing spatial heterogeneity in silicon thin films by Raman spectroscopy, Scientific Reports, 7巻, pp. 16549-1-16549-8, 201711
  60. Local anisotropic strain evaluation in thin Ge epitaxial film using SiGe stressor template grown on Ge substrate by selective ion implantation, Japanese Journal of Applied Physics, 56巻, 11号, pp. 110313-1-110313-4, 20171101
  61. Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder, Journal of Applied Physics, 122巻, 14号, pp. 144305-1-144305-7, 201710
  62. Evaluation of controlled strain in silicon nanowire by UV Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 56巻, 6号, pp. 06GG10-1-06GG10-5, 20170601
  63. Biaxial stress evaluation in GeSn film epitaxially grown on Ge substrate by oil-immersion Raman spectroscopy, Japanese Journal of Applied Physics, 55巻, 9号, pp. 091301-1-091301-4, 20160901
  64. Origin of additional broad peaks in Raman spectra from thin germanium-rich silicon-germanium films, Applied Physics Express, 9巻, 7号, pp. 071301-1-071301-4, 20160701
  65. In-plane biaxial strain evaluation induced in Ge1-xSnx films using oil-immersion raman spectroscopy, ECS Transactions, 75巻, 8号, pp. 589-597, 2016
  66. Crystallinity evaluation of low temperature polycrystalline silicon thin film using UV/visible Raman spectroscopy, ECS Transactions, 72巻, 4号, pp. 249-255, 2016
  67. Evaluation of anisotropic biaxial stress in Si1-xGex/Ge mesa-structure by oil-immersion raman spectroscopy, ECS Transactions, 66巻, 4号, pp. 39-45, 2015
  68. On the origin of the gate oxide failure evaluated by Raman spectroscopy, ECS Transactions, 66巻, 4号, pp. 237-243, 2015
  69. Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy, ECS Transactions, 64巻, 6号, pp. 841-847, 201410

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. 斜入射X線非弾性散乱法によるGe表面のフォノンスペクトル評価, 横川 凌, 東 奏太, 萬條 太駿, 小椋 厚志, 第9回フォノンエンジニアリング研究会, 2025年05月19日, 通常, 日本語
  2. 有機原料を用いたALD法によるWS2薄膜成長(Ⅱ), 横田 浩, 東 奏太, 町田 英明, 石川 真人, 須藤 弘, 若林 整, 澤本 直美, 横川 凌, 小椋 厚志, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日, 通常, 日本語
  3. 顕微ラマン分光法によるTSV周辺Si歪の横方向分布評価, 藤森 涼太, 伊藤 佑太, 横川 凌, 小椋 厚志, 大野 力一, 嵯峨 幸一郎, 岩元 勇, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日, 通常, 日本語
  4. RFマグネトロンスパッタリング法を用いたAZO薄膜の電気及び光学特性評価, 中村 竜海, 箕輪 卓哉, 横川 凌, Lee Hyunju, 大下 祥雄, 小椋 厚志, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月16日, 通常, 日本語
  5. 実験室系HAXPESを用いた電圧印加オペランド測定のMOS構造における不純物濃度依存性の解析, 箕輪 卓哉, 臼田 宏冶, 横川 凌, 小椋 厚志, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日, 通常, 日本語
  6. Dot-on-dot Geナノドットにおける多層化が歪および光学特性に及ぼす影響, 伊藤 佑太, 横川 凌, Wen Wei-Che, 山本 裕司, 前田 唯葉, 小椋 厚志, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日, 通常, 日本語
  7. 表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成, 松本 泰河, 大田 晃生, 横川 凌, 黒澤 昌志, 坂下 満男, 中塚 理, 柴山 茂久, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日, 通常, 日本語
  8. Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成, 奥田 太一, 大田 晃生, 横川 凌, 黒澤 昌志, 坂下 満男, 中塚 理, 柴山 茂久, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日, 通常, 日本語
  9. X線非弾性散乱法を用いたΓ-K点間の音響モードスペクトル線幅増大の考察, 横川 凌, 前田 唯葉, 荒井 康智, 米永 一郎, 萬條 太駿, 筒井 智嗣, 小椋 厚志, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日, 通常, 日本語
  10. SiGe混晶における低エネルギー局在フォノンモード強度とGeクラスターサイズの関係:分子動力学計算による解析, 並木 大輔, 内藤 真慈, 平井 健太郎, 横川 凌, 小椋 厚志, 渡邉 孝信, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月15日, 通常, 日本語
  11. ルテニウムの Area Selective Atomic Layer Deposition に関する研究, 奥川 昭悟, ラーマン ガギ タウヒドゥル, 横川, 雨宮 嘉照, 寺本 章伸, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月14日, 通常, 日本語
  12. Investigation of Phonon Spectral Model for Silicon-Germanium By Inelastic X-Ray Scattering and Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Yuta Ito; Yuiha Maeda; Yasutomo Arai; Ichiro Yonenaga; Atsushi Ogura, PRiME2024, 2024年10月11日
  13. Temperature and Ge Fraction Dependance of Broad Peaks in Raman Spectra from Ge-Rich Silicon Germanium Thin Films, Yuiha Maeda; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura, PRiME2024, 2024年10月11日
  14. Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-Rich SiSn thin Film, Hiroki Ishizaki; Ryo Yokogawa; Yuta Ito; Takuya Minowa; Masashi Kurosawa; Atsushi Ogura, PRiME2024, 2024年10月10日
  15. Optical Properties of Multilayered Staggered SiGe Nanodots Depending on Si Spacer Growth Temperature, Yuta Ito; Ryo Yokogawa; Wei-Chen Wen; Yuji Yamamoto; Atsushi Ogura, PRiME2024, 2024年10月10日
  16. 結晶シリコン太陽電池における電極周辺応力の温度依存評価(Ⅱ), 長谷部 光紀; 横川 凌; 中村 京太郎; 大下 祥雄; 山田 昇; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月20日
  17. Phonon transport of group IV semiconductor alloys, Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月20日, 招待
  18. 高Ge組成SiGe薄膜の液浸ラマンスペクトルに現れるブロードピークの温度依存性評価, 前田 唯葉; 横川 凌; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日
  19. 粉体ターゲットを用いたスパッタ法で作製したHfS2膜のH2Sアニールによる膜質改善, 石川 太一; 堀; 幸; 岡田 直也; 横川 凌; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日
  20. スパッタリング法によるMoTe2組成比制御の検討, 中西 大樹; 横川 凌; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日
  21. 有機原料を用いたALD法によるWS2薄膜成長, 横田 浩; 町田 英明; 石川 真人; 須藤 弘; 若林 整; 澤本 直美; 横川 凌; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日
  22. 偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe1−xSnxエピタキシャル膜の表面処理, 松本 泰河; 大田 晃生; 横川 凌; 黒澤 昌志; 坂下 満男; 中塚 理; 柴山 茂久, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日
  23. 単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価(Ⅱ), 石崎 寛規; 横川 凌; 箕輪 卓哉; 黒澤 昌志; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日
  24. [第56回講演奨励賞受賞記念講演] 空間相関モデルを用いたSiGe内の原子配列に関する考察, 横川 凌; 伊藤 佑太; 前田 唯葉; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月19日, 招待
  25. PL分光法による無ひずみ単結晶バルクSi1-xGexのバンドギャップエネルギー評価, 伊藤 佑太; 横川 凌; 箕輪 卓哉; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月16日
  26. 低温PL分光法によるSiトレンチ加工で生成する格子間Siの拡散評価, 藤森 涼太; 伊藤 佑太; 横川 凌; 小椋 厚志; 川勝 一斗; 久保井 信行; 嵯峨 幸一郎; 岩元 勇人, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月16日
  27. フォノンエネルギーの測定方法，応用について ～X線非弾性散乱法，ラマン分光法を中心に～, 横川 凌, フォノンエンジニアリングの 基本的な考え方，熱伝導率の制御や測定，その応用, 2024年07月12日, 招待
  28. W原料としてn-BuNC-W(CO)5を用いたALD法によるWS2の成膜, 西 優貴人; 横田 浩; 町田 英明; 石川 真人; 須藤 弘; 若林 整; 横川 凌; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月24日
  29. 結晶シリコン太陽電池における電極周辺応力の温度評価, 長谷部 光紀; 井手 康貴; 横川 凌; 中村 京太郎; 大下 祥雄; 山田 昇; 小椋 厚志, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月24日
  30. SiGeラマンスペクトルの非対称ブロードニングに関する考察, 横川 凌; 寿川 尚; 前田 唯葉; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日
  31. 多層Staggered SiGeナノドットにおけるSiスペーサ成長温度と光学特性についての評価, 伊藤 佑太; 横川 凌; Wen Wei-Che; 山本 裕司; 箕輪 卓哉; 小椋 厚志, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日
  32. X線吸収分光法を用いたバルクSiGeのDebye-Waller因子評価, 渡辺 剛; 吉岡 和俊; 荒井 康智; 横川 凌; 廣沢 一郎; 小椋 厚志, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月23日
  33. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of WS2 on Patterned Substrate, A. Ogura; K. Cho; R. Yokogawa; N. Sawamoto; H. Machida; M. Ishikawa; H. Sudoh; H. Wakabayashi, 2023年10月10日
  34. Stress Relaxation of Extremely-Thin-Body Ge-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Along <100> and <110> Observed By Oil-Immersion Raman Spectroscopy, R. Yokogawa; Y. Maeda; S. Sugawa; C. T. Chen; K. Toprasertpong; M. Takenaka; S. Takagi; A. Ogura, 244th ECS Meeting, 2023年10月09日
  35. Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-Thin Body (100) Silicon-Germanium-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Oil-Immersion Raman Spectroscopy, Y. Maeda; R. Yokogawa; S. Sugawa; C. T. Chen; K. Toprasertpong; M. Takenaka; S. Takagi; A. Ogura, 244th ECS Meeting, 2023年10月09日
  36. 極薄膜(100)SGOI p-MOSFETのチャネル領域における異方性二軸応力のチャネル幅依存性, 前田 唯葉, 横川 凌, 寿川 尚, Chen Chia-Tsong, T. Kasidit, 竹中 充, 高木 信一, 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日
  37. 極薄膜GOI pMOSFETに印加される異方性二軸応力のチャネル方向依存性, 横川 凌; 前田 唯葉; 寿川 尚; Chen Chia-Tsong; T. Kasidit; 竹中 充; 高木 信一; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日
  38. PL法及びラマン分光法による3次元自己組織化多層SiGeナノドットの評価(Ⅱ), 伊藤 佑太; 横川 凌; Wen Wei-Chenl; 山本 裕司; 箕輪 卓哉; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日
  39. PL法及びXPSによる単結晶Si1-xSnxのバンド構造評価, 石崎 寛規; 横川 凌; 伊藤 佑太; 大岩 樹; 黒澤 昌志; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日
  40. ラマン分光法によるSiGeナノワイヤの熱伝導測定, 寿川 尚; 横川 凌; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月22日
  41. 3次元自己組織化多層SiGeナノドットの熱物性, 横川 凌; 寿川 尚; 前田 唯葉; 伊藤 佑太; 山下 雄一郎; Wen Wei-Chen; 山本 裕司; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月22日
  42. Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成, 松本 泰河; 柴山 茂久; 大田 晃夫; 横川 凌; 黒澤 昌志; 坂下 満男; 中塚 理, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日
  43. 省Ag低温硬化電極ペーストの評価, 箕輪 卓哉; 西原 達平; 横川 凌; Lee Hyunju; 大下 祥雄; 村松 和郎; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日
  44. 粉体HfS2ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によるHfS2膜の作製, 石川 太一; 西 優貴人; 若林 整; 横川 凌; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月19日
  45. 粉体HfS2ターゲットを用いた共スパッタ法でのZrxHf1-xS2混晶膜の作製, 西 優貴人; 石川 太一; 若林 整; 横川 凌; 小椋 厚志, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月19日
  46. 3次元自己組織化多層SiGeナノドットのフォノン散乱評価, 横川 凌; 寿川 尚; 前田 唯葉; 伊藤 佑太; 山下 雄一郎; Wen Wei-Chen; 山本 裕司; 小椋 厚志, 第7回フォノンエンジニアリング研究会, 2023年08月06日
  47. レーザパワー掃引ラマン分光法によるSiGeナノワイヤの熱伝導特性評価, 寿川 尚; 横川 凌; 小椋 厚志, 第7回フォノンエンジニアリング研究会, 2023年08月05日
  48. 液浸ラマン分光法による高Ge濃度SiGe薄膜のラマンスペクトルに現れるブロードピークの温度依存性評価, 前田 唯葉; 横川 凌; 小椋 厚志, 第7回フォノンエンジニアリング研究会, 2023年08月05日
  49. UVラマン分光法を用いた絶縁膜/SOI界面近傍の熱伝導特性評価, 佐原 敬太; 横川 凌; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日
  50. 高Ge組成バルクSiGeにおける局在振動モードラマンスペクトルの温度依存性, 横川 凌; 寿川 尚; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日
  51. バルクSiGeを用いた無歪ラマンシフト全振動モードの導出, 横川 凌; 寿川 尚; 柴山 裕貴; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日
  52. PL法及びラマン分光法による3次元自己組織化多層SiGeナノドットの評価, 伊藤 佑太; 横川 凌; Wen Wei-Chen; 山本 裕司; 寿川 尚; 小椋 厚志, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日
  53. Fin構造への低温有機金属化学気相成長法によるWS2の成膜, 張 桐永; 町田 英明; 石川 真人; 須藤 弘; 若林 整; 横川 凌; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日
  54. X線逆格子空間マッピングによる方位が異なるカーボンドープシリコンナノワイヤ格子歪分布の検討, 広沢 一郎; 吉岡 和俊; 渡辺 剛; 横川 凌; 小椋 厚志, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日
  55. PL法によるSiトレンチ側壁の結晶欠陥評価, 門 龍翔; 伊藤 佑太; 慎 重赫; 横川 凌; 小椋 厚志; 川勝 一斗; 吉際 潤; 嵯峨 幸一郎; 岩元 勇人, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日
  56. Investigation of phonon properties for bulk silicon-germanium alloy using inelastic X-ray scattering, 横川 凌, SPRUC角度分解散乱分光研究会, 2023年03月02日, 招待
  57. Phonon properties of bulk silicon-germanium analyzed by inelastic X-ray scattering, Ryo Yokogawa, The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, 2022年11月08日, 招待
  58. PL spectra analyses of strain-free GeSn with high-Sn composition, Yuta Ito, The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, 2022年11月07日
  59. Evaluation of Thermal Conductivity Characteristics near Insulator/SOI Interface by Raman Spectroscopy, Keita Sahara, The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, 2022年11月07日
  60. Distribution Evaluation of Optical Properties in Silicon Germanium Films Grown on Silicon Substrates with Graded Silicon Germanium Buffer Layers, Yuki Shibayama; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura, 242nd ECS Meeting, 2022年10月13日
  61. Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx, Keita Sahara; Ryo Yokogawa; Yuki Shibayama; Yusuke Hibino; Masashi Kurosawa; Atsushi Ogura, 242nd ECS Meeting, 2022年10月13日
  62. Evaluation of Temperature Variation in the Debye-Waller Factor for Single Crystalline Bulk Silicon Germanium by XAFS, Kazutoshi Yoshioka; Shuhei Hanafusa; Yukihito Nishi; Yasutomo Arai; Ichiro Hirosawa; Takanobu Watanabe; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura, 242nd ECS Meeting, 2022年10月13日
  63. Temperature Dependence of Raman Peak Shift in Single-Crystalline Si-Rich SiGe, Sho Sugawa; Ryo Yokogawa; Yasutomo Arai; Ishiro. Yonenaga; Atsushi Ogura, 242nd ECS Meeting, 2022年10月13日
  64. Evaluation of Strained Group IV Semiconductor Devices by Oil-Immersion Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Chia-Tsong Chen; Kasidit Toprasertpong; Mitsuru Takenaka; Shinishi Takagi; Atsushi Ogura, 242nd ECS Meeting, 2022年10月13日, 招待
  65. X線非弾性散乱法によるバルクSiGeのフォノン分散(Γ-K点)評価, 横川 凌; 荒井 康智; 米永 一郎; 富田 基裕; 石川 大介; 内山 裕士; Baron Alfred; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日
  66. Ge-rich SiGeバルク単結晶におけるラマンピークの温度依存性, 寿川 尚; 横川 凌; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日
  67. ラマン分光法による有機金属化学気相成長法で作製したWS2薄膜の熱伝導特性評価, 西 優貴人; 張 桐永; 寿川 尚; 町田 英明; 石川 真人; 須藤 弘; 若林 整; 横川 凌; 小椋 厚志, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  68. X線逆格子空間マッピングを用いたカーボンドープシリコンナノワイヤにおける3軸歪評価(III), 吉岡 和俊; 張 桐永; 伊藤 佑太; 寿川 尚; 廣沢 一郎; 渡辺 剛; 横川 凌; 小椋 厚志, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  69. 組成傾斜SiGeバッファ層を有する歪緩和SiGe膜の光学特性分布評価, 柴山 裕貴; 横川 凌; 小椋 厚志, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  70. 単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価, 佐原 敬太; 横川 凌; 柴山 裕貴; 日比野 祐介; 黒澤 昌志; 小椋 厚志, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日
  71. SiGe混晶のフォノン物性解明へ向けて, 横川 凌, 第6回フォノンエンジニアリング研究会, 2022年07月22日
  72. TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索, 小椋 厚志; 横川 凌; 若林 整, シリコン材料・デバイス研究会 (SDM), 2022年06月21日
  73. 静電破壊されたInP/InGaAsフォトダイオード故障解析, 伊藤 佑太; 横川 凌; 澤本 直美; 上田 修; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月26日
  74. PLスペクトル解析による無歪GeSn(Sn 9%)バンド構造の検討, 佐竹 雄太; 松永 靜流; 小笠原 凱; 伊藤 佑太; 横川 凌; 志村 洋介; Roger Loo; Anurag Vohra; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日
  75. XAFSを用いた単結晶バルクSiGeにおけるDebye-Waller 因子の温度変化量評価, 吉岡 和俊; 小笠原 凱; 花房 秀政; 西 優貴人; 荒井 康智; 広沢 一郎; 渡辺 剛; 横川 凌; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日
  76. GeSn単結晶薄膜のX線非弾性散乱測定, 千野 雅人; 横川 凌; 小椋 厚志; 内山 裕士; 立岡 浩一; 志村 洋介, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日
  77. カーボンドープシリコンナノワイヤ内の格子面間隔分布の検討, 広沢 一郎; 吉岡 和俊; 小笠原 凱; 張 桐永; 伊藤 佑太; 寿川 尚; 渡辺 剛; 横川 凌; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日
  78. 液浸ラマン分光法による極薄膜GOI pMOSFETの異方性二軸応力評価, 横川 凌; Chia-Tsong Chen; Kasidit Toprasertpong; 竹中 充; 高木 信一; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日
  79. Si-rich SiGeバルク単結晶におけるラマン散乱の温度依存性, 寿川 尚; 横川 凌; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日
  80. 温度可変放射光X線回折による熱酸化およびスパッタSiO2/Si界面の熱特性評価, 横川 凌; 渡辺 剛; 廣沢 一郎; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日
  81. W前駆体としてn-BuNC-W(CO)5を用いた低温有機金属化学気相成長法によるWS2の作製, 張 桐永; 町田 英明; 石川 真人; 須藤 弘; 若林 整; 横川 凌; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日
  82. 共スパッタ法によるZrxHf1-xS2混晶の作製, 花房 秀政; 日比野 祐介; 横川 凌; 若林 整; 小椋 厚志, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日
  83. IV族半導体のフォノン物性評価-LSIおよび熱電素子応用を目指して, 横川 凌, (独)日本学術振興会 結晶加工と評価技術 第145委員会 第175研究会, 2022年03月03日, 招待
  84. 放射光技術を利用した次世代熱電発電デバイス用Ⅳ族半導体の微小領域熱特性評価, 横川 凌; 小椋 厚志, 第9回SPring-8次世代先端デバイス研究会/第72回SPring-8先端利用技術ワークショップ 「半導体プロセス開発の現状と放射光の役割」, 2022年01月13日, 招待
  85. Strain Behaviors and Characteristics of Phonon Transports in Group IV Semiconductors Observed by Synchrotron Radiation Techniques, Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura, 2021年12月13日, 招待
  86. Evaluation of Chemical Bonding States in Multilayer Interconnect Structures for Thermal Management in Next Generation Very Large Scale Integration, Keita Sahara; Ryo Yokogawa; Tappei Nishihara; Naomi Sawamoto; Tianzhuo Zhan; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 240th ECS Meeting, 2021年10月10日, 通常
  87. Evaluation of Chemical and Physical Conformality for SiNx Films Deposited on Trench Substrate By Atomic Layer Deposition, Atsushi Ogura; Ryo Yokogawa; Tappei Nishihara; Yuji Otsuki; Munehito Kagaya, 240th ECS Meeting, 2021年10月10日
  88. Anisotropic in-Plane and out-of-Plane Strain Relaxation in Carbon-Doped Silicon Nanowires Evaluated by X-Ray Reciprocal Space Mapping, Kazutoshi Yoshioka; Gai Ogasawara; Keita Sahara; Yuki Shibayama; Ichiro Hirosawa; Takeshi Watanabe; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura, 240th ECS Meeting, 2021年10月10日
  89. Optical Properties of Bulk Silicon Germanium in the Near Infrared Evaluated By Spectroscopic Ellipsometry, Yuki Shibayama; Ryo Yokogawa; Yasutomo Arai; Ichiro Yonenaga; Atsushi Ogura, 240th ECS Meeting, 2021年10月10日
  90. Evaluation of Mo(1-x)Wxs Alloy Fabricated By Combinatorial Film Deposition, Shuhei Hanafusa; Yusuke Hashimoto; Keiji Ishibashi; Yusuke Hibino; Kota Yamazaki; Ryo Yokogawa; Hitoshi Wakabayashi; Atsushi Ogura, 240th ECS Meeting, 2021年10月10日
  91. Effect of Growth Parameters on MoS2 Film Quality Deposited by Low-Temperature MOCVD Using I-Pr2DADmo(CO)3 and (t-C4H9)2S2, Kirito Cho; KotaYamazaki; Yusuke Hibino; Yusuke Hashimoto; Hideaki Machida; Masato Ishikawa; Hiroshi Sudoh; Hitoshi Wakabayashi; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura, 240th ECS Meeting, 2021年10月10日
  92. Effect of cluster size distribution in SiGe alloys on local phonon mode intensity, Sylvia Yuk Yee Chung; Motohiro Tomita; Junya Takizawa; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura; Haidong Wang; Takanobu Watanabe, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月13日
  93. 分子動力学法を用いたSiO2/Si/SiO2薄膜内の低エネルギーフォノンの振動モード解析, 富田 基裕; 横川 凌; 小椋 厚志; 渡邉 孝信, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月13日
  94. 分子動力学法を用いたSiGe混晶内の低エネルギー局在フォノンの振動モード解析, 富田 基裕; Sylvia Yuk Yee Chung; 横川 凌; 小椋 厚志; 渡邉 孝信, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月13日
  95. Asymmetrically-strained (110) SGOI pMOSFETs for hole mobility enhancement in extremely-thin body channels, Chia-Tsong Chen; Ryo Yokogawa; Kasidit Toprasertpong; Atsushi Ogura; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  96. Hole mobility enhancement in extremely-thin body asymmetrically-strained (100) GOI pMOSFETs, Chia-Tsong Chen; Ryo Yokogawa; Kasidit Toprasertpong; Atsushi Ogura; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  97. 次世代VLSI配線の熱制御に向けたRu/TaN/Si化学結合状態の評価, 佐原 敬太; 横川 凌; 西原 達平; 澤本 直美; 詹 天卓; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  98. X線非弾性散乱法によるBulk SiGe低エネルギー側フォノンスペクトルと光学モードの線幅評価, 横川 凌; 荒井 康智; 米永 一郎; Sylvia Yuk Yee Chung; 富田 基裕; 内山 裕士; 石川 大介; Baron Alfred; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日
  99. 分光エリプソメトリーによるBulk SiGeの近赤外光学特性評価, 柴山 裕貴; 横川 凌; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日
  100. X線逆格子空間マッピングを用いたカーボンドープシリコンナノワイヤにおける3軸歪評価(II), 吉岡 和俊; 小笠原 凱; 張 桐永; 伊藤 佑太; 寿川 尚; 廣沢 一郎; 渡辺 剛; 横川 凌; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日
  101. 単結晶Si太陽電池の薄型化へ向けたスライスダメージ評価 III, 原 豊; 横川 凌; 西原 達平; 中村 京太郎; 大下 祥雄; 河津 知之; 長井 俊樹; 山田 昇; 宮下 幸雄; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日
  102. 無歪GeSn(Sn 9%)のバンドPL端発光, 松永 靜流; 横川 凌; 佐竹 雄太; 小笠原 凱; 志村 洋介; Roger Loo; Anurag Vohra; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日
  103. 緩和GeSn層を用いた無歪ラマンシフトの導出, 小笠原 凱; 横川 凌; 吉岡 和俊; 志村 洋介; Roger Loo; Anurag Vohra; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日
  104. 液浸ラマン分光法で観測されるGOI極薄膜ラマンスペクトルのブロードピークと歪の関係に関する考察, 横川 凌; Chia-Tsong Chen; Kasidit Toprasertpong; 竹中 充; 高木 信一; 小椋 厚志, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日
  105. Anisotropic Strain States in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator p-type MOSFET Observed by Oil-Immersion Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Chia-Tsong Chen; Kasidit Toprasertpong; Mitsuru Takenaka; Shinichi Takagi; Atsushi Ogura, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), 2021年09月08日
  106. Phonon Spectral Line-Width for Acoustic Modes in Bulk SiGe Observed by Inelastic X-ray Scattering, Ryo Yokogawa; Yutaka Hara; Keita Sahara; Yasutomo Arai; Ichiro Yonenaga; Sylvia Yuk Yee Chung; Motohiro Tomita; Hiroshi Uchiyama; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), 2021年09月07日
  107. 放射光X線回折による酸化膜/Si界面の熱特性評価の検討, 横川 凌; 富田 基裕; 渡辺 剛; 廣沢 一郎; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第5回フォノンエンジニアリング研究会, 2021年07月02日
  108. ラマン分光法によるAsイオン注入Siの歪評価, 小原田 賢聖; 佐竹 雄太; 横川 凌; 小椋 厚志, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月18日
  109. ラマン分光法およびPL法を用いたSiトレンチ加工による結晶欠陥評価, 小原田 賢聖; 佐竹 雄太; 吉際 潤; 嵯峨 幸一郎; 岩元 勇人; 門 龍翔; 澤本 直美; 横川 凌; 小椋 厚志, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月18日
  110. X線逆格子空間マッピングを用いたメサ構造状カーボンドープシリコンにおける3軸歪評価, 吉岡 和俊; 小原田 賢聖; 小笠原 凱; 廣沢 一郎; 渡辺 剛; 横川 凌; 小椋 厚志, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月17日
  111. X線非弾性散乱法によるBulk SiGeフォノンスペクトルの線幅測定, 横川 凌; 竹内 悠希; 原 豊; 荒井 康智; 米永 一郎; Sylvia Yuk Yee Chung; 富田 基裕; 内山 裕士; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月17日
  112. 2021年03月16日
  113. X線非弾性散乱法で観測されるBulk SiGe単結晶フォノンスペクトルの振る舞い, 横川 凌; 荒井 康智; 米永 一郎; Yuk Yee Chung Sylvia; 富田 基裕; 内山 裕士; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第四回フォノンエンジニアリング研究会, 2020年12月11日
  114. X線非弾性散乱法を用いたSiGe混晶フォノン物性の考察, 横川 凌; 荒井 康智; 米永 一郎; Yuk Yee Chung Sylvia; 富田 基裕; 内山 裕士; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, MRMフォーラム2020, 2020年12月08日
  115. Evaluation of Thermal Expansion Coefficient in Ge1-xSnx Nanowire Using Reciprocal Space Mapping, Gai Ogasawara; Ryo Yokogawa; Ichiro Yonenaga; Kazutoshi Yoshioka; Yuki Takahashi; Kohei Suda; Atsushi Ogura, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2020 (PRiME 2020), 2020年10月09日
  116. Evaluation of Temperature and Germanium Concentration Dependence of EXAFS Oscillations in Si-Rich Silicon Germanium Thin Films, Kazutoshi Yoshioka; Ryo Yokogawa; Masato Koharada; Haruki Takeuchi; Gai Ogasawara; Ichiro Hirosawa; Takeshi Watanabe; Atsushi Ogura, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2020 (PRiME 2020), 2020年10月09日
  117. Evaluation of Phonon Dispersion Relation for Bulk Silicon Germanium by Inelastic X-ray Scattering, Ryo Yokogawa; Haruki Takeuchi; Yasutomo Arai; Ichiro Yonenaga; Hiroshi Uchiyama; Atsushi Ogura, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2020 (PRiME 2020), 2020年10月09日
  118. Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Masashi Kurosawa; Atsushi Ogura, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2020 (PRiME 2020), 2020年10月07日
  119. 2020年10月06日
  120. Observation of an Unidentified Phonon Peak in SiGe Alloys and Superlattices Using Molecular Dynamics Simulation, Sylvia Yuk Yee Chung; Motohiro Tomita; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura; Takanobu Watanabe, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2020 (PRiME 2020), 2020年10月06日
  121. Evaluation of Silicon Nitride Film Formed by Atomic Layer Deposition on the Silicon Substrate with Trench Structure Using Angle-Resolved Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy, Tappei Nishihara; Ryo Yokogawa; Yuji Otsuki; Munehito Kagaya; Atsushi Ogura, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2020 (PRiME 2020), 2020年10月06日
  122. Chemical Structure of SiN Films Deposited on High Aspect Trench by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, Tappei Nishihara; Ryo Yokogawa; Yuji Otsuki; Munehito Kagaya; Atsushi Ogura, 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2020年09月29日
  123. Effect of Ion Irradiation on Thermal Conductivity along SiO2/Si Interface Evaluated by Molecular Dynamics, Junya Takizawa; Sylvia Yuk Yee Chung; Motohiro Tomita; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura; Takanobu Watanabe, 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2020年09月29日
  124. Inelastic X-ray Scattering Measurement on SiGeSn Polycrystalline Alloy, Yosuke Shimura; Kako Iwamoto; Ryo Yokogawa; Motohiro Tomita; Hirokazu Tatsuoka; Hiroshi Uchiyama; Atsushi Ogura, 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2020年09月28日
  125. 単結晶Si太陽電池の薄型化へ向けたスライスダメージ評価 II, 原 豊; 横川 凌; 西原 達平; 神岡 武文; 中村 京太郎; 大下 祥雄; 河津 知之; 長井 俊樹; 山田 昇; 宮下 幸雄; 小椋 厚志, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月11日
  126. トレンチ形成Si基板にALD成膜したSiN膜の評価, 西原 達平; 横川 凌; 大槻 友志; 加賀谷 宗; 小椋 厚志, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月11日
  127. Si-IGBT作製プロセスにおける水素熱処理の影響, 門 龍翔; 横川 凌; 沼沢 陽一; 筒井 一生; 角嶋 邦之; 小椋 厚志, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月10日
  128. Bulk SiGeを用いたSi-Siモード無歪ラマンシフトの導出, 横川 凌; 山岡 桃代; 荒井 康智; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月09日
  129. SiGeSn多結晶のX線非弾性散乱測定, 志村 洋介; 岩本 佳子; 横川 凌; 富田 基裕; 立岡 浩一; 内山 裕士; 小椋 厚志, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月09日
  130. Ta/TaN化学結合状態と熱抵抗との相関, 竹内 悠希; 横川 凌; 西原 達平; 詹 天卓; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日
  131. X線非弾性散乱法によるBulk SiGe低エネルギー側フォノンスペクトルのフォノン分散曲線評価, 横川 凌; 竹内 悠希; 荒井 康智; 米永 一郎; Sylvia Yuk Yee; Chung; 富田 基裕; 内山 裕士; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日
  132. ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造が及ぼす熱伝導特性評価(Ⅱ), 竹内 悠希; 横川 凌; 高橋 和也; 小森 克彦; 森本 保; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月14日
  133. 液浸ラマン分光法を用いたMoS2のキャリア濃度評価, 小柳 有矢; 日比野 祐介; 横川 凌; 若林 整; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月14日
  134. X線非弾性散乱法によるBulk SiGe単結晶フォノン分散曲線の測定, 横川 凌; 竹内 悠希; 荒井 康智; 米永 一郎; 内山 裕士; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月14日
  135. 単結晶Si太陽電池の薄型化へ向けたスライスダメージ評価, 原 豊; 横川 凌; 大西 康平; 神岡 武文; 中村 京太郎; 大下 祥雄; 河津 知之; 長井 俊樹; 山田 昇; 宮下 幸雄; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月13日
  136. Si基板へのイオン注入とレーザーアニールで作製したSi1-x-yGexSny薄膜の歪評価, 小笠原 凱; 小孫 翔大; 横川 凌; 吉岡 和俊; 澤本 直美; Borland John; 黒井 隆; 川崎 洋司; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日
  137. 低Ge濃度SiGe薄膜におけるEXAFS振動の温度とGe濃度依存性の評価, 吉岡 和俊; 横川 凌; 高橋 祐樹; 小原田 賢聖; 竹内 悠希; 小笠原 凱; 広沢 一郎; 渡辺 剛; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日
  138. 逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造における熱膨張係数評価, 高橋 祐樹; 横川 凌; 吉岡 和俊; 小笠原 凱; 廣沢 一郎; 須田 耕平; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日
  139. 逆格子空間マッピングによるGe1-XSnXメサ構造における原子間隔分布の検討, 広沢 一郎; 高橋 祐樹; 吉岡 和俊; 横川 凌; 須田 耕平; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日
  140. UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出, 横川 凌; 丹下龍志; 黒澤 昌志; 小椋 厚志, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日
  141. Origin of Anomalous Phonon State in SiGe Alloys Studied with Molecular Dynamics, Sylvia Yuk Yee Chung; Motohiro Tomita; Ryo Yokogawa; Atsushi Ogura; Takanobu Watanabe, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第25回研究会), 2020年01月31日
  142. Evaluation of Temperature and Ge Concentration Dependence of EXAFS Oscillations in SiGe Thin Films, Kazutoshi Yoshioka; Ryo Yokogawa; Yuki Takahashi; Haruki Takeuchi; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, Materials Research Meeting 2019 (MRM2019), 2019年12月13日
  143. Investigation of Phonon Dispersion Curve for Silicon Germanium Alloy by Using Inelastic X-ray Scattering, Ryo Yokogawa; Haruki Takeuchi; Kazutoshi Yoshioka; Yasutomo Arai; Hiroshi Uchiyama; Atsushi Ogura, Materials Research Meeting 2019 (MRM2019), 2019年12月13日
  144. Strain Evaluation of Laser-annealed or RTA Sn-doped SiGe Layers, Shota Komago; Ryo Yokogawa; Kazutoshi Yoshioka; Naomi Sawamoto; John O. Borland; Takashi Kuroi; Yoji Kawasaki; Atsushi Ogura, 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, 2019年11月27日
  145. Characterization of Bendable Crystalline Si Solar Cells Made by Ultra-thin Wafer Slicing, Noboru Yamada; Kohei Onishi; Ryo Yokogawa; Tappei Nishihara; Takefumi Kamioka; Kyotaro Nakamura; Tomoyuki Kawatsu; Toshiki Nagai; Yuya Kotake; Yukio Miyashita; Yoshio Ohshita; Atsushi Ogura, 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-29), 2019年11月05日
  146. Stress Evaluation Induced by Wiggling SiN Fine Pattern by Using Raman Spectroscopy, Masato Koharada; Ryo Yokogawa; Naomi Sawamoto; Kazutoshi Yoshioka; Atsushi Ogura, 32nd International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC 2019), 2019年10月30日
  147. Determination of Phonon Deformation Potentials in Carbon-doped Silicon, Kazutoshi Yoshioka; Ryo Yokogawa; Tatsumi Murakami; Shota Komago; Naomi Samamoto; Atsushi Ogura, 236th Electrical Chemical Society (ECS) Meeting, 2019年10月16日
  148. Evaluation of Thermal Conductivity Characteristics in Polycrystalline Silicon Grains with Nanostructures by Raman Spectroscopy, Haruki Takeuchi; Ryo Yokogawa; Kazuya Takahashi; Katsuhiko Komori; Tamotsu Morimoto; Naomi Sawamoto; Atsushi Ogura, 236th Electrical Chemical Society (ECS) Meeting, 2019年10月16日
  149. Temperature Measurement for Si Nanowire Thermoelectric Generators by Operand Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Tianzhuo Zhan; Motohiro Tomita; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 236th Electrical Chemical Society (ECS) Meeting, 2019年10月16日
  150. 薄型フレキシブルSi太陽電池へ向けたスライスダメージ評価, 大西 康平; 横川 凌; 西原 達平; 神岡 武文; 中村 京太郎; 大下 祥雄; 河津 知之; 長井 俊樹; 山田 昇; 宮下 幸雄; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月20日
  151. XAFS測定を用いた低温下におけるSi基板上SiGe薄膜の局所構造評価, 吉岡 和俊; 横川 凌; 高橋 祐樹; 竹内 悠希; 広沢 一郎; 渡辺 剛; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月19日
  152. X線非弾性散乱法で観測される低エネルギー側Bulk SiGeフォノンスペクトルの考察, 横川 凌; 竹内 悠希; 吉岡 和俊; 荒井 康智; 内山 裕士; 富田 基裕; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月19日
  153. X線非弾性散乱法によるBulk Si1-xGex(x=0.72)単結晶のフォノン分散測定, 横川 凌; 小柳 有矢; 内山 裕士; 筒井 智嗣; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月19日
  154. 高濃度SiGeラマンスペクトルの局在振動モードを利用したGe濃度定量, 横川 凌; 竹内 悠希; 吉岡 和俊; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月19日
  155. ラマン分光法を用いたWigglingシリコン窒化膜パターンによる応力評価, 小原田 賢聖; 横川 凌; 澤本 直美; 吉岡 和俊; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日
  156. レーザーアニール又はRTAを施したSnドープSiGe膜の歪評価, 小孫 翔大; 横川 凌; 吉岡 和俊; 澤本 直美; ボーランド ジョン; 黒井 隆; 川崎 洋司; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日
  157. 実験室系硬X線光電子分光法による埋もれた界面の化学結合状態評価, 西原 達平; 金井 皓輝; 横川 凌; 廣沢 一郎; 安野 聡; 大川 登志郎; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日
  158. ラマン分光法による酸化膜被覆プロセスの異なるSOI薄膜における熱伝導特性評価, 竹内 悠希; 横川 凌; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日
  159. Evaluation of Strain Relaxation in Stripe-Shaped Ge1-xSnx Mesa Structure Using X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping, Yuki Takahashi; Ryo Yokogawa; Kohei Suda; Atsushi Ogura; Ichiro Hirosawa, 18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVII), 2019年09月10日
  160. Evaluation of Anisotropic Stress for Laterally Graded Silicon Germanium Wires by Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Kouta Takahashi; Masashi Kurosawa; Motohiro Tomita; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII), 2019年09月10日
  161. Sawing Damage Control for Thin Flexible Si Solar Cells, Kohei Onishi; Ryo Yokogawa; Tappei Nishihara; Takefumi Kamioka; Kyotaro Nakamura; Yoshio Oshita; Tomoyuki Kawatsu; Toshiki Nagai; Noboru Yamada; Yukio Miyashita; Atsushi Ogura, 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2019), 2019年09月09日
  162. 逆格子マッピングを用いたGe1-xSnx微細構造における歪評価, 高橋 祐樹; 横川 凌; 小椋 厚志, 第16回SPring-8産業利用報告会, 2019年09月05日
  163. X線非弾性散乱法による単結晶SiGeのフォノン分散評価, 横川 凌; 竹内 悠希; 吉岡 和俊; 荒井 康智; 内山 裕士; 小椋 厚志, 第3回フォノンエンジニアリング研究会, 2019年07月06日
  164. 多結晶シリコン粒内のフォノン散乱要因評価, 竹内 悠希; 横川 凌; 高橋 和也; 小森 克彦; 森本 保; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第3回フォノンエンジニアリング研究会, 2019年07月05日
  165. Ultra-Thin Lightweight Bendable Crystalline Si Solar Cells for Solar Vehicles, Yoshio Ohshita; Kohei Onishi; Ryo Yokogawa; Tappei Nishihara; Takefumi Kamioka; Kyotaro Nakamura; Tomoyuki Kawatsu; Toshiki Nagai; Noboru Yamada; Yukio Miyashita; Atsushi Ogura, 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC 46), 2019年06月18日
  166. 放射光を用いたIV族半導体の物性評価, 横川 凌; 小椋 厚志, 第150回結晶工学分科会研究会 これからはじめる放射光 ～微細評価の新展開～, 2019年04月18日
  167. IV族半導体微細加工による熱電材料の機能発現と物性評価, 横川 凌, 第5回 大型実験施設とスーパーコンピュータとの連携利用シンポジウム, 2019年03月15日
  168. 水浸ラマン分光法によるパターン加工したカーボンドープシリコンにおける歪緩和の評価, 吉岡 和俊; 横川 凌; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月12日
  169. 逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造における歪緩和評価, 高橋 祐樹; 横川 凌; 廣沢 一郎; 須田 耕平; 小椋 厚志, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月12日
  170. 液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価, 横川 凌; 高橋 恒太; 富田 基裕; 黒澤 昌志; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月12日
  171. Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III-, 小林 弘人; 横川 凌; 木下 晃輔; 沼沢 陽一郎; 小椋 厚志; 西澤 伸一; 更屋 拓哉; 伊藤 一夫; 高倉 俊彦; 鈴木 慎一; 福井 宗利; 竹内 潔; 平本 俊郎, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月11日
  172. ラマン分光法を用いたプラズマCVD堆積SiNおよびa-C膜の応力評価, 小原田 賢聖; 横川 凌; 小椋 厚志, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日
  173. ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ構造が及ぼす熱伝導特性評価, 竹内 悠希; 横川 凌; 高橋 和也; 小森 克彦; 森本 保; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日
  174. ラマン分光法による酸化膜を被覆したSiナノワイヤ界面近傍の熱伝導特性評価, 横川 凌; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日
  175. ラマン分光法によるAr+イオンを照射した酸化膜被覆型Siナノワイヤの熱伝導特性評価, 横川 凌; 富⽥ 基裕; 渡邉 孝信; ⼩椋 厚志, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(第24回研究会), 2019年01月25日
  176. Minority carrier lifetime degradation in FZ-Si by advanced Si-IGBT processes, Hiroto Kobayashi; Ryo Yokogawa; Kosuke Kinoshita; Yohichiroh Numasawa; Atsushi Ogura; Shin-ichi Nishizawa; Takuya Saraya; Kazuo Ito; Toshihiko Takakura; Shin-ichi Suzuki4; Munetoshi Fukui; Kiyoshi Takeuchi; Toshiro Hiramoto, The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018, 2018年11月19日
  177. Evaluation of thermal conductivity characteristics in Si nanowire covered with oxide by UV Raman spectroscopy, Ryo Yokogawa; Motohiro Tomita; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018), 2018年11月16日
  178. Determination of Phonon Deformation Potentials in Carbon-doped Silicon, Kazutoshi Yoshioka; Ryo Yokogawa; Tatsumi Murakami; Shota Komago; Naomi Samamoto; Atsushi Ogura, 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science, 2018年10月
  179. Evaluation of Anisotropic Three-Dimensional Strain Relaxation in Stripe-Shaped Ge1-xSnx Mesa Structure, Yuki Takahahsi; Ryo Yokogawa; Tatsumi Murakami; Ichiro Hirosawa; Kohei Suda; Atsushi Ogura, 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science, 2018年10月
  180. Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth, Ryo Yokogawa; Shuichiro Hashimoto; Kouta Takahashi; Shunsuke Oba; Motohiro Tomita; Masashi Kurosawa; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science, 2018年10月
  181. Strain Evaluation of Laser-annealed SiGe Thin Layers, Shota Komago; Tatsumi Murakami; Kazutoshi Yoshioka; Ryo Yokogawa; John O Borland; Takashi Kuroi; Toshiyuki Tabata; Karim Huet; Naoto Horiguchi; Atsushi Ogura, 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science, 2018年09月30日
  182. ラマン分光法による酸化膜を被覆したSOI薄膜の熱伝導特性評価, 横川 凌; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月20日
  183. Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-II-, 小林 弘人; 横川 凌; 木下 晃輔; 沼沢 陽一郎; 小掠 厚志; 西澤 伸一; 更屋 拓也; 伊藤 一夫; 高倉 俊彦; 鈴木 慎一; 福井 宗利; 竹内 潔; 平本 俊郎, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月19日
  184. C及びGeイオン注入後にレーザーアニールを施したSiGe薄膜の歪評価, 小孫 翔大; 村上 達海; 吉岡 和俊; 横川 凌; 澤本 直美; Borland John; 黒井 隆; 田畑 俊行; Huet Karim; 堀口 直人; 小椋 厚志, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日
  185. パターン加工したカーボンドープシリコンにおける歪緩和の評価, 吉岡 和俊; 横川 凌; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日
  186. 逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造の3軸歪評価, 高橋 祐樹; 横川 凌; 廣沢 一郎; 須田 耕平; 小椋 厚志, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日
  187. 液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGeラマンスペクトルのブロードピークを利用したGe濃度定量, 横川 凌; 小原田 賢聖; 吉岡 和俊; 石原 聖也; 臼田 宏治; 小椋 厚志, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月18日
  188. Evaluations of Minority Carrier Lifetime in FZ-Si Affected by Si-IGBT Processes, Hiroto Kobayashi; Ryo Yokogawa; Kosuke Kinoshita; Yohichiroh Numasawa; Atsushi Ogura; Shin-ichi Nishizawa; Takuya Saraya; Kazuo Ito; Toshihiko Takakura; Shin-ichi Suzuki; Munetoshi Fukui; Kiyoshi Takeuchi; Toshiro Hiramoto, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), 2018年09月13日
  189. ラマン分光法による酸化膜/Si界面の熱伝導特性評価, 横川 凌; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第二回フォノンエンジニアリング研究会, 2018年07月13日
  190. 逆格子空間マッピングによるGe1-XSnXメサ構造における異方的格子定数評価, 広沢 一郎; 村上 達海; 須田 耕平; 高橋 祐樹; 吉岡 和俊; 横川 凌; 小椋 厚志, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  191. 熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価, 横川 凌; 橋本 修一郎; 高橋 恒太; 大場 俊輔; 富田 基裕; 黒澤 昌志; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月20日
  192. Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価, 小林 弘人; 横川 凌; 鈴木 貴博; 沼沢 陽一郎; 小椋 厚志; 西澤 伸一; 更屋 拓哉; 伊藤 和夫; 高倉 俊彦; 鈴木 慎一; 福井 宗利; 竹内 潔; 平本 俊郎, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月19日
  193. ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造評価(Ⅲ), 三野 伸晃; 横川 凌; 鈴木 貴博; 高橋 和也; 小森 克彦; 森本 保; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月17日
  194. AlN熱伝導膜の熱伝導率向上によるSiナノワイヤ熱電発電デバイスの出力向上, 詹 天卓; 大和 亮; 橋本 修一郎; 大場 俊輔; 姫田 悠矢; 横川 凌; 徐 一斌; 松川 貴; 渡邉 孝信, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―第23回研究会, 2018年01月19日
  195. Evaluation of Strain in the Oxide Covered Silicon Nanowires for Thermoelectric Devices by Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Shuichiro Hashimoto; Motohiro Tomita; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 45th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces, 2018年01月
  196. Anisotropic Biaxial Strain Evaluation in MOCVD Grown Ge1-xSnx Mesa Patterned Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy, Tatsumi Murakami; Kazuma Takeuchi; Ryo Yokogawa; Kohei Suda; Seiya Ishihara; Atsushi Ogura, 17th Conference on Defect Recognition and Image, Processing in Semiconductors (DRIP XVII), 2017年10月10日
  197. Evaluation of anisotropic biaxial stress induced around trench gate of Si power transistor using water-immersion Raman spectroscopy, Takahiro Suzuki; Ryo Yokogawa; Kohei Oasa; Tatsuya Nishiwaki; Takeshi; Hamamoto; Atsushi Ogura, 7th Conference on Defect Recognition and Image, Processing in Semiconductors (DRIP XVII), 2017年10月10日
  198. 放射光X線回折を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性歪評価, 村上 達海; 須田 耕平; 高橋 祐樹; 吉岡 和俊; 日比野 祐介; 横川 凌; 広沢 一郎; 小椋 厚志, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月08日
  199. カーボンドープシリコンにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出, 吉岡 和俊; 村上 達海; 小孫 翔大; 横川 凌; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月08日
  200. バルクSiGeおよび液浸ラマン分光法を用いたSiGeフォノン変形ポテンシャルの導出, 横川 凌; 武内 一真; 村上 達海; 臼田 宏治; 米永 一郎; 小椋 厚志, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月08日
  201. 水浸ラマン分光法によるAr+イオン照射を施した酸化膜被覆型Si ナノワイヤの異方性二軸応力評価, 横川 凌; 橋本 修一郎; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月08日
  202. ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ結晶構造評価(Ⅱ), 鈴木 貴博; 横川 凌; 三野 伸晃; 高橋 和也; 小森 克彦; 森本 保; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月07日
  203. 室温での加水分解反応によるCu2O膜形成, 大山 翔平; 渡邉 匡人; 肥山 卓矢; 横川 凌; 小椋 厚志, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月
  204. ラマン分光法を用いたトレンチ近傍の異方性2軸応力評価, 鈴木 貴博; 横川 凌; 大麻 浩平; 西脇 達也; 浜本 毅司; 小椋 厚志, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月
  205. 水浸ラマン分光法による酸化膜被覆型Siナノワイヤの異方性二軸応力評価, 横川 凌; 鈴木 貴博; 橋本 修一郎; 麻田 修平; 富田 基裕; 渡邉 孝信; 小椋 厚志, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月
  206. 液浸ラマン分光法を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力のパターンサイズ依存性評価, 村上 達海; 武内 一真; 横川 凌; 須田 耕平; 石原 聖也; 小椋 厚志, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月
  207. Evaluation of controlled strain in silicon nanowire by UV Raman spectroscopy, Ryo Yokogawa; Shuichiro Hashimoto; Shuhei Asada; Motohiro Tomita; Takanobu Watanabe; Atsushi Ogura, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, 2016年11月
  208. In-Plane Biaxial Strain Evaluation Induced in Ge1-XSnx Films Using Oil-Immersion Raman Spectroscopy, Kazuma Takeuchi; Kohei Suda; Ryota Suzuki; Ryo Yokogawa; Naomi Sawamoto; Koji Usuda; Atsushi Ogura, Pacific Rim Meeting 2016 / 230th Electrochemical Society Meeting, 2016年10月06日
  209. ラマン分光法を用いた多結晶シリコン薄膜成膜プロセス依存の評価, 鈴木 貴博; 横川 凌; 高橋 和也; 小森 克彦; 森本 保; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月
  210. 液浸ラマン分光法を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力評価, 村上 達海; 武内 一真; 横川 凌; 須田 耕平; 石原 聖也; 小椋 厚志, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月
  211. SiGe薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起源の検討, 武内 一真; 小瀬村 大亮; 横川 凌; 澤本 直美; 臼田 宏治; 小椋 厚志, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月
  212. ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ構造評価, 横川 凌; 鈴木 貴博; 鈴木 涼太; 高橋 和也; 小森 克彦; 森本 保; 澤本 直美; 小椋 厚志, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月
  213. Crystallinity Evaluation of Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Using UV/Visible Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Kazuya Takahashi; Katsuhiko Komori; Yoshihiro Hitora; Naomi Sawamoto; Atsushi Ogura, 229th Electrochemical Society Meeting, 2016年05月
  214. 液浸ラマン分光法による歪Ge1-xSnxのフォノン変形ポテンシャル導出, 武内一真; 須田耕平; 山本章太郎; 横川凌; 小椋厚志, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月
  215. ラマン分光法及びイメージング法による低温多結晶シリコン薄膜の結晶性分布評価, 横川凌; 高橋和也; 小森克彦; 廣田良浩; 澤本直美; 小椋厚志, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月
  216. 液浸ラマン分光法によるGe基板上Ge1-xSnx薄膜の応力評価, 武内 一真; 山本 章太郎; 横川 凌; 澤本 直美; 須田 耕平; 石原 聖也; 小椋 厚志, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月
  217. UV励起光源を用いたラマン分光法及びライフタイム測定による多結晶シリコン薄膜の評価, 横川 凌; 鈴木 貴博; 小椋 厚志, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月
  218. Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy, Shotaro Yamamoto; Kazuma Takeuchi; Ryo Yokogawa; Motohiro Tomita; Daisuke Kosemura; Koji Usuda; Atsushi Ogura, 227th Electrochemical Society Meeting, 2015年05月
  219. On the Origin of the Gate Oxide Failure Evaluated by Raman Spectroscopy, Ryo Yokogawa; Motohiro Tomita; Toshikazu Mizukoshi; Takehiro Hirano; Kenichiro Kusano; Katsuhiro Sasaki; Atsushi Ogura, 227th Electrochemical Society Meeting, 2015年05月
  220. ゲート絶縁膜耐圧不良のラマン分光法による原因評価, 横川 凌; 富田 基裕; 水越 俊和; 平野 雄大; 草野 健一郎; 佐々木 克弘; 小椋 厚志, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月
  221. 局在プラズモン共鳴を用いたラマン分光法におけるひずみSi表面のAg粒子被覆率と信号増強の関係, 木嶋 隆浩; 山本 章太郎; 横川 凌; 武内 一真; 村上 達海; 小瀬村 太亮; 小椋 厚志, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月
  222. Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy, Shotaro Yamamoto; Daisuke Kosemura; S.Norhidayah C.M.Yusoff; Takahiro Kijima; Ryosuke Imai; Kazuma Takeuchi; Ryo Yokogawa; Koji Usuda; Atsushi Ogura, ECS and SMEQ Joint International Meeting, 2014年10月
  223. 液浸ラマン分光法を用いたTO/LOフォノンスペクトル励起による高Ge濃度歪SiGeメサ構造の異方性2軸応力緩和の観測, 山本 章太郎; 小瀬村 大亮; 富田 基裕; 武内 一真; 横川 凌; 臼田 宏冶; 小椋 厚志, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月
  224. 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価, 山本 章太郎; 小瀬村 大亮; 富田 基裕; 武内 一真; 横川 凌; 米倉 瑛介; 澤野 憲太郎; 野平 博司; 小椋 厚志, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月

受賞

  1. 2024年12月, スポンサー賞(東レエンジニアリング賞), SEMICON JAPAN アカデミアAward 2024
  2. 2024年09月, 第56回(2024年春季)応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会
  3. 2020年12月, 講演奨励賞, 第四回フォノンエンジニアリング研究会
  4. 2020年06月, Featured Article, Applied Physics Letters
  5. 2020年02月, 研究会活性化奨励賞, 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第25回)
  6. 2019年01月, 研究会活性化奨励賞, 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第24回)
  7. 2017年03月, 大学院長賞, 明治大学大学院
  8. 2015年03月, 電気電子生命学科学業成績優秀賞, 明治大学
  9. 2013年04月, 神保賞, 明治大学

外部資金

競争的資金等の採択状況

  1. 科学研究費助成事業, 斜入射X線非弾性散乱法によるGeおよびSi表面・界面のフォノン散乱解明に関する研究, 2024年04月, 2027年03月
    関連URL
  2. 第14回 一般財団法人キヤノン財団 「新産業を生む科学技術」, 偏析と転写によるゲルマニウムナノシート/絶縁膜積層基板の創出, 2023年04月, 2026年03月
  3. 科学研究費助成事業 若手研究, 温度可変ラマン分光法によるSiGe混晶の微視的な熱伝導機構解明に関する研究, 2021年04月, 2024年03月
    関連URL
  4. 科学研究費助成事業 研究活動スタート支援, 温度可変放射光X線回折による熱電発電Siデバイスの局所領域熱特性評価に関する研究, 2020年09月, 2022年03月
    関連URL
  5. 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費, ラマン分光オペランド測定による極微細熱電発電Ｓｉナノワイヤデバイスの熱伝導率評価, 2017年04月, 2020年03月
    関連URL

社会活動

委員会等委員歴

  1. Steering Committee, 2024年12月, International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF) 2025
  2. 最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員会, 2024年06月, 電気学会調査専門委員会
  3. 庶務幹事, 2023年04月, 公益社団法人 応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会
  4. 第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ実行委員, 2024年01月, 2024年11月, 公益社団法人 応用物理学会
  5. Organizing Committee, 2021年, 2022年, 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX)
  6. Steering Committee, 2020年, 2021年, International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF) 2021
  7. 最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員, 2024年12月, 2026年11月, （社）電気学会

学術雑誌論文査読歴

  1. 2025年, Silicon, その他, Referee
  2. 2024年, Applied Physics Letter, その他, Referee
  3. 2023年, Journal of Electronic Materials, その他, Referee
  4. 2020年, Japanese Journal Applied Physics, その他, Referee
  5. 2020年, ACS Omega, その他, Referee