三宅 正尭MASATAKA MIYAKE

Last Updated :2024/12/02

所属・職名
半導体産業技術研究所　准教授
ホームページ
https://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/
メールアドレス
masataka-miyakehiroshima-u.ac.jp
自己紹介
無線通信ネットワークに関する研究

基本情報

主な職歴

  • 2010年04月01日, 2011年03月31日, 広島大学, ＨｉＳＩＭ研究センター, 助教
  • 2011年04月01日, 2013年04月30日, 広島大学, ＨｉＳＩＭ研究センター, 講師
  • 2013年05月01日, 2024年03月31日, 広島大学, ＨｉＳＩＭ研究センター, 准教授
  • 2024年04月01日, 広島大学, 半導体産業技術研究所, 准教授

学位

  • 博士（工学）　(広島大学)
  • 修士（工学）　(広島大学)

教育担当

  • 【学士課程】 工学部 : 第二類（電気電子・システム情報系） : 電子システムプログラム
  • 【博士課程前期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム
  • 【博士課程後期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム

担当主専攻プログラム

  • 電子システムプログラム

研究分野

  • 工学 / 電気電子工学 / 通信・ネットワーク工学

研究キーワード

  • 無線通信システム・ネットワーク, 無線信号処理, 無線通信アーキテクチャ, 電波伝搬, 耐災害, 宇宙応用

所属学会

  • IEEE Power Electronics Society, 2010年
  • IEEE Electron Devices Society, 2011年
  • IEEE Industry Applications Society, 2011年

教育活動

授業担当

  1. 2024年, 学部専門, 通年, 卒業論文
  2. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ３ターム, パワーエレクトロニクス特論
  3. 2024年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（前期）, 電子工学セミナーA
  4. 2024年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（後期）, 電子工学セミナーB
  5. 2024年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  6. 2024年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, 電子工学特別演習A
  7. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ２ターム, 電子工学特別演習A
  8. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ３ターム, 電子工学特別演習B
  9. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ４ターム, 電子工学特別演習B
  10. 2024年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  11. 2024年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 量子物質科学特別研究

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. A carrier-transit-delay-based nonquasi-static MOSFET model for circuit simulation and its application to harmonic distortion analysis, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 53巻, 9号, pp. 2025-2034, 200609
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  2. HiSIM2 circuit simulation - Solving the speed versus accuracy crisis, IEEE CIRCUITS & DEVICES, 22巻, 5号, pp. 29-38, 2006
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  3. Laterally diffused metal oxide semiconductor model for device and circuit optimization, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 2560-2563, 200804
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  4. Frequency dependence of measured metal oxide semiconductor field-effect transistor distortion characteristic, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 2610-2615, 200804
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  5. Capability of Electrothermal Simulation for Automotive Power Application Using Novel Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Model, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 48巻, 4号, 200904
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  6. ★, Non-Quasi-Static Carrier Dynamics of MOSFETs under Low-Voltage Operation, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E92C巻, 5号, pp. 608-615, 200905
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  7. ★, Degraded Frequency-Tuning Range and Oscillation Amplitude of LC-VCOs due to the Nonquasi-Static Effect in MOS Varactors, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E92C巻, 6号, pp. 777-784, 200906
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  8. Effect of Carrier Transit Delay on Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Switching Performance, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 4号, 2010
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  9. Universal Relationship between Substrate Current and History Effect in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, 201104
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  10. Modeling of Reduced Surface Field Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor for Accurate Prediction of Junction Condition on Device Characteristics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, 201104
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  11. Quasi-2-Dimensional Compact Resistor Model for the Drift Region in High-Voltage LDMOS Devices, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 58巻, 7号, pp. 2072-2080, 201107
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  12. Compact Modeling of Expansion Effects in LDMOS, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E95C巻, 11号, pp. 1817-1823, 201211
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  13. Analysis and Modeling of Geometry Dependent Thermal Resistance in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 4号, 201304
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  14. The Second-Generation of HiSIM_HV Compact Models for High-Voltage MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60巻, 2号, pp. 653-661, 201302
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  15. Modeling of the Impurity-Gradient Effect in High-Voltage Laterally Diffused MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60巻, 2号, pp. 684-690, 201302
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  16. Modeling of Trench-Gate Type HV-MOSFETs for Circuit Simulation, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 744-751, 201305
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  17. Compact Modeling of Floating-Base Effect in Injection-Enhanced Insulated-Gate Bipolar Transistor Based on Potential Modification by Accumulated Charge, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 4号, 201304
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  18. Modeling of NBTI Stress Induced Hole-Trapping and Interface-State-Generation Mechanisms under a Wide Range of Bias Conditions, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 10号, pp. 1339-1347, 201310
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  19. Compact Modeling of SOI MOSFETs With Ultrathin Silicon and BOX Layers, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 61巻, 2号, pp. 255-265, 201402
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  20. Compact modeling of injection-enhanced insulated-gate bipolar transistor for accurate circuit switching prediction, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 4号, 201404
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  21. Compact Modeling of Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor Valid for Optimization of Switching Frequency, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E97C巻, 10号, pp. 1021-1027, 201410
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  22. Degradation of 4H-SiC IGBT threshold characteristics due to SiC/SiO2 interface defects, SOLID-STATE ELECTRONICS, 101巻, pp. 126-130, 201411
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  23. EV/HV電気回路シミュレーション用HiSIM-IGBTモデル開発, 電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会, 2011巻, 158号, pp. 91-95, 20111027
  24. EV/HV電気回路シミュレーション用HiSIM-IGBTモデル開発, 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会, 2011巻, 66号, pp. 91-95, 20111027
  25. 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 109巻, 278号, pp. 23-27, 20091105
  26. ★, Modeling of SiC IGBT Turn-Off Behavior Valid for Over 5-kV Circuit Simulation, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60巻, 2号, pp. 622-629, 2013
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  27. ★, HiSIM-IGBT: A Compact Si-IGBT Model for Power Electronic Circuit Design, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60巻, 2号, pp. 571-579, 2013
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  28. ★, Surface-Potential-Based Metal–Oxide–Silicon-Varactor Model for RF Applications, Jpn J Appl Phys, 46巻, 4号, pp. 2091-2095, 20070430
  29. HiSIM2: Advanced MOSFET model valid for RF circuit simulation, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 53巻, 9号, pp. 1994-2007, 2006
  30. Unified Reaction-Diffusion Model for Accurate Prediction of Negative Bias Temperature Instability Effect, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 2号, 2012
  31. HiSIM-HV: A Compact Model for Simulation of High-Voltage MOSFET Circuits, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 57巻, 10号, pp. 2671-2678, 2010
  32. Dynamic-Carrier-Distribution-Based Compact Modeling of p-i-n Diode Reverse Recovery Effects, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 2号, 2012
  33. ★, Compact Modeling of the p-i-n Diode Reverse Recovery Effect Valid for both Low and High Current-Density Conditions, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E95C巻, 10号, pp. 1682-1688, 2012
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  34. HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 110巻, 274号, pp. 53-57, 20101104
  35. MOSFETコンパクトモデルと今後の展開 : バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 109巻, 278号, pp. 1-6, 20091105

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. パワエレデバイスから電力システムまでの縦断的なシミュレーションの試み, 造賀 芳文, 三宅 正尭, MATLAB EXPO 2014 Japan, 2014年10月29日, 招待, 日本語, MathWorks, 東京
    Related URL
  2. Compact Modeling of the Reverse Recovery Effect in LDMOS Body Diode, M. Miyake, the 11th Int. Workshop on Compact Modeling (IWCM'14), 2014年01月, 招待, 英語, Singapore
  3. Compact Modeling of the Diode Reverse Recovery Effect for Leading Developments of Power Electronic Applications, M. Miyake, K. Matsuura, and A. Ueno, IEEE 10th Int. Conf. on ASIC (ASICON 2013), 2013年10月, 招待, 英語, IEEE, Shenzhen, China
  4. Surface-Potential-Based Power Device Modeling for Circuit Simulation and Its Applications, M. Miyake, SISPAD 2011 Companion Work Shop 2 on Prospects of Power Electronics and Power Devices, 2011年09月, 通常, 英語, Osaka
  5. Compact Modeling of the Punch-Through Effect in SiC-IGBT for 6.6kV Switching Operation with Improved Performance,, 三宅 正尭, The 9th European Conf. on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2012年, 通常, 英語
  6. Specific Features of SiC-IGBT with 13kV Switching, 三宅 正尭, The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 2012年, 通常, 英語
  7. Temperature Dependence of Switching Performance in IGBT Circuits and Its Compact Modeling, 三宅 正尭, The 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 2011年, 通常, 英語, IEEE, San Diego
  8. Reverse-Recovery-Effect Modeling for p-i-n Diodes, 三宅 正尭, The 9th Int'l Workshop on Compact Modeling (IWCM), 2012年, 通常, 英語
  9. Dynamic-Carrier-Distribution-Based Compact Modeling of P-i-N Diode Reverse Recovery Effect, Junichi Nakashima, Masataka Miyake, Mitiko Miura-Mattausch, Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2011年, 通常, 英語
  10. Modeling of Local Self-Heating Effect and Effective Temperature for Device Characteristics, 三宅 正尭, The 8th International Workshop on Compact Modeling (IWCM), 2011年, 通常, 英語
  11. The Flexible Compact SOI-MOSFET Model HiSIM-SOI Valid for Any Structural Types, Masataka Miyake, et al., Int'l Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2011年, 通常, 英語
  12. A study on voltage source converter with synchronizing power for power system stabilization, Yuki Nakamura, Yutaka Sasaki, Yoshifumi Zoka, Naoto Yorino, Shinya Sekizaki, Masataka Miyake, The International Conference on Electrical Engineering (ICEE2015), 2015年07月05日, 通常, 英語, Hong Kong, China
  13. 擬似同期化力インバータを用いた系統安定化, 関崎真也, 中村優希,佐々木豊,造賀芳文,三宅正尭,餘利野直人, 第58回自動制御連合講演会, 2015年11月14日, 通常, 日本語
  14. 系統安定化を目的とした擬似同期化力VSCに関する検討, 中村優希, 伊藤壮汰,関崎真也,佐々木豊,造賀芳文,餘利野直人,三宅正尭, 電気学会　平成27年電力・エネルギー部門大会, 2015年08月25日, 通常, 日本語, 名古屋

社会活動

委員会等委員歴

  1. 平成25年度スマートコミュニティ構想普及支援事業「石内東地区セーフティスマートコミュニティ推進検討委員会」・オブザーバ, 2013年, 2014年

その他社会貢献活動（広大・部局主催含）

  1. Brief Introduction of HiSIM-Diode, 広島大学, HiSIM Forum 2012, 2012年/03月/07日, 2012年/03月/07日, 助言・指導
  2. 回路シミュレーション用MOSFETモデル"HiSIM"の基本と、そのIGBTモデル等への展開およびSiCデバイスへの応用, 大阪大学GCOEプログラムIDERユニット, 大阪大学GCOEプログラムIDERユニットミニセミナー, 2011年/08月, 2011年/08月, 社会人・一般
  3. Surface-Potential-Based Power Device Modeling for Circuit Simulation and Its Applications, SISPAD2011, SISPAD2011 Companion Workshop, 2011年/09月, 2011年/09月

学術雑誌論文査読歴

  1. 2021年, IEEE Transactions on Power Electronics, その他, 1
  2. 2019年, IEEE Transactions on Power Electronics, その他, 1
  3. 2019年, Japanese Journal of Applied Physics, その他, 1
  4. 2018年, IEEE Transactions on Power Electronics, その他, 1
  5. 2018年, Japanese Journal of Applied Physics, その他, 1
  6. 2016年, IEEE Transactions on Power Electronics, その他, 2
  7. 2016年, IEEE Transactions on Electron Devices, その他, 1
  8. 2015年, IEEE Transactions on Power Electronics, その他, 3
  9. 2015年, Japanese Journal of Applied Physics, その他, 2
  10. 2014年, IEEE Transactions on Power Delivery, その他, 1
  11. 2012年, IEEE Transactions on Electron Devices, その他, 2
  12. 2012年, Trans Tech Publications: Materials Science Forum, その他, 2