東 清一郎Seiichirou Higashi

Last Updated :2017/06/01

所属・職名
大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学講座 教授
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メールアドレス
sehigahiroshima-u.ac.jp

基本情報

学位

  • 博士(工学) (東京農工大学)
  • 理学修士 (九州大学)

研究分野

  • 総合理工 / 応用物理学 / プラズマエレクトロニクス
  • 工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器

研究キーワード

  • 低温プロセス
  • 薄膜トランジスタ
  • 多結晶シリコン

教育活動

授業担当

  1. 2017年, 学部専門, セメスター(前期), 固体物性論
  2. 2017年, 学部専門, セメスター(前期), 電気磁気学演習I
  3. 2017年, 学部専門, セメスター(後期), 電子材料工学
  4. 2017年, 修士課程・博士課程前期, 通年, 集積回路・プロセス演習
  5. 2017年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 半導体集積科学特別研究 I
  6. 2017年, 修士課程・博士課程前期, 通年, 半導体集積科学特別研究 I
  7. 2017年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 半導体集積科学特別研究 I
  8. 2017年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 半導体集積科学特別研究 I
  9. 2017年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 半導体集積科学特別研究Ⅱ
  10. 2017年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 半導体集積科学特別研究Ⅱ
  11. 2017年, 博士課程・博士課程後期, 通年, 半導体集積科学特別研究Ⅱ
  12. 2017年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 半導体集積科学特別研究Ⅱ
  13. 2017年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 半導体集積科学特別研究Ⅱ
  14. 2017年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 半導体集積科学特別研究Ⅱ

研究活動

学術論文(★は代表的な論文)

  1. Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, APR 2011
  2. Investigation of silicon grain structure and electrical characteristics of TFTs fabricated using different crystallized silicon films by atmospheric pressure micro-thermal-plasma-jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 3号, MAR 2014
  3. Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 1号, JAN 2014
  4. Investigations on crack generation mechanism and crack reduction by buffer layer insertion in thermal-plasma-jet crystallization of amorphous silicon films on glass substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 1号, JAN 2015
  5. Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 4号, pp.04DA08-1-pp.04DA08-5, APR 2015
  6. High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 6号, pp.06GC01-1-pp.06GC01-8, JUN 2015
  7. Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 8号, pp.086503-1-pp.086503-7, AUG 2015

社会活動

委員会等委員歴

  1. JJAP特集号責任編集委員, 2014年01月, 2014年12月, 国際固体素子・材料コンファレンス事務局
  2. JJAP編集委員, 2013年04月, 2014年03月, (社)応用物理学会
  3. 応用物理学会 機関誌編集委員, 2014年04月, 2016年03月, (社)応用物理学会
  4. JJAP編集委員, 2014年04月, 2015年03月, (社)応用物理学会