東 清一郎Seiichirou Higashi

Last Updated :2018/11/01

所属・職名
大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学講座 教授
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メールアドレス
sehigahiroshima-u.ac.jp

基本情報

学位

  • 博士(工学) (東京農工大学)
  • 理学修士 (九州大学)

研究分野

  • 総合理工 / 応用物理学 / プラズマエレクトロニクス
  • 工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器

研究キーワード

  • 低温プロセス
  • 薄膜トランジスタ
  • 多結晶シリコン

教育活動

授業担当

  1. 2018年, 学部専門, 2ターム, 固体物性論
  2. 2018年, 学部専門, 4ターム, 電子材料工学
  3. 2018年, 修士課程・博士課程前期, 通年, 半導体集積科学特別研究 I
  4. 2018年, 修士課程・博士課程前期, 通年, 集積回路・プロセス演習
  5. 2018年, 修士課程・博士課程前期, セメスター(前期), 半導体物性工学
  6. 2018年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 半導体集積科学特別研究 I
  7. 2018年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 半導体集積科学特別研究Ⅱ
  8. 2018年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 半導体集積科学特別研究Ⅱ

研究活動

学術論文(★は代表的な論文)

  1. Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, APR 2011
  2. Native Oxidation Growth on Ge(111) and (100) Surfaces, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, APR 2011
  3. Formation of High-Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 8号, AUG 2011
  4. The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 6号, JUN 2011
  5. Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E94C巻, 5号, pp.699-pp.704, MAY 2011
  6. Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E94C巻, 5号, pp.717-pp.723, MAY 2011
  7. X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Interfacial Reactions between Metal and Ultrathin Ge Oxide, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 10号, OCT 2011
  8. Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium-Yttrium Mixed Oxide, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 10号, OCT 2011
  9. Fabrication of High-Performance Thin-Film Transistors on Glass Substrate by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet-Induced Lateral Crystallization Technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 2号, FEB 2012
  10. Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E95C巻, 5号, pp.879-pp.884, MAY 2012
  11. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 6号, JUN 2012
  12. High-Quality SiO2/Si Interface Formation and Its Application to Fabrication of Low-Temperature-Processed Polycrystalline Si Thin-Film Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 41巻, 6A号, pp.3646-pp.3650, 20020601
  13. レーザーアニールにおけるシリコン膜の極短時間溶融・固化現象と膜物性, レーザー研究, 31巻, 1号, pp.26-pp.32, 20030101
  14. Pulsed-Laser-Induced Microcrystallization and Amorphization of Silicon Thin Films, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 2A号, pp.480-pp.485, 20010201
  15. Low Temperature Formation of Device Quality SiO2/Si Interfaces Using Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 6A号, pp.4171-pp.4175, 20010601
  16. Electrical Properties of Pulsed Laser Crystallized Lightly Doped Polycrystalline Silicon Films, Japanese Journal of Applied Physics, 38巻, 8A号, pp.L857-L860, 19990801
  17. Improvement of Electrical Properties of Pulsed Laser Crystallized Silicon Films by Oxygen Plasma Treatment, Japanese Journal of Applied Physics, 39巻, 4A号, pp.1656-pp.1659, 20000401
  18. Development of High-Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors (TFTs) Using Defect Control Process Technologies, IEEE Electron Device Letters, 23巻, 7号, pp.407-pp.409, 20020701
  19. Stress in Pulsed-Laser Crystallized Silicon Films, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 2A号, pp.731-pp.735, 20010201
  20. Heat Treatment with High-Pressure H2O Vapor of Pulsed Laser Crystallized Silicon Films, Japanese Journal of Applied Physics, 39巻, 7A号, pp.3883-pp.3887, 99990101
  21. Electrical Properties of Pulsed Laser Crystallized Silicon Films, European Journal of Applied Physiology, 38巻, 4A号, pp.1892-pp.1897, 19990401
  22. High Quality Gate-SiOx and SiOx/Si Interface Formation at Low Temperature Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, Jpn. J. Appl. Phys., 42巻, pp.L814-L817, 20030401
  23. Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation, Phys. Status Solidi, C7巻, 3-4号, pp.732-pp.734
  24. Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals, ECS Trans, 33巻, 6号, pp.253-pp.262
  25. Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Ge Microliquid, ECS Trans, 33巻, 6号, pp.165-pp.170
  26. 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化, 「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」 プラズマ・核融合学会誌, 85巻, 3号, pp.119-pp.123, 20090301
  27. Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion, ECS Trans, 50巻, 9号, pp.449.-pp.457
  28. Grain Growth Control during Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation Using Amorphous Si Strips and Slit Masks, ECS Trans, 50巻, 8号, pp.29-pp.34
  29. Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface, J. Phys.Conf. Series, 417巻, 1号
  30. Layer Transfer and Simultaneous Activation of Phosphorous Atoms in Silicon Films by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation, Mat. Res. Soc.Symp. Proc., 1426巻
  31. Layer Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Si Films with Mid-Air Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation, ECS Trans, 50巻, 8号, pp.pp. 43-48, 20121001
  32. Electrical characterization of Ge microcrystallites by atomic force microscopy using a conducting probe, THIN SOLID FILMS, 457巻, 1号, pp.103-pp.108, JUN 1 2004
  33. Impact of rapid thermal O-2 anneal on dielectric stack structures of hafnium aluminate and silicon dioxide formed on Si(100), JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 43巻, 11B号, pp.7831-pp.7836, NOV 2004
  34. Characterization of interfacial oxide layers in heterostructures of hafnium oxides formed on NH3-nitrided Si(100), JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 43巻, 11B号, pp.7890-pp.7894, NOV 2004
  35. Characterization of atom diffusion in polycrystalline Si/SiGe/Si stacked gate, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E88C巻, 4号, pp.646-pp.650, APR 2005
  36. Application of plasma jet crystallization technique to fabrication of thin-film transistor, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44巻, 1-7号, pp.L108-pp.L110, 2005
  37. Characterization of germanium nanocrystallites grown on SiO2 by a conductive AFM probe technique, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E88C巻, 4号, pp.705-pp.708, APR 2005
  38. A new crystallization technique of Si films on glass substrate using thermal plasma jet, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp.8-pp.11, MAY 15 2005
  39. Formation of microcrystalline germanium (mu c-Ge : H) films from inductively coupled plasma CVD, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp.12-pp.15, MAY 15 2005
  40. Influence of substrate dc bias on crystallinity of silicon films grown at a high rate from inductively-coupled plasma CVD, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp.39-pp.42, MAY 15 2005
  41. Control of the nucleation density of Si quantum dots by remote hydrogen plasma treatment, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp.75-pp.78, MAY 15 2005
  42. Pulsed laser crystallization of very thin silicon films, THIN SOLID FILMS, 487巻, 1-2号, pp.63-pp.66, SEP 1 2005
  43. Crystallization of Si films on glass substrate using thermal plasma jet, THIN SOLID FILMS, 487巻, 1-2号, pp.122-pp.125, SEP 1 2005
  44. Pulsed laser annealing of thin silicon films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45巻, 4A号, pp.2437-pp.2440, APR 2006
  45. In-situ observation of rapid crystalline growth induced by excimer laser irradiation to Ge/Si stacked structure, THIN SOLID FILMS, 508巻, 1-2号, pp.53-pp.56, JUN 5 2006
  46. Characterization of electronic charged states of P-doped Si quantum dots using AFM/Kelvin probe, THIN SOLID FILMS, 508巻, 1-2号, pp.186-pp.189, JUN 5 2006
  47. Decay characteristics of electronic charged states of Si quantum dots as evaluated by an AFM/Kelvin probe technique, THIN SOLID FILMS, 508巻, 1-2号, pp.190-pp.194, JUN 5 2006
  48. Crystallization of Si in millisecond time domain induced by thermal plasma jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45巻, 5B号, pp.4313-pp.4320, MAY 2006
  49. Analysis of transient temperature profile during thermal plasma jet annealing of si films on quartz substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45巻, 5B号, pp.4355-pp.4357, MAY 2006
  50. Control of substrate surface temperature in millisecond annealing technique using thermal plasma jet, THIN SOLID FILMS, 515巻, 12号, pp.4897-pp.4900, APR 23 2007
  51. Growth of crystallized ge films from VHF inductively-coupled plasma of H-2-diluted GeH4, THIN SOLID FILMS, 515巻, 12号, pp.4971-pp.4974, APR 23 2007
  52. Evaluation of dielectric reliability of ultrathin HfSiOxNy in metal-gate capacitors, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E90C巻, 5号, pp.962-pp.967, MAY 2007
  53. Melting and solidification of microcrystalline Si films induced by semiconductor diode laser irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 3B号, pp.1276-pp.1279, MAR 2007
  54. Characterization of chemical bonding features and defect state density in HfSiOxNy/SiO2 gate stack, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 84巻, 9-10号, pp.2386-pp.2389, SEP-OCT 2007
  55. Nucleation study of hydrogenated microcrystalline silicon (mu c-Si : H) films deposited by VHF-ICP, THIN SOLID FILMS, 516巻, 11号, pp.3497-pp.3501, APR 1 2008
  56. Crystallization of amorphous Ge films induced by semiconductor diode laser annealing, THIN SOLID FILMS, 516巻, 11号, pp.3595-pp.3600, APR 1 2008
  57. Effect of He addition on the heating characteristics of substrate surface irradiated by Ar thermal plasma jet, THIN SOLID FILMS, 516巻, 11号, pp.3680-pp.3683, APR 1 2008
  58. In-situ measurement of temperature variation in Si wafer during millisecond rapid thermal annealing induced by thermal plasma jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp.2460-pp.2463, APR 2008
  59. Self-assembling formation of Ni nanodots on SiO2 induced by remote H-2 plasma treatment and their electrical charging characteristics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp.3099-pp.3102, APR 2008
  60. Characterization of multistep electron charging and discharging of a silicon quantum dots floating gate by applying pulsed gate biases, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp.3103-pp.3106, APR 2008
  61. Growth of Si crystalline in SiOx films induced by millisecond rapid thermal annealing using thermal plasma jet, SOLID-STATE ELECTRONICS, 52巻, 3号, pp.377-pp.380, MAR 2008
  62. Progress on charge distribution in multiply-stacked Si quantum dots/SiO2 structure as evaluated by AFM/KFM, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E91C巻, 5号, pp.712-pp.715, MAY 2008
  63. Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 8号, pp.6949-pp.6952, AUG 2008
  64. Low temperature high-rate growth of crystalline Ge films on quartz and crystalline Si substrates from VHF inductively-coupled plasma of GeH(4), THIN SOLID FILMS, 517巻, 1号, pp.216-pp.218, NOV 3 2008
  65. Impact of impurity doping into Si quantum dots with Ge core on their electrical charging characteristics, THIN SOLID FILMS, 517巻, 1号, pp.306-pp.308, NOV 3 2008
  66. Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 48巻, 4号, APR 2009
  67. Characterization of interfacial reaction and chemical bonding features of LaOx/HfO2 stack structure formed on thermally-grown SiO2/Si(100), MICROELECTRONIC ENGINEERING, 86巻, 7-9号, pp.1650-pp.1653, JUL-SEP 2009
  68. Formation of High Crystallinity Silicon Films by High Speed Scanning of Melting Region Formed by Atmospheric Pressure DC Arc Discharge Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 3巻, 6号, 2010
  69. Formation of High-Quality SiO2 and SiO2/Si Interface by Thermal-Plasma-Jet-Induced Millisecond Annealing and Postmetallization Annealing, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 8号, AUG 2010
  70. Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 3号, 2010
  71. Activation of B and As in Ultrashallow Junction During Millisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 4号, 2010
  72. Formation mechanism of metal nanodots induced by remote plasma exposure, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 12巻, 3号, pp.626-pp.630, MAR 2010
  73. Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 3号, MAR 2011
  74. Characterization of chemical bonding features at metal/GeO2 Interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 88巻, 7号, pp.1549-pp.1552, JUL 2011
  75. Impact of insertion of ultrathin TaOx, layer at the Pt/TiO2 interface on resistive switching characteristics, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 88巻, 7号, pp.1152-pp.1154, JUL 2011
  76. Direct observation of grain growth from molten silicon formed by micro-thermal-plasma-jet irradiation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 101巻, 17号, OCT 22 2012
  77. Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp.674-pp.679, MAY 2013
  78. Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp.702-pp.707, MAY 2013
  79. Layer Transfer and Simultaneous Crystallization Technique for Amorphous Si Films with Midair Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 5号, MAY 2013
  80. Leading Wave Crystallization Induced by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation of Amorphous Silicon Films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 5号, MAY 2013
  81. Investigation of silicon grain structure and electrical characteristics of TFTs fabricated using different crystallized silicon films by atmospheric pressure micro-thermal-plasma-jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 3号, MAR 2014
  82. Highly-Crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 Very High Frequency Inductively-Coupled Plasma: Crystalline Nucleation Initiated by Ni Nanodots, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 11号, NOV 2013
  83. Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide Resistive Random Access Memories with Ti-Based Electrodes, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 11号, NOV 2013
  84. Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force, APPLIED PHYSICS LETTERS, 103巻, 23号, DEC 2 2013
  85. Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 1号, JAN 2014
  86. A technique for local area transfer and simultaneous crystallization of amorphous silicon layer with midair cavity by irradiation with near-infrared semiconductor diode laser, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 4号, APR 2014
  87. Fabrication of N-channel single crystalline silicon (100) thin-film transistors on glass substrate by meniscus force-mediated layer transfer technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 10号, OCT 2014
  88. Improvement in Characteristic Variability of TFTs Using Grain Growth Control by Micro Thermal Plasma Jet Irradiation on a-Si Strips, JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, 10巻, 11号, pp.950-pp.955, NOV 2014
  89. Investigations on crack generation mechanism and crack reduction by buffer layer insertion in thermal-plasma-jet crystallization of amorphous silicon films on glass substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 1号, JAN 2015
  90. Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 4号, pp.04DA08-1-pp.04DA08-5, APR 2015
  91. High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 6号, pp.06GC01-1-pp.06GC01-8, JUN 2015
  92. Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100), ECS Trans, 64巻, 6号, pp.423-pp.429, 2014/10/1
  93. Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique, ECS Trans, 64巻, 10号, pp.17-pp.22, 2014/10/1
  94. Effect of Grain Growth Control by Atmospheric Micro-Thermal- Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Strips on TFT Characteristics, ECS Trans, 64巻, 10号, pp.23-pp.29, 2014/10/1
  95. Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 8号, pp.086503-1-pp.086503-7, AUG 2015
  96. High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 4号, APR 2017
  97. Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 6号, JUN 2017
  98. Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 6号, JUN 2018
  99. Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by EBSD Pattern Analysis, Mat. Sci. Forum, 821-823巻, pp.391-pp.394
  100. Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC Employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer, Mat. Sci. Forum, 778-780巻, pp.649-pp.652
  101. XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100), Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 38巻, 3号, pp.353-pp.357
  102. Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes, ECS Trans.,, 58巻, 9号, pp.293-pp.300
  103. Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System, J. Phys. Conf. Ser.,, 417巻, 1号
  104. Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods, J. Phys,Conf. Ser.,, 417巻, 1号
  105. Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories, IEICE Trans. on Electronics, E92-C巻, 5号, pp.616-pp.619
  106. Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 surface, ECS Trans.,, 19巻, 22号, pp.35-pp.43
  107. Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique, Trans. MRS-J.,, 34巻, 2号, pp.309-pp.312
  108. Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory, ECS Trans.,, 16巻, 9号, pp.177-pp.182
  109. In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing, ECS Trans.,, 13巻, 1号, pp.31-pp.36
  110. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 6S号
  111. Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2,, ECS. Trans.,, 16巻, 10号, pp.255-pp.260
  112. Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots, Solid State Phenomena, 121-123巻, pp.557-pp.560
  113. Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique, Mat. Sci. Forum, 561-565巻, pp.1213-pp.1216
  114. High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartz from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2, Mat. Sci. Forum, 561-565巻, pp.1209-pp.1212
  115. Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crsytallized by Thermal Plasma Jet Irradiation, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 32巻, pp.465-pp.468
  116. Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor Using Plasma Jet Crystalliztion Technique, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 30巻, pp.283-pp.286
  117. Study of Charged States of Si Quantum Dots with Ge Core, Electrochem. Soc. Trans.,, 3巻, 7号, pp.257-pp.262
  118. Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp.133-pp.136
  119. Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp.137-pp.140
  120. Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp.145-pp.148
  121. Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp.153-pp.156
  122. Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp.157-pp.160
  123. Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp.125-pp.128
  124. Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation, J. of Surf. Sci. and Nanotech.,, 4巻, pp.174-pp.179
  125. Electrical Characterization of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Capacitors, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 30巻, pp.205-pp.208
  126. Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack, Electrochem. Soc. Trans.,, 1巻, 1号, pp.163-pp.172
  127. Single-grain Si TFTs with ECR-PECVD gate SiO2, IEEE Trans. Electron Devices,, 51巻, pp.500-pp.502
  128. Defect control Process Technologies for High-Performance Polycrystalline Si Thin-Film Transistor Fabrication, Solid State Phenomena, 93巻, pp.49-pp.54
  129. Analysis of free-carrier optical absorption used for characterization of microcrystalline silicon films, Solar Energy Mat. & Solar Cells, 66巻, pp.389-pp.395
  130. Characterization of pulsed laser crystallization of silicon thin film, Solar Energy Mat. & Solar Cells, 66巻, pp.381-pp.387
  131. Reduction of defects of polycrystalline silicon thin films by heat treatment with high-pressure H2O vapor, Solar Energy Mat. & Solar Cells, 66巻, pp.577-pp.583
  132. Stochastic Electron Acceleration by an Electron Cyclotron Wave Propagating in an Inhomogeneous Magnetic Field, J. Phys. Soc. Jpn.,, 65巻, 9号, pp.2860-pp.2866
  133. New Microwave Launcher for Producing ECR Plasmas without Window Contamination I. Excitation of Electron Cyclotron Wave, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 32巻, 4号, pp.1818-pp.1821
  134. Overdense Plasma Production Using Electron Cyclotron Waves, J. Phys. Soc. Jpn.,, 60巻, 5号, pp.1600-pp.1607

著書等出版物

  1. THIN FILM TRANSISTORS Materials and processes Volume 2 Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors , Kluwer Academic Publisher (Dordrecht), 2004年, 単行本(学術書), 共編著, d.g.ast o.bonnaud o-k.kwon i.lee y.lee t.mohammed-brahim t.sameshima m.s.shur s.uchikoga t.ytterdal b-d choi t.a.fjeldly s.j.fonash 東 清一郎 b.iniguez 石原 令子 j.jang y.kuo
  2. 大気圧プラズマの技術とプロセス開発, シーエムシー出版, 2011年, 08, 単行本(学術書), 共編著, 9784781304076
  3. 薄膜トランジスタ, コロナ社, 2008年, 11, 単行本(学術書), 共著, 9784339008029
  4. 低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発-システムオンパネルを目指して-, 熱プラズマジェットを用いた結晶化技術, シーエムシー出版, 2007年, 02, 単行本(学術書), 共編著, 978-4-88231-678-7

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. Atmospheric Pressure Plasma Processing and Layer Transfer Technique for Thin-Film Device Fabrication on Glass and Plastic Substrates, 2014年05月18日, 招待, 英語
  2. 大気圧プラズマを用いた急速熱処理技術と半導体デバイスプロセスへの応用, 東 清一郎, 平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, 2015年01月24日, 招待, 日本語
  3. 半導体薄膜の結晶成長とデバイス応用, 東 清一郎, 第59回物性若手夏の学校 , 2014年08月01日, 招待, 日本語
  4. メニスカス力を用いた単結晶シリコン薄膜転写技術とそのデバイス応用, 東 清一郎, シリコン材料・デバイス研究会, 2014年04月10日, 招待, 日本語
  5. Silicon CMOS on glass and plastic - Crystallization and layer transfer approaches -, S. Higashi, Semiconductor Tech. Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors V, 2015年06月14日, 招待, 英語
  6. 熱プラズマジェット(TPJ)を用いた熱処理技術の開発と電子デバイスプロセスへの応用, 東 清一郎, 日本真空学会2015年11月研究例会, 2015年11月17日, 招待, 日本語
  7. Activation of Impurity Atoms in 4H-SiC Wafer by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation, S. Higashi, 16th International Workshop on Junction Technology (IWJT2016 ), 2016年05月09日, 招待, 英語
  8. Atmospheric pressure micro-thermal-plasma-jet irradiation on amorphous germaniumstrips and its application to thin film transistor fabrication, S. Higashi, H. Harada, T. Nakatani, 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), 2016年07月04日, 通常, 英語
  9. 超ハイパワー熱プラズマジェットによる核生成制御, 東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会 山陰特別研究会(土屋教授退職記念), 2017年03月21日, 通常, 日本語
  10. 熱プラズマジェットによる超急速熱処理と半導体デバイス応用, 東 清一郎, 日本物理学会 第72回年次大会(2017年), 2017年03月17日, 招待, 日本語
  11. 超ハイパワー大気圧プラズマジェットによる急速熱処理と単結晶シリコン成長技術への応用, 東 清一郎, エコ薄膜研究会, 2017年01月30日, 招待, 日本語
  12. 大気圧プラズマによるIV 族半導体薄膜の結晶成長と欠陥制御, 東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 招待, 日本語
  13. 単結晶シリコン薄膜転写技術によるプラスチック上CMOS回路動作, 東 清一郎, 有機エレクトロニクス研究会, 2017年11月24日, 招待, 日本語
  14. 大気圧熱プラズマ結晶化および単結晶薄膜転写によるガラスおよびプラスティック上の高性能薄膜トランジスタ作製, 東 清一郎、林 将平、森崎 誠司、赤澤 宗樹、酒池 耕平, 第75回 応用物理学会学術講演会, 2014年09月17日, 通常, 日本語
  15. Low Temperature Formation of SiNx Encapsulation Films by Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, S. Higashi, M. Wei, T. Kanamaru, 24th Int.Display Workshops (IDW'17), 2017年12月06日, 通常, 英語
  16. Nitrogen-boosted Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Generation and Its Application to Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass, Int. Thin-Film Transistor Conf. (ITC2018), 2018年02月28日, 招待, 英語
  17. Low-Temperature Formation of Single-Crystalline Silicon on Glass and Plastic Substrates and Its Application to MOSFET Fabrication, S. Higashi, K. Sakaike, S. Hayashi, S. Morisaki, M. Akazawa, S. Nakamura, and T. Fukunaga, Int. Display Workshops (IDW'13), 2013年12月04日, 招待, 英語
  18. Growth Control of Crystalline Silicon during Microsecond Phase Transformation and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication, S. Higashi, S. Hayashi, S. Morisaki, and Y. Fujita, AMFPD13, 2013年06月26日, 招待, 英語
  19. Application of Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet to Ultra Rapid Thermal Annealing for Semiconductor Device Fabrication, S. Higashi, Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2012), 2012年05月14日, 招待, 英語
  20. Rapid Thermal Annealing by Atmospheric Pressure Micro-thermal–Plasma–jet and Its Application to Thin FilmTransistor Fabrication –Crystallization Doping, and Reliability Improvement, S. Higashi, 2012 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, 2012年04月09日, 招待, 英語
  21. Fabrication of High Performance TFTs by Atmospheric Pressure Micro-thermal-plasma-jet Induced Lateral Crystallization Technique, S. Higashi, S. Hayashi, Y. Nishida, and R. Matsubara, 2011 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, 2011年04月25日, 通常, 英語
  22. Millisecond Annealing Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultra Shallow Junction Formation, S. Higashi, 2010 Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2010), 2010年05月10日, 招待, 英語
  23. Control of Growth Orientation during Rapid Solidification of Si Microliquid, S. Higashi, N. Koba, T. Matsumoto, and S. Miyazaki, 23rd Int. Conf. Amorphous Nanocrystalline Semiconductors (ICANS23), 2009年08月23日, 通常, 英語
  24. Millisecond Thermal Processing for TFT and ULSI, S. Higashi, Semiconductor Tech. Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors II, 2009年07月05日, 招待, 英語
  25. Application of Thermal Plasma Jet to Crystallization of Amorphous Si Films on Glass Substrate and Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, 6th Asian-European Int. Conf. Plasma Surf. Eng. (AEPSE 2007) Workshop on Flat-panel and Flexible Devices, 2007年09月28日, 招待, 英語
  26. Ultrarapid thermal annealing induced by DC arc discharge plasma jet its application, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, 5th Int. Symp. Nanotechnol. JAPAN NANO 2007, 2007年02月20日, 通常, 英語
  27. Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Irradiation, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, Fifth Hiroshima Int. Workshop Nanoelectronics for Tera-Bit Information Processing, 2007年01月29日, 通常, 英語
  28. Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki, 3rd Int. TFT Conf., 2007年01月25日, 通常, 英語
  29. Ultrarapid Thermal Annealing Induced by Plasma Jet Irradiation and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, Int. 21st Century COE Symp. Atomistic Fabrication Tech., 2006年10月19日, 通常, 英語
  30. Rapid Thermal Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, 12th Int. Display Workshop/Asia Display 2005, 2005年12月06日, 招待, 英語
  31. Formation of Si Nano-Crystals by Millisecond Annealing of SiOx Films using Thermal Plasma Jet, S. Higashi, T. Okada, N. Fujii, N. Koba, H. Murakami, and S. Miyazaki, Fourth Hiroshima Int. Workshop Nanoelectronics Tera-Bit Information Processing, 2005年09月16日, 通常, 英語
  32. Rapid Thermal Annealing of Thin Films in Millisecond Time Domain Using Thermal Plasma Jet, S. Higashi, AM-LCD 05, 2005年07月06日, 招待, 英語
  33. Crystallization of Amorphous Si Films on Glass Substrate Using Plasma Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Taniguchi, H. Murakami, and S. Miyazaki, 3rd Hiroshima Int. Workshop Nanoelectronics Tera-Bit Information Processing, 2004年12月06日, 通常, 英語
  34. Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet, S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, and S. Miyazaki, Int. Conf. Polycrystalline Semiconductors 2004 (POLYSE), 2004年09月05日, 通常, 英語
  35. Crystallization of Si Thin Film Using Thermal Plasma Jet and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Ando, and T. Sameshima, AM-LCD 04, 2004年08月25日, 通常, 英語
  36. Interface – The Key to High-Performance Poly-Si TFT Fabrication, S. Higashi, D. Abe, K. Miyashita, T. Kawamura, S. Inoue, and T. Shimoda, 2003年05月18日, 招待, 英語
  37. Defect control Process Technologies for High-Performance Polycrystalline Si Thin-Film Transistor Fabrication,, S. Higashi, D. Abe, Y. Hiroshima, K. Miyashita, T. Kawamura, S. Inoue, and T. Shimoda, 7th Int. Conf. Polycrystalline Semiconductors VII (POLYSE VII), 2002年09月10日, 通常, 英語
  38. Effect of SiO2/Si Interface Quality on the Performance of Polycrystalline Si Thin-Film Transistor, S. Higashi, D. Abe, Y. Hiroshima, K. Miyashita, T. Kawamura, S. Inoue, and T. Shimoda, AM-LCD 02, 2002年07月10日, 通常, 英語
  39. Low Temperature Process Technologies and Their Application to Polycrystalline Si Thin-Film Transistor Fabrication, S. Higashi, D. Abe, S. Inoue, and T. Shimoda, AM-LCD 01, 2001年07月11日, 通常, 英語
  40. Pulsed-Laser-Induced Microcrystallization and Amorphization of Silicon Thin Films, S. Higashi, S. Inoue, T. Shimoda and T. Sameshima, AM-LCD 01, 2001年07月11日, 通常, 英語
  41. Low Temperature Process Technologies for The Next Generation High Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors, S. Higashi, D. Abe, S. Inoue and T. Shimoda, Mat. Res. Soc. Symp., 2001年04月16日, 招待, 英語
  42. Low Temperature Formation of Device Quality MOS Interface Using SiO Evaporation in Oxygen Radical Atmosphere, S. Higashi, D. Abe, Y. Tsunoda and T. Sameshima, Tech. Pap. AM-LCD 2000, 2000年07月12日, 通常, 英語
  43. Electrical Properties of Excimer Laser Crystallized Polycrystalline Silicon Films, S. Higashi, Tech. Pap. AM-LCD 99, 1999年07月14日, 招待, 英語
  44. A 1.8-in. Poly-Si TFT-LCD for HDTV Projectors with a 5-V Fully Integrated Driver, S. Higashi, Y. Matsueda, S. Takenaka, M. Miyasaka, I. Yudasaka, and H. Ohshima, Society for Information Display 95, 1995年05月16日, 通常, 英語
  45. 大気圧熱プラズマジェットを用いた急速熱処理技術と半導体デバイスプロセス応用, 東 清一郎, 平成24年度 第1回電子デバイス事業化フォーラム, 2012年07月07日, 招待, 日本語
  46. DCアーク放電大気圧プラズマジェットによる半導体薄膜結晶成長, 東 清一郎, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月29日, 招待, 日本語
  47. 大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用, 東 清一郎, 電子情報通信学会SDM研究会, 2010年04月23日, 招待, 日本語, 沖縄
  48. 結晶化・相変化への応用 熱プラズマジェットによるアモルファスシリコンの結晶化, 東 清一郎, 第31回真空展 VACUUM2009 併設真空トピックス, 日本真空協会9月研究例会, スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第115回定例研究会, 2009年09月16日, 招待, 日本語
  49. TFTの基礎, 東 清一郎, 第5回SID日本支部サマーセミナー, 2009年08月03日, 招待, 日本語
  50. 熱プラズマジェットによるミリ秒急速熱処理とその半導体プロセス応用, 東 清一郎, 第44回応用物理学会スクール, 2009年04月01日, 招待, 日本語, 筑波大学
  51. Poly-Si TFT 新たなSi膜結晶化法(熱プラズマジェット法), 東 清一郎, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月04日, 招待, 日本語, 北海道工業大学
  52. 熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理技術のTFT作製プロセス応用, 東 清一郎, 半導体界面制御技術第154委員会第58回研究会, 2007年05月16日, 招待, 日本語, 首都大学東京
  53. 短時間局所熱処理技術を用いたアモルファスSi膜の結晶化とデバイス応用, 東 清一郎, 第31回アモルファス物質の物性と応用セミナー, 2004年11月25日, 招待, 日本語, 金沢
  54. 大気圧プラズマジェット照射急速熱処理によるナノドットおよび極浅接合形成, 東 清一郎, 第133回シリコンテクノロジー, 2011年02月18日, 通常, 日本語, 東京大学浅野キャンパス
  55. SiOx薄膜のミリ秒熱処理によるSiナノ結晶作製, 東 清一郎、藤井 直人、岡田 竜弥、木庭 直浩、村上 秀樹、宮崎 誠一, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月07日, 通常, 日本語, 徳島大学
  56. 熱プラズマジェットによる薄膜の短時間熱処理技術, 東 清一郎、加久 博隆、谷口 弘、村上 秀樹、宮崎 誠一, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年03月28日, 通常, 日本語, 東京工科大学
  57. 間接加熱法を用いたSi膜結晶化プロセスの検討, 東 清一郎、井上 聡、下田 達也, 第50回応用物理関係連合講演会, 2003年03月, 通常, 日本語
  58. 欠陥制御プロセスを用いた高性能poly-Si TFTの作製, 東 清一郎、安部 大介、広島 安、川村 高広、宮下 一幸、井上 聡、下田 達也, 第49回応用物理関係連合講演会, 2002年03月, 通常, 日本語
  59. エキシマレーザー結晶化におけるシリコン薄膜の溶融・固化過程のその場観測II, 東 清一郎、鮫島 俊之, 第47回応用物理学関係連合講演会, 2000年03月, 通常, 日本語
  60. SiO蒸着法を用いた低温SiO2膜形成, 東 清一郎、角田 義幸、鮫島 俊之, 第47回応用物理学関係連合講演会, 2000年03月, 通常, 日本語
  61. エキシマレーザー結晶化微量ドープpoly-Si膜の評価, 東 清一郎、加納 善明、坂本 圭司、尾崎 健太郎、鮫島 俊之, 第46回応用物理学会学術講演会, 1999年03月, 通常, 日本語
  62. Low Temperature Process Technologies and "Process Integration," for High Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors, S. Higashi, Electrochem. Soc. Proc, 2000年10月23日, 招待, 英語, Phoenix, USA
  63. Meniscus Force Mediated Transfer of Single-Crystalline Silicon Thin Films on PET Substrate and Its Application to CMOS Circuit Fabrication, S. Higashi, 18th International Meeting on Information Display (IMID2018), 2018年08月28日, 招待, 英語, Busan, Korea

受賞

  1. 2015年04月14日, APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会会長

取得

  1. 特許権, 特許4265817, 2009年02月27日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  2. 特許権, 特許4322958, 2009年06月12日, 測定装置および測定方法
  3. 特許権, 特許4392045, 2009年10月16日, 発光素子およびその製造方法
  4. 特許権, 特許4441689, 2010年01月22日, 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法及びメモリ素子、発光素子
  5. 特許権, KR:10-0951305, 2010年03月29日, 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法
  6. 特許権, 特許4517144, 2010年05月28日, MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置
  7. 特許権, US:7768032, 2010年08月03日, 発光効率が向上可能な発光素子およびその製造方法
  8. 特許権, CN:ZL200680024509.3, 2010年08月18日, 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法
  9. 特許権, 特許4594971, 2010年09月24日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  10. 特許権, US:7812621, 2010年10月12日, 測定装置および測定方法
  11. 特許権, US:7829935, 2010年11月09日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  12. 特許権, US:7898020, 2011年03月01日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  13. 特許権, 特許4742279, 2011年05月20日, 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法
  14. 特許権, US:8419272, 2013年04月16日, TENPERATURE MEASURING DEVICE THERMAL TREATMENT DEVICE USING THE SAME,THEMPERATURE MEASURING METHOD(温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法)
  15. 特許権, US:8653518, 2014年02月18日, 半導体素子
  16. 特許権, CN:ZL200980134165.5, 2014年07月30日, 結晶製造装置、それを用いて製造された半導体デバイスおよびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  17. 特許権, 5626796, 2014年10月10日, 直列接続型ソーラーセル及びソーラーセルシステム
  18. 特許権, 5727696, 2015年04月10日, 半導体製造装置および半導体の製造方法
  19. 特許権, 5972605, 2016年/7月/2日, 半導体処理装置および半導体処理方法
  20. 特許権, 6078920, 2017年/1月/2日, 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス

外部資金

競争的資金等の採択状況

  1. 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP), プラスティック上で実現する単結晶シリコンCMOS技術, 2015年01月01日, 2015年12月31日
  2. 最先端・次世代研究開発支援プログラム, 超高密度大気圧熱プラズマジェットを用いた半導体単結晶薄膜成長と大面積電子デバイス応用, 2011年02月10日, 2014年03月31日
  3. プラズマジェットを用いたアモルファスSi膜結晶化技術の薄膜トランジスタ製造プロセス応用, 2005年
  4. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), マイクロ熱プラズマジェット照射による四族半導体単結晶ナノ薄膜成長, 2010年, 2012年
  5. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), Ge-Si系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御とエレクトロルミネッセンス, 2009年, 2012年
  6. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), 超急速熱処理における非接触温度測定と不純物の短時間活性化に関する研究, 2007年, 2009年
  7. 科学研究費助成事業(特定領域研究), シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発, 2006年, 2009年
  8. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成, 2006年, 2008年
  9. 科学研究費助成事業(萌芽研究), PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス, 2005年, 2006年
  10. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), 自己組織化シリコン系量子ドットにおけるスーパーアトム構造の創成と電子状態制御, 2003年, 2005年
  11. 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽研究), フレキシブル基板上の異種材料デバイス混載技術に関する研究, 2015年, 2016年
  12. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), 大気圧プラズマジェットを用いたフレキシブル基板上単結晶シリコンCMOS技術, 2016年, 2018年

社会活動

委員会等委員歴

  1. JJAP特集号責任編集委員, 2014年01月, 2014年12月, 国際固体素子・材料コンファレンス事務局
  2. JJAP編集委員, 2013年04月, 2014年03月, (社)応用物理学会
  3. 出版・論文委員, 2014年01月, 2017年03月31日, Dry Process Symposium
  4. 応用物理学会 機関誌編集委員, 2014年04月, 2016年03月, (社)応用物理学会
  5. JJAP編集委員, 2014年04月, 2015年03月, (社)応用物理学会
  6. 応用物理学会 機関誌編集委員, 2015年04月, 2016年03月, (社)応用物理学会
  7. JJAP編集委員, 2015年04月, 2016年03月, (社)応用物理学会
  8. 組織委員, 2017年04月, 2018年03月, 薄膜材料デバイス研究会
  9. 幹事, 2017年04月, 2018年03月, 応用物理学会中国四国支部

その他社会貢献活動(広大・部局主催含)

  1. IT社会を支える半導体技術, 広島大学, 高校生を対象とした公開講座「工学入門」, 2003年/08月/01日, 2003年/08月/07日
  2. 広島大学 学術講演会「NEXT 明日を拓く科学」, 大気圧プラズマを用いたグリーンテクノロジー, 2012年/03月/20日, 広島大学東千田町キャンパス
  3. 広島大学 学術講演会「NEXT 明日を拓く科学」, 大気圧プラズマを用いたグリーンイノベーション, 2012年/11月/03日, 広島大学東広島キャンパス
  4. 広島大学 学術講演会「NEXT 明日を拓く科学」, プラスティック上に集積回路や太陽電池をつくる, 2014年/03月/07日, 広島大学東広島キャンパス