天川 修平SHUHEI AMAKAWA

Last Updated :2025/05/16

所属・職名
大学院先進理工系科学研究科　教授
メールアドレス
amakawahiroshima-u.ac.jp

基本情報

学歴

  • ケンブリッジ大学, Department of Physics, 英国, 1999年04月, 2000年11月
  • 東京大学, 工学系研究科, 日本, 1995年04月, 2001年03月
  • 東京大学, 工学部, 日本, 1993年04月, 1995年03月
  • 東京大学, 教養学部, 理科I類, 日本, 1991年04月, 1993年03月

学位

  • 修士（物理学）　(ケンブリッジ大学)
  • 博士（工学）　(東京大学)
  • 修士（工学）　(東京大学)

研究分野

  • 工学 / 電気電子工学 / 通信・ネットワーク工学
  • 工学 / 電気電子工学 / 計測工学
  • 工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器

教育活動

授業担当

  1. 2025年, 教養教育, １ターム, 教養ゼミ
  2. 2025年, 学部専門, １ターム, 電磁波伝送工学
  3. 2025年, 学部専門, ２ターム, 半導体デバイス工学
  4. 2025年, 学部専門, 通年, 卒業論文
  5. 2025年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（前期）, 電子工学セミナーA
  6. 2025年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（後期）, 電子工学セミナーB
  7. 2025年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  8. 2025年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, 電子工学特別演習A
  9. 2025年, 修士課程・博士課程前期, ２ターム, 電子工学特別演習A
  10. 2025年, 修士課程・博士課程前期, ３ターム, 電子工学特別演習B
  11. 2025年, 修士課程・博士課程前期, ４ターム, 電子工学特別演習B
  12. 2025年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  13. 2025年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 量子物質科学特別研究

教育に関する受賞

  • 2022年03月17日, 電子情報通信学会教育功労賞, 電子情報通信学会

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. Modal TRL de-embedding of symmetric differential transmission lines with proper reference impedance matrix transformations, 104th ARFTG Microwave Measurement Conference, pp. 1-6, 20250121
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  2. Second-tier TRL-based characteristic impedance estimation using a longer thru, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), pp. 976-978, 20241120
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  3. Design and implementation of a 125 GHz active leaky wave antenna using CMOS technology with consistent power distribution, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), pp. 345-347, 20241119
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  4. Improved accuracy of evaluation of propagation constants in the millimeter-wave band with shared ground, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), pp. 103-105, 20241118
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  5. A 300-GHz-band 36-Gb/s scalable 2x2 2D phased-array CMOS receiver, Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), pp. 1-2, 20241118
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  6. Evaluation of transmission line properties on Si-CMOS chip by probe backside reflection method in millimeter-wave frequencies, IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ), pp. 80-83, 20241113
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  7. A 258-to-280-GHz 100-Gb/s CMOS transmitter element in 40-nm CMOS, European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), pp. 150-153, 20240923
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  8. Novel CMOS circuit for fuzzification: Implementing a sigmoid activation function in neural networks, International Conference on Electrical, Computer and Energy Technologies (ICECET), pp. 1-5, 20240725
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  9. A 20Gb/s QPSK receiver with mixed-signal carrier, timing, and data recovery using 3-bit ADCs, Custom Integrated Circuits Conference (CICC), pp. 10-4-1-10-4-2, 20240424
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  10. Nanoscale infrared polytype layer analysis and charge carrier profiling, Scientific Books of Abstracts, 8巻, pp. 278-279, 20240929
  11. Nanoscale permittivity analysis in s-SNOM using a black-box calibration method, International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, pp. 1-2, 20240901
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  12. Experimental study on transition loss of on-chip SIW interconnects and transmission lines using two de-embedding reference planes in 200 GHz band frequency, IEEE International Microwave Symposium, pp. 694-697, 20240616
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  13. A 300-GHz-band 40-Gb/s 2D phased-array CMOS transmitter with near-half-wave antenna pitch, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, pp. 335-338, 20240617
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  14. Calibration method for complex permittivity measurements using s-SNOM combining multiple probe tapping harmonics, Optics Express, 32巻, 13号, pp. 23882-23893, 20240614
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  15. 25.9-Gb/s 259-GHz phased-array CMOS receiver module with 28° steering range, IEEE Radio and Wireless Symposium, pp. 1-4, 20240122
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  16. Measurement and modeling for sub-THz CMOS design: Challenges and opportunities, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), pp. 864-866, 20231208
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  17. A 2D beam-steerable 252–285-GHz 25.8-Gbit/s CMOS receiver module, Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), pp. 1-3, 20231105
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  18. Implementation of low-loss sub-terahertz band substrate integrated waveguide-based interconnects and cavities in CMOS technology, XXXVth General Assembly and Scientific Symposium of the International Union of Radio Science (URSI GASS), pp. 1-4, 20230816
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  19. Analysis of the Wilkinson coupler under different input conditions, XXXVth General Assembly and Scientific Symposium of the International Union of Radio Science (URSI GASS), pp. 1-4, 20230819
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  20. A 58-%-lock-range divide-by-9 injection-locked frequency divider using harmonic-control technique, IEICE Transactions on Electronics, E106-C巻, 10号, pp. 529-532, 20231001
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  21. A 0.6-V 41.3-GHz power-scalable sub-sampling PLL in 55-nm CMOS DDC, IEICE Transactions on Electronics, E106-C巻, 10号, pp. 533-537, 20231001
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  22. Implementation of SIW cavity in commercial CMOS technology for sub-terahertz band applications, International Microwave Symposium, pp. 493-496, 20230611
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  23. Signal-flow-graph analysis of weakly nonlinear microwave circuits around a large-signal operating point, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 71巻, 9号, pp. 2722-2733, 20230901
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  24. Implementation of SIW cavity in commercial CMOS technology for sub-terahertz band applications, IEEE International Microwave Symposium (IMS), pp. 493-496, 20230611
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  25. Variable-temperature broadband noise characterization of MOSFETs for cryogenic electronics: From room temperature down to 3K, 7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), pp. 1-3, 20230310
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  26. A transparent band-pass-filtered reflector for IEEE Standard 802.15.3d, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), pp. 211-213, 20221129
  27. A 76-Gbit/s 265-GHz CMOS receiver with WR-3.4 waveguide interface, IEEE J. Solid-State Circuits, 57巻, 10号, pp. 2988-2998, 20221001
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  28. A 0.4-V 29-GHz-bandwidth power-scalable distributed amplifier in 55-nm CMOS DDC process, IEICE Trans. Electron., E105-C巻, 10号, pp. 561-564, 20221001
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  29. 29-to-65-GHz CMOS amplifier with tunable frequency response, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 63-65, 20220830
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  30. 254-GHz-to-299-GHz down conversion mixer using 45nm SOI CMOS, Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), pp. 1-4, 20220808
  31. Demonstration of non-invasive probing of CMOS devices with aluminum pads at frequencies up to 500 GHz, 99th Automatic RF Techniques Group Microwave Measurement Conference (ARFTG), pp. 1-4, 20220624
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  32. 300-GHz back-radiation on-chip-antenna measurement with electromagnetic-wave-absorption sheet, International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), pp. 1-5, 20220331
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  33. A 30-to-70-GHz CMOS amplifier for 300-GHz heterodyne receivers, Asia-Pacific Microwave Conference, pp. 184-186, 20211130
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  34. A 76-Gbit/s 265-GHz CMOS receiver, Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), pp. 1-3, 20211107
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  35. Variable-temperature noise characterization of N-MOSFETs using an in-situ broadband amplifier, IEEE Journal the Electron Devices Society, 9巻, pp. 1227-1236, 20210913
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  36. A 272-GHz CMOS analog BPSK/QPSK demodulator for IEEE 802.15.3d, European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), pp. 415-418, 20210913
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  37. A 258-GHz CMOS transmitter with phase-shifting architecture for phased-array systems, IEEE International Microwave Symposium (IMS), pp. 705-708, 20210607
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  38. 300-GHz-band OFDM video transmission with CMOS TX/RX modules and 40 dBi Cassegrain antenna toward 6G, IEICE Transactions on Electronics, E104-C巻, 10号, pp. 576-586, 20211001
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  39. A 32-Gb/s CMOS receiver with analog carrier recovery and synchronous QPSK demodulation, IEEE Microwave Components Letters, 31巻, 6号, pp. 768-770, 20210601
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  40. Direct white noise characterization of short-channel MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 68巻, 4号, pp. 1478-1482, 20210401
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  41. White noise characterization of N-MOSFETs for physics-based cryogenic device modeling, IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), pp. 1-3, 20210408
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  42. Narrowband and low-loss bandpass filter for 5G built of silica-based post-wall waveguide, 2020 50th European Microwave Conference (EuMC), pp. 559-562, 20210112
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  43. A 32-Gb/s CMOS Receiver With Analog Carrier Recovery and Synchronous QPSK Demodulation, IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 31巻, 6号, pp. 768-770, 202106
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  44. Theoretical study of optimal feedback LNA design, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 201-203, 20200904
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  45. 300-GHz CMOS-based wireless link using 40-dBi Cassegrain antenna for IEEE Standard 802.15.3d, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 161-163, 20200903
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  46. Effect of an electromagnetic wave absorber on 300-GHz short-range wireless communications, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 108-110, 20200902
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  47. Improvement method of power-added efficiency of multi-stage CMOS amplifiers in millimeter-wave band, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 35-37, 20200902
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  48. 300-GHz-band CMOS transmitter and receiver modules with WR-3.4 waveguide interface, IEEE MTT-S International Microwave Conference on Hardware and Systems for 5G and Beyond (IMC-5G), pp. 1-3, 20190815
  49. Theory of 2-port noise parameter transformation by lossless feedback and its application to LNA design, Thailand-Japan Microwave, pp. 1-2, 20190628
  50. Highly configurable cylindrical-resonator-based bandpass filter built of silica-based post-wall waveguide and its application to compact E-band hybrid-coupled diplexer, IEEE International Microwave Symposium, pp. 726-729, 201906
  51. A 6-mW-DC-power 300-GHz CMOS receiver for near-field wireless communications, IEEE International Microwave Symposium, pp. 504-507, 201906
  52. Wideband power-line decoupling technique for millimeter-wave CMOS integrated circuits, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, pp. 1-4, 20190529
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  53. Characteristic impedance determination up to THz frequencies in light of causality, Global Symposium on Millimeter Waves, pp. 50-52, 20190523
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  54. An 80Gb/s 300GHz-band single-chip CMOS transceiver, International Solid-State Circuits Conference, pp. 170-171, 20190219
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  55. Causal characteristic impedance determination using calibration comparison and propagation constant, 92nd Automatic RF Techniques Group Microwave Measurement Conference, pp. 1-6, 20190122
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  56. A -40-dBc integrated-phase-noise 45-GHz sub-sampling PLL with 3.9-dBm output and 2.1% DC-to-RF efficiency, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, pp. 175-178, 201906
  57. 300-GHz wireless data transmission system with low-SNR CMOS RF front end, Global Symposium on Millimeter Waves, pp. 47-49, 20190523
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  58. Half-mode-like parasitic transmission found in millimeter-wave bandpass filters realized in post-wall waveguide, European Microwave Conference in Central Europe, pp. 1-4, 201905
  59. テラヘルツ通信を実現する300GHz 帯CMOS 送信機モジュール, 電子情報通信学会論文誌C, J102-C巻, 12号, pp. 348-355, 20191201
  60. An 80-Gb/s 300-GHz-band single-chip CMOS transceiver, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 54巻, 12号, pp. 3577-3588, 20191201
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  61. Millimeter-wave CMOS amplifier with negative-capacitance feedback using half-wave transformer, International Symposium on Biomedical Engineering, pp. 192-193, 20191114
  62. An 80-Gb/s 300-GHz-Band Single-Chip CMOS Transceiver, IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 54巻, 12号, pp. 3577-3588, 201912
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  63. 無損失なフィードバック回路網を用いた低雑音増幅器の解析と設計, 第21 回IEEE 広島支部学生シンポジウム（HISS）, 20191130
  64. 300-GHz CMOS transmitter module with built-in waveguide transition on a multilayered glass epoxy PCB, IEEE Radio and Wireless Symposium (RWS), pp. 154-156, 20180116
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  65. 32-Gbit/s CMOS receivers in 300-GHz band, IEICE Transactions on Electronics, E101-C巻, 7号, pp. 464-471, 20180701
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  66. 低電源電圧ミリ波CMOS 回路, 電子情報通信学会論文誌C, J101-C巻, 9号, pp. 362-369, 20180901
  67. 300-GHz CMOS transceiver for terahertz wireless communication, Asia-Pacific Microwave Conference, pp. 1-3, 20181107
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  68. A 37-GHz-input divide-by-36 injection-locked frequency divider with 1.6-GHz lock range, Asian Solid-State Circuits Conference, pp. 219-222, 201811
  69. Temperature dependence of bandpass filters built of silica-based post-wall waveguide for millimeter-wave applications, European Microwave Conference, pp. 703-706, 20180926
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  70. 300-GHz CMOS receiver module with WR-3.4 waveguide interface, European Microwave Conference, pp. 396-399, 20180926
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  71. A 239–315 GHz CMOS frequency doubler designed by using a small-signal harmonic model, European Microwave Integrated Circuits Conference, pp. 109-112, 20180924
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  72. 79–85 GHz CMOS amplifier with 0.35V supply voltage, European Microwave Integrated Circuits Conference, pp. 37-40, 20180924
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  73. A 300-uW K-band oscillator with high-Q open-stub capacitor in 55-nm CMOS DDC, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, pp. 1-3, 201808
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  74. 伝送線路によるフィードバックを利用したニアfmax 増幅器の設計に関する考察, 電子情報通信学会技術報告, ICD2018-98号, pp. 147-152, 20181223
  75. 同軸線路の低周波S パラメータ測定結果にみられる異常に関する考察, 電子情報通信学会技術報告, MW2018-126号, pp. 73-78, 20181213
  76. Reactance padding を利用した高利得ニアfmax 増幅器の設計, 第20 回IEEE広島支部学生シンポジウム（HISS）, pp. 1-4, 201811
  77. Integrated-Circuit Approaches to THz Communications: Challenges, Advances, and Future Prospects, IEICE TRANSACTIONS ON FUNDAMENTALS OF ELECTRONICS COMMUNICATIONS AND COMPUTER SCIENCES, E100A巻, 2号, pp. 516-523, 201702
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  78. A 105Gb/s 300GHz CMOS transmitter, International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), pp. 308-309, 2017
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  79. DC and RF characterization　of RF MOSFET embedding structure, International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), pp. 103-107, 2017
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  80. Causal transmission line model incorporating frequency-dependent linear resistors, 21st IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), pp. 1-4, 2017
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  81. Prescriptions for identifying the definition of complex-referenced S-parameters in commercial EM simulators, The 38th PIERS in St Petersburg, pp. 264-265, 2017
  82. An 80–106 GHz CMOS amplifier with 0.5V supply voltage, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), pp. 308-311, 2017
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  83. 56-Gbit/s 16-QAM wireless link with 300-GHz-band CMOS transmitter, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), pp. 1-4, 2017
  84. A 32Gbit/s 16QAM CMOS receiver in 300GHz band, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), pp. 1-4, 2017
  85. How does my microwave/EM simulator define complex-referenced S-parameters?, Vietnam-Japan Microwave (VJMW), pp. 112-115, 20170614
  86. S パラメータ特論[I]—反射係数の二つの定義—, 電子情報通信学会誌, 100巻, 5号, pp. 381-386, 20170501
  87. S パラメータ特論[II]—S パラメータの諸性質—, 電子情報通信学会誌, 100巻, 6号, pp. 511-516, 20170601
  88. Sパラメータ特論[III・完]—基準インピーダンスの設定—, 電子情報通信学会誌, 100巻, 7号, pp. 655-661, 20170701
  89. Noise-figure optimization of a multi-stage millimeter-wave amplifier with negative capacitance feedback, Thailand-Japan Microwave (TJMW), pp. 1-2, 20170615
  90. A 416-mW 32-Gbit/s 300-GHz CMOS receiver, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 65-67, 2017
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  91. 2.37-dBm-output 288–310 GHz frequency multiplier in 40 nm CMOS, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 28-30, 2017
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  92. An E-band hybrid-coupled diplexer built of silica-based post-wall waveguide, European Microwave Conference (EuMC), pp. 819-822, 20171011
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  93. A 40 dB peak gain, wideband, low noise intermediate frequency (IF) amplifier, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), pp. 622-625, 2017
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  94. トランスの働きを持つ4 分の1 波長線路を利用したフィードバック増幅器の設計, 第19 回IEEE 広島支部学生シンポジウム（HISS）, pp. 1-3, 201711
  95. A 300GHz 40nm CMOS transmitter with 32-QAM 17.5Gb/s/ch capability over 6 channels, International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), pp. 342-343, 20160203
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  96. A QAM-capable 300-GHz CMOS transmitter, International Workshop on Smart Wireless Communications (SmartCom), pp. 39-46, 20160517
  97. 無損失かつ可逆なフィードバックを用いた高利得小信号増幅器の設計理論, 信学技報, 115巻, 476号, pp. 181-186, 20160304
  98. ミリ波帯デカップリング用低特性インピーダンス伝送線路の評価, 信学技報, 115巻, 476号, pp. 163-167, 20160304
  99. 300GHz 帯差動型マイクロストリップ線路-導波管変換器の設計, 信学技報, 115巻, 476号, pp. 169-173, 20160304
  100. 周波数3 逓倍器を用いたミキサーの理論解析, 信学技報, 115巻, 476号, pp. 175-179, 20160304
  101. Wireless digital data transmission from a 300 GHz CMOS transmitter, Electronics Letters, 52巻, 15号, pp. 1353-1355, 20160721
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  102. Millimeter-wave characteristics of coplanar waveguide on GaAs substrate, Thailand-Japan Microwave (TJMW), 20160609
  103. Scattered Reflections on Scattering Parameters -Demystifying Complex-Referenced S Parameters-, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E99C巻, 10号, pp. 1100-1112, 201610
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  104. Compact 141-GHz Differential Amplifier with 20-dB Peak Gain and 22-GHz 3-dB Bandwidth, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E99C巻, 10号, pp. 1156-1163, 201610
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  105. A 300 GHz CMOS Transmitter With 32-QAM 17.5 Gb/s/ch Capability Over Six Channels, IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 51巻, 12号, pp. 3037-3048, 201612
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  106. Quintic mixer: A subharmonic up-conversion mixer for THz transmitter supporting complex digital modulation, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), pp. 1-3, 2016
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  107. CMOS 300-GHz 64-QAM transmitter, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), pp. 1-4, 2016
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  108. System-level evaluation of 300GHz CMOS wireless transmitter using cubic mixer, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 1-3, 2016
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  109. 14.4-dB CMOS D-band low-noise amplifier with 22.6-mW power consumption utilizing bias-optimization technique, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 1-3, 2016
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  110. A 300-GHz 64-QAM CMOS transmitter with 21-Gb/s maximum per-channel data rate, European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), pp. 193-196, 2016
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  111. Power spectrum analysis of a tripler-based 300-GHz CMOS upconversion mixer, European Microwave Conference (EuMC), pp. 345-348, 2016
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  112. Graphical approach to analysis and design of gain-boosted near-fmax feedback amplifiers, European Microwave Conference (EuMC), pp. 1039-1042, 2016
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  113. 続S パラメータ利用の落とし穴:VNA キャリブレーションとは何か（穴にはまった人からの報告）, MWEワークショップダイジェスト, pp. 1-6, 2016
  114. Characterization of wideband decoupling power line with extremely low characteristic impedance for millimeter-wave CMOS circuits, International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2015巻, -号, pp. 220-223, 20150323
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  115. Systematic calibration procedure of process parameters for electromagnetic field analysis of millimeter-wave CMOS devices, International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2015巻, -号, pp. 230-234, 20150323
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  116. C-2-55 マイクロストリップ入出力部を備えたミリ波帯ポスト壁導波路型バンドパスフィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2015巻, 1号, 20150224
  117. 今さら聞けない? 測定・制御のコツ 電気計測(高周波測定)のコツ, 応用物理, 84巻, 5号, pp. 453-457, 20150501
  118. Recent progress and prospects of terahertz CMOS, IEICE Electronics Express, 12巻, 13号, pp. 1-7, 20150710
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  119. Tehrahertz CMOS Design for Low-Power and High-Speed Wireless Communication, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E98C巻, 12号, pp. 1091-1104, 201512
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  120. Compact 160-GHz amplifier with 15-dB peak gain and 41-GHz 3-dB bandwidth, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), pp. 7-10, 20150519
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  121. 300-GHz MOSFET model extracted by an accurate cold-bias de-embedding technique, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 20150519
  122. Compact and low-loss bandpass filter realized in silica-based post-wall waveguide for 60-GHz applications, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 20150521
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  123. Wideband CMOS decoupling power line for millimeter-wave applications, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 20150521
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  124. Low-loss silicabased bandpass filter for 60-GHz applications, Thailand-Japan Microwave (TJMW), 20150807
  125. Power line decoupling up to 325 GHz in CMOS, Thailand-Japan Microwave (TJMW), 20150808
  126. Power line decoupling up to 325 GHz in CMOS, Vietnam-Japan Microwave (VJMW), 20150810
  127. Compact 138-GHz amplifier with 18-dB peak gain and 27-GHz 3-dB bandwidth, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 55-57, 20150827
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  128. Comparative analysis of on-chip transmission line de-embedding techniques, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 91-93, 20150827
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  129. Calibration of process parameters for electromagnetic field analysis of CMOS devices up to 330 GHz, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 94-96, 20150827
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  130. Parasitic conscious 54 GHz divide-by-4 injection-locked frequency divider, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 103-105, 20150827
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  131. Modeling of wideband decoupling power line for millimeter-wave CMOS circuits, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), pp. 151-153, 20150828
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  132. 124-GHz CMOS quadrature voltage-controlled oscillator with fundamental injection locking, Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), pp. 77-80, 20151110
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  133. S パラメータ利用の落とし穴, MWE 2015 ワークショップダイジェスト, 20151127
  134. 小面積D 帯CMOS 差動増幅器の設計, 進学技報, 115巻, 387号, pp. 1-6, 20151221
  135. E-Band 65 nm CMOS Low-Noise Amplifier Design Using Gain-Boost Technique, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E97-C巻, 6号, pp. 476-485, 20140601
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  136. 共振型CMOS プッシュプッシュ2逓倍器の設計, 電子情報通信学会論文誌C, J97-C巻, 12号, pp. 484-491, 20141201
  137. On-wafer transmission line measurement above 100 GHz, Thailand-Japan Microwave (TJMW), 2014巻, -号, pp. 1-2, 20141127
  138. Millimeterwave CMOS transmission-line-to-waveguide transition for 220–325 GHz, Thailand-Japan Microwave (TJMW), 2014巻, -号, pp. 1-2, 20141127
  139. Theory of gain and stability of small-signal amplifiers with lossless reciprocal feedback, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2014巻, -号, pp. 1184-1186, 20141107
  140. Analytical design of small-signal amplifier with maximum gain in conditionally stable region, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2014巻, -号, pp. 774-776, 20141107
  141. 79 GHz CMOS power amplifier considering time- and temperature-degradation model, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2014巻, -号, pp. 637-639, 20141107
  142. Diode modeling with lossy nonlinear capacitance model, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2014巻, -号, pp. 96-97, 20140901
  143. Design of CMOS resonating push-push frequency doubler, International Meeting for Future Electron Devices Kansai (IMFEDK), 2014巻, -号, pp. 1-2, 20140619
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  144. Design of millimeter-wave CMOS transmission-line-to-waveguide transitions, International Meeting for Future Electron Devices Kansai (IMFEDK), 2014巻, -号, pp. 1-2, 20140619
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  145. Evaluation of CMOS differential transmission lines as two-port networks with on-chip baluns in millimeter-wave band, 83rd Automatic RF Techniques Group Conference (ARFTG), 2014巻, -号, pp. 1-5, 20140606
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  146. Small signal model considering hot-carrier effect for millimeter-wave frequencies, 7th Global Symposium on Millimeter-Waves (GSMM), 2014巻, -号, pp. 131-132, 20140501
  147. Gain-boosted E-band low-noise amplifier, 7th Global Symposium on Millimeter-Waves (GSMM), 2014巻, -号, pp. 117-118, 20140501
  148. Design of well-behaved low-loss millimetre-wave CMOS transmission lines, 18th IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), 2014巻, -号, pp. 1-4, 20140512
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  149. 損失のある非線形容量モデルを用いたダイオードのモデリング(ポスターセッション,学生・若手研究会), 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路, 113巻, 419号, 20140121
  150. ミリ波帯CMOS伝送線路-導波管変換器の設計(ポスターセッション,学生・若手研究会), 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路, 113巻, 419号, 20140121
  151. ドレインマッチング型CMOSミリ波ダブラーの検討(ポスターセッション,学生・若手研究会), 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路, 113巻, 419号, 20140121
  152. デカップリング用低特性インピーダンス線路のパラメータ評価(一般講演), 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 113巻, 460号, pp. 29-34, 20140225
  153. 不確かさを考慮したオンウェハディエンベディングパターン設計(一般講演), 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 113巻, 460号, pp. 35-40, 20140225
  154. CMOS 2逓倍器のマッチング回路についての考察(一般講演), 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 113巻, 460号, pp. 41-46, 20140225
  155. 広帯域なミリ波CMOS増幅回路に関する考察(一般講演), 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 113巻, 460号, pp. 47-51, 20140225
  156. C-12-50 ダイオードを用いた損失のある非線形容量モデルの構築(メモリ・素子特性,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2014巻, 2号, 20140304
  157. C-2-1 79GHz帯レーダシステム用CMOS電力増幅器の温度補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140304
  158. C-2-36 条件付き安定領域における小信号増幅器の利得に関する考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140304
  159. C-2-61 ミリ波CMOSオンチップディエンベディングにおける測定ばらつきが及ぼすデバイス評価結果への影響(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140304
  160. C-2-92 CMOSマイクロストリップ-WR3.4導波管変換器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140304
  161. C-2-103 CMOS回路向け伝送線路のダミー生成法についての考察(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140304
  162. C-2-1 リング発振器のバッファのサイズと最大発振周波数の関係(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140909
  163. C-2-22 平坦な周波数特性を持つCMOS多段増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140909
  164. C-2-39 同軸構造を用いたCMOS伝送線路一導波管変換器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140909
  165. C-2-70 注入同期発振器を用いた高分解能移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2014巻, 1号, 20140909
  166. C-12-31 ミリ波帯CMOS集積回路のオンウェハ測定における不確かさの評価(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2014巻, 2号, 20140909
  167. On the length of THRU standard for TRL de-embedding on Si substrate above 110 GHz, International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2013巻, -号, pp. 81-86, 20130301
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  168. Modeling of Short-Millimeter-Wave CMOS Transmission Line with Lossy Dielectrics with Specific Absorption Spectrum, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96-C巻, 10号, pp. 1311-1318, 20131001
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  169. An inductorless cascaded phase-locked loop with pulse injection locking technique in 90 nm CMOS, International Journal of Microwave Science and Technology, 2013巻, 584341号, pp. 1-11, 20130121
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  170. 多導体伝送線路系のためのS行列の定義の拡張, 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 112巻, 459号, pp. 37-38, 20130227
  171. C-2-4 パラメータμを用いた回路の利得・安定性の関係の考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 1号, 20130903
  172. C-2-5 トランスを用いた整合回路の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 1号, 20130903
  173. C-2-37 Design for Maximum FOM of 79GHz Power Amplifier with Temperature Compensation, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 1号, 20130903
  174. C-2-39 電磁界解析におけるプロセスパラメータの設定法(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 1号, 20130903
  175. C-2-40 短ミリ波帯におけるCMOS伝送線路構造に関する考察(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 1号, 20130903
  176. C-2-48 CMOSオンチップディエンベディングにおけるスルーの長さに関する考察(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 1号, 20130903
  177. C-12-15 ダイオードにおける非線形容量のモデリングについての検討(CMOSミリ波技術,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 2号, 20130903
  178. C-12-16 ミリ波CMOS回路における0Ω伝送線路の長さの考察(CMOSミリ波技術,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2013巻, 2号, 20130903
  179. Characteristic impedance determination technique for CMOS on-wafer transmission line with large substrate loss, 79th Automatic RF Techniques Group Conf. (ARFTG), 2012巻, -号, pp. -, 20120601
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  180. On the choice of cascade de-embedding methods for on-wafer S-parameter measurement, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2012巻, -号, pp. 137-139, 20121101
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  181. RF signal generator using time domain harmonic suppression technique in 90 nm CMOS, IEICE Electronics Express, 9巻, 4号, pp. 270-275, 20120225
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  182. 1.2–17.6 GHz ring-oscillator-based phase-locked loop with injection locking in 65 nm complementary metal oxide semiconductor, Japanese Journal of Applied Physics, 51巻, 2S号, pp. 02BE03, 20120220
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  183. Universal Relationship between Substrate Current and History Effect in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, 20110420
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  184. Modeling of Reduced Surface Field Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor for Accurate Prediction of Junction Condition on Device Characteristics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, 20110420
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  185. Interconnect design challenges in nano CMOS circuit, Key Engineering Materials, 470巻, pp. 224-230, 20110201
  186. Universal Relationship between Substrate Current and History Effect in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, Jpn. J. Appl. Phys. (JJAP), 50巻, pp. 04DC12, 20110401
  187. Modeling of Reduced Surface Field Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor for Accurate Prediction of Junction Condition on Device Characteristics, Jpn. J. Appl. Phys. (JJAP), 50巻, pp. 1-5, 20110401
  188. 2.4-10 GHz low-noise injection-locked ring voltage controlled oscillator in 90 nm complementary metal oxide semiconductor, Jpn. J. Appl. Phys. (JJAP), 50巻, 4号, pp. 04DE03 (1-5), 20110401
  189. A study of digitally controllable radio frequency micro electro mechanical systems inductor, Jpn. J. Appl. Phys. (JJAP), 50巻, 5号, pp. 05EE01, 20110501
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  190. シリコン基板上の低損失ミリ波帯受動素子, フジクラ技報, 1巻, 120号, pp. 49-52, 20110401
  191. 三次元IC 間に挿入された配線体の高周波伝送特性, エレクトロニクス実装学会誌, 14巻, 6号, pp. 501-506, 20110901
  192. RF CMOS Integrated Circuit: History, Current Status and Future Prospects, IEICE TRANSACTIONS ON FUNDAMENTALS OF ELECTRONICS COMMUNICATIONS AND COMPUTER SCIENCES, E94-A巻, 2号, pp. 556-567, 20110201
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  193. C-12-11 インジェクションロックを適用したインダクタレス位相同期ループ回路(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2011巻, 2号, 20110228
  194. C-12-23 A Study of Inverter-based RF CMOS Low Noise Amplifier Scalability in CMOS Process, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2011巻, 2号, 20110228
  195. C-12-36 MEMS静電アクチュエータに向けた高電圧CMOSチャージポンプ回路(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2011巻, 2号, 20110228
  196. RF CMOS集積回路技術における挑戦, 電子情報通信学会誌, 94巻, 5号, pp. 427-432, 20110501
  197. RF signal generator based on time-to-analog converter using multi-ring oscillators in 90nm CMOS, International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 103-104, 20100901
  198. Wide-band, high linear low noise amplifier design in 0.18 μm CMOS technology, IEICE Electronics Express, 7巻, 11号, pp. 759-764, 20100601
  199. Wideband, high-linearity low-noise amplifier design in sub-micrometer CMOS technology, Progress In Electromagnetics Research Symposium, pp. 727-728, 20100701
  200. Wide-frequency-range low-noise injection-locked ring VCO for UWB applications in 90 nm CMOS, International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 109-110, 20100901
  201. Inductorless 8.9mW 25 Gb/s 1:4 DEMUX and 4mW 13 Gb/s 4:1 MUX in 90 nm CMOS, J. Semicond. Technol. Sci., 10巻, 3号, pp. 404-407, 20100901
  202. Interconnect challenges in nano CMOS circuit, International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics, pp. 28, 20100601
  203. Low-phase-noise wide-frequency-range differential ring-VCO with non-integral subharmonic locking in 0.18 μm CMOS, European Microwave Conference, pp. 1611-1614, 20101001
  204. Low-phase-noise wide-frequency-range ring-VCO based scalable PLL with subharmonic injection locking in 0.18 μm CMOS, IEEE MTT-S International Microwave Symposium, pp. 1178-1181, 20100501
  205. Physical design challenge in nanoscale CMOS RF circuit, International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics, pp. 39, 20100601
  206. Digitally controllable RF MEMS inductor, Advanced Metallization Conference, 20101001
  207. High voltage charge pump circuit in 0.18μm CMOS process for MEMS electrostatic actuators controlling, Integrated Circuits and Devices in Vietnam, pp. 17-19, 20100701
  208. Universal relationship between settling time of floating-body SOI MOSFETs and the substrate current in their body-tied counterparts, International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 1013-1014, 20100901
  209. A wearably small low-power wireless pH sensor module incorporating an ion-sensitive field-effect transistor field-effect transistor, International Meeting on Chemical Sensors, pp. 378, 20100701
  210. High-frequency half-integral subharmonic locked ring-VCO-based scalable PLL in 90 nm CMOS, Asia-Pacific Microwave Conference, pp. 586-589, 20101201
  211. RF signal generator based on time-to-analog converter in 0.18 μm complementary metal oxide semiconductor, Japanese Journal of Applied Physics, 49巻, pp. 04DE12, 20100401
  212. Design of on-chip high speed interconnect on complementary metal oxide semiconductor 180 nm technology, Japanese Journal of Applied Physics, 49巻, pp. 04DE14, 20100401
  213. Radio frequency micro electro mechanical systems inductor configurations for achieving large inductance variations and high Q-factors, Japanese Journal of Applied Physics, 49巻, pp. 05FG02, 20100501
  214. Highly energy-efficient on-chip pulsed-current-mode transmission line interconnect, Solid State Circuit Technologies, pp. 263-280, 20100101
  215. A thru-only de-embedding method for on-wafer characterization of multiport networks, Advanced Microwave Circuits and Systems, pp. 13-32, 20100401
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  216. Design of on-chip high speed interconnect on complementary metal oxide semiconductor 180 nm technology, Japanese Journal of Applied Physics, 49巻, pp. 04DE14, 20100401
  217. A Universal Equivalent Circuit Model for Ceramic Capacitors, IEICE transactions on electronics, 93巻, 3号, pp. 347-354, 20100301
  218. C-12-2 デジタルベーススケーラブルQPSK RF変調回路(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100302
  219. C-12-3 インジェクションロックを用いたCMOS QPSK RF信号発生回路の検討(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100302
  220. C-12-12 Wide-Band, Linear Low Noise Amplifier Design, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100302
  221. C-12-13 CMOSインバータ型高利得広帯域RF可変増幅回路の検討(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100302
  222. C-12-17 2.8-11GHz広帯域差動リング型電圧制御発振器(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100302
  223. C-12-58 クロックドインバータ型D-FFによるMUX/DEMUXの研究(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100302
  224. C-12-59 オンチップRC配線と伝送線路による高速デジタル信号伝送特性の比較(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100302
  225. A-1-42 ISFETを用いたワイヤレスpHセンサモジュール(A-1.回路とシステム,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2010巻, 20100302
  226. C-12-15 チップ内伝送用高速低電力MUX/DEMUXの検討(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  227. C-12-31 CMOSマルチリングオシレータを用いたRF信号発生回路の検討(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  228. C-12-32 注入同期を用いたスケーラブル広帯域リング型電圧制御発振器回路(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  229. C-12-36 注入同期を用いた低位相雑音リングVCO型PLL(発振器・PLL,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  230. C-12-37 CMOS Inverter-based Wideband LNA in 65nm Technology, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  231. C-12-43 CMOS Power Amplifier in 65nm Technology, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  232. C-12-44 2ステップゲイン広帯域CMOS増幅ICの試作評価結果(電力増幅器・低雑音増幅器,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  233. C-12-50 ISFETを用いたワイヤレスpHセンシング用低電力FM送信IC(無線通信,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2010巻, 2号, 20100831
  234. ウェーハレベルパッケージ技術による高周波インダクタの開発と回路応用, 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス, J93-C巻, 11号, pp. 477-484, 20101101
  235. CMOS集積回路とMEMSの融合, 電子情報通信学会誌, 93巻, 11号, pp. 928-932, 20101101
  236. Physical design challenges to nano-CMOS circuits, IEICE Electronics Express, 6巻, 11号, pp. 703-720, 20090701
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  237. C-12-26 Si基板上におけるコプレーナ-ストリップ差動伝送線路の設計(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090304
  238. C-12-60 インバータ構成を用いたスケーラブル広帯域RF CMOS低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090304
  239. C-12-50 CMOS LC-VCOのプロセス世代依存性の検討(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090304
  240. C-12-33 抵抗帰還を用いたインバータ型オンチップ出力バッファの低ジッタ化設計(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090304
  241. C-12-29 RF CMOS回路の高性能化に向けたオンチップ/オフチップインダクタ特性の比較(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090304
  242. 三次元LSIチップ間配線技術, 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集, 73巻, pp. 57-60, 20090709
  243. RF CMOS集積回路 : Reconfigurability and Scalability(招待講演,技術展示,リコンフィギャブルハードウェア,10周年記念イベント), 電子情報通信学会技術研究報告. SR, ソフトウェア無線, 109巻, 155号, pp. 165-166, 20090722
  244. C-12-16 CMOSインバータ回路をベースとしたインダクタレス広帯域RF CMOS低雑音増幅回路(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090901
  245. C-12-17 CMOSインバータ型広帯域可変利得増幅器の評価(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090901
  246. C-12-22 Time To Analog Converterを用いたスケーラブルCMOS RF信号発生回路の検討(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090901
  247. C-12-23 スケーラブル広帯域RF QPSK変調回路の検討(RF(1),C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090901
  248. C-12-25 CMOSリング型I/Q出力電圧制御発振器の広帯域化に関する検討(RF(2),C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090901
  249. C-12-52 高速オンチップシリアル伝送用4:1 MUX回路の検討(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090901
  250. C-12-53 キャパシティブプリエンファシス技術を導入したオンチップRC伝送回路と伝送線路回路の比較(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2009巻, 2号, 20090901
  251. 三次元LSIチップ間配線技術, 電気化学および工業物理化学 : denki kagaku, 77巻, 9号, pp. 812-817, 20090905
  252. Single-parameter nonadiabatic quantized charge pumping, Physical Review B, 77巻, pp. 153301, 20080401
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  253. Layout-aware compact model of MOSFET characteristics variations induced by STI stress, IEICE Transactions on Electronics, E91-C巻, 7号, pp. 1142-1150, 20080701
  254. 21401 "デバイス限界説"がシステム限界で覆る : 集積システム微細化への挑戦と異分野連携への期待(基調講演,デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演), 日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集, 2008巻, 14号, pp. 381-382, 20080313
  255. C-2-14 CMOSインバータ型広帯域可変利得増幅器の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2008巻, 1号, 20080902
  256. C-12-45 RF CMOS低雑音増幅回路特性のプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2008巻, 2号, 20080902
  257. C-2-57 CMOS RFパワーアンプにおけるプロセス世代依存性(C-12.集積回路,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2008巻, 2号, 20080902
  258. A-1-12 広帯域CMOS差動型リングVCO(A-1.回路とシステム,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2008巻, 20080902
  259. セル間接続方向限定性とセル配置粗密性を考慮した配線長分布, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2007巻, 20070307
  260. C-2-86 異なる減衰特性を有する配線からの漏話を考慮した実効減衰量(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2007巻, 1号, 20070829
  261. Nanosilicon for single-electron devices, Current Applied Physics, 4巻, pp. 98-101, 20040401
  262. Single-electron logic based on multiple-tunnel junctions, Mesoscopic Tunneling Devices, 2004, pp. 71-104, 20040801
  263. Cross-coupling in Coulomb blockade circuits: Bidirectional electron pump, Journal of Applied Physics, 94巻, 5号, pp. 3194-3200, 20030901
  264. Nanoscale Coulomb blockade memory and logic devices, Nanotechnology, 12巻, 2号, pp. 155-159, 20010601
  265. Charging and retention times in silicon-floating-dot-single-electron memory, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 3B号, pp. 2041-2045, 20010301
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  266. Analysis of multiphase clocked electron pumps consisting of single-electron transistors, Journal of Applied Physics, 89巻, 9号, pp. 5001-5008, 20010501
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  267. Characteristics of two Coulomb blockade transistors separated by an island to which an oscillating potential is applied: theory and experiment, Applied Physics Letters, 79巻, 4号, pp. 533-535, 20010701
  268. Scaling of the single-electron tunnelling current through ultrasmall tunnel junctions, Journal of Physics: Condensed Matter, 12巻, 32号, pp. 7223-7228, 20000801
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  269. Single-electron circuit simulation, IEICE Transactions on Electronics, E81-C巻, 1号, pp. 21-29, 19980125
  270. Circuit simulator aiming at single-electron integration, Japanese Journal of Applied Physics, 37巻, 3B号, pp. 1478-1482, 19980301
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  271. Correlated electron-hole transport in capacitively-coupled one-dimensional tunnel junction arrays, Japanese Journal of Applied Physics, 36巻, 6B号, pp. 4166-4171, 19970601
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  272. Proposal of a Schottky-barrier SET aiming at a future integrated device, IEICE Transactions on Electronics, E80-C巻, 7号, pp. 881-885, 19970701
  273. Estimation of cotunneling in single-electron logic and its suppression, Japanese Journal of Applied Physics, 35巻, 2B号, pp. 1146-1150, 19960201
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  274. Cotunneling-tolerant single-electron logic, Extended Abstracts of the 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp. 207-209, 19950901
  275. Design of CMOS on-chip antenna in 300-GHz band, 信学技報, 116巻, 486号, pp. 95-100, 20170303
  276. 高周波デバイスモデリングのためのシステマティックな等価回路生成法, 信学技報, 116巻, 486号, pp. 23-27, 20170302
  277. テラヘルツ無線送受信モジュールの性能評価指標, 信学技報, 116巻, 486号, pp. 19-22, 20170302

著書等出版物

  1. 2024年10月31日, Elementary Semiconductor Device Physics, CRC Press, 2024年, 単行本（学術書）, 共著, English, Kazuya Masu and Shuhei Amakawa, 9781032574479
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  2. 2020年11月20日, 電子物性とデバイス, コロナ社, 2020年, November, 単行本（学術書）, 共著, 日本語, 益一哉，天川修平, 9784339018097
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  3. 2019年08月19日, Design of Terahertz CMOS Integrated Circuits for High-Speed Wireless Communication, IET, 2019年, 201908, 単行本（学術書）, 共著, English, M. Fujishima and S. Amakawa, 1785613871
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  4. 2005年07月01日, 第5版 実験化学講座28 ナノテクノロジーの化学, 丸善, 2005年, 07, 教科書, 共編著, 4621073273
  5. 2002年09月01日, FreeBSD 徹底入門 改訂版, 翔泳社, 2002年, 09, 共編著, 9784798101712
  6. 1998年10月01日, FreeBSD徹底活用１, 翔泳社, 1998年, 10, 共編著

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. 伝送線路を構成する各導体のインピーダンスはSパラメータ測定で抽出可能か, 天川修平, LSIとシステムのワークショップ, 2023年05月09日, 通常, 日本語, 電子情報通信学会集積回路研究専門委員会
  2. Signal-Flow-Graph Analysis of Weakly Nonlinear Microwave Circuits Around a Large-Signal Operating Point, Shuhei Amakawa, Ryotaro Sugimoto, Korkut Kaan Tokgoz, Sangyeop Lee, Hiroyuki Ito, and Ryoko Kishikawa, Radio Wireless Week, 2023年01月22日, 通常, 英語, San Antonio, Texas, USA
  3. Measurement and modeling for sub-THz CMOS design: Challenges and opportunities, Shuhei Amakawa, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2023年12月08日, 通常, 英語
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  4. X-parameters and metrology applications, Shuhei Amakawa, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), Workshop on Advanced Techniques and Applications for Large Signal Measurements and Characterization, 2023年12月05日, 招待, 英語, Taipei, Taiwan
  5. 回路設計における割り算と微分, 天川修平, 電子情報通信学会ICD/CAS 研究会, 2023年12月02日, 通常, 日本語
  6. On-chip transmission lines for silicon CMOS 6G: From basics to open questions, Shuhei Amakawa, 2023 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 2023年09月25日, 招待, 英語, Tokyo, Japan
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  7. Sパラメータと伝送線路の考え方, 天川修平, 電子情報通信学会Webinar チュートリアルシリーズ, 2022年06月16日, 招待, 日本語, 電子情報通信学会
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  8. Design of silicon CMOS ICs and modules for 6G: With headaches, possible cures, and open questions in measurements, Shuhei Amakawa, 100th ARFTG Microwave Measurement Conference, 2023年01月25日, 招待, 英語, This talk will present 300-GHz-band silicon CMOS ICs and transmitter and receiver modules for high-speed wireless communications. It will also cover behind-the-scenes measurement issues, including some progress that was essential to the successful demonstration of the sub-THz transceivers, and remaining headaches that await treatment.
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  9. Visualizing small-signal responses of a nonlinear RF circuit under large-signal operating conditions, S. Amakawa, S. Lee, K. K. Tokgoz, and H. Ito, International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE), 2021年12月03日, 通常, 英語
  10. Demonstration of non-invasive probing of CMOS devices with aluminum pads at frequencies up to 500 GHz, Shuhei Amakawa, R. Sakamaki, R. Kishikawa, Y. Tojima, S. Kon, I. Somada, S. Matsui, G. Taoka, T. Yoshida, and M. Fujishima, 99th Automatic RF Techniques Group Microwave Measurement Conference (ARFTG), 2022年06月24日, 通常, 英語, Boulder, Colorado, USA
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  11. Towards RF circuit modeling for nearfield THz microscopy, B. Kaestner, A. Hoehl, V. Soltwisch, M. Pflueger, and S. Amakawa, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2020年09月02日, 招待, 英語, Hiroshima
  12. Theoretical study of optimal feedback LNA design, K. Ono, S. Amakawa, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2020年09月04日, 通常, 英語
  13. Sub-THz CMOS transmission lines: Properties, characterization, and modeling, Shuhei Amakawa, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2020年09月02日, 招待, 英語, IEEE
  14. 最小雑音測度を実現する低雑音フィードバック増幅器の設計, 小野孝祐，吉田毅，天川修平, 電子情報通信学会総合大会, 2020年03月17日, 通常, 日本語
  15. テラヘルツ帯無線通信を実現するCMOS回路技術, 天川修平, 電子情報通信学会総合大会, 2020年03月17日, 招待, 日本語
  16. 無損失なフィードバック回路網を用いた低雑音増幅器の解析と設計, 小野孝祐，天川修平, 第21回IEEE広島支部学生シンポジウム, 2019年11月30日, 通常, 日本語
  17. 300-GHz-band CMOS transmitter and receiver modules with WR-3.4 waveguide interface, Shuhei Amakawa, IEEE MTT-S International Microwave Conference on Hardware and Systems for 5G and Beyond (IMC-5G), 2019年08月15日, 招待, 英語
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  18. Wideband power-line decoupling technique for millimeter-wave CMOS integrated circuits, IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2019年05月29日, 招待, 英語
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  19. Characteristic impedance determination up to THz frequencies in light of causality, Global Symposium on Millimeter Waves (GSMM), 2019年05月23日, 招待, 英語
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  20. Feedback network design for transistor operating near its performance limit, Shuhei Amakawa, Emerging Technologies 2018 (ETCMOS), 2018年05月10日, 招待, 英語, Whistler, Canada
  21. Sパラメータ利用の落とし穴（３）, 天川修平, MWE 2017, 2017年11月30日, 招待, 日本語, 横浜
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  22. 2017年06月14日, 招待, 英語
  23. 2017年06月06日, 通常, 英語
  24. 2017年05月22日, 通常, 英語
  25. S パラメータ測定の落とし穴, 天川修平, 電子情報通信学会ED研特別ワークショップ, 2017年04月19日, 招待, 日本語, 電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会, 東京
  26. 続Sパラメータ利用の落とし穴, 天川修平, MWE2016, 2016年12月02日, 招待, 日本語, 横浜
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  27. 2016年10月10日, 招待, 英語
  28. Graphical approach to analysis and design of gain-boosted near-fmax feedback amplifiers, Shuhei Amakawa, Y. Ito, European Microwave Conference, 2016年10月04日, 通常, 英語, London, UK
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  29. A QAM-capable 300-GHz CMOS transmitter, Shuhei Amakawa, K. Katayama, K. Takano, S. Hara, A. Kasamatsu, K. Mizuno, K. Takahashi, T. Yoshida, and M. Fujishima, International Workshop on Smart Wireless Communications (SmartCom), 2016年05月17日, 招待, 英語, Oulu, Finland
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  30. Concepts and methods in on-wafer RF and microwave measurements, Shuhei Amakawa, International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2016年03月28日, 招待, 英語, Yokohama
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  31. S パラメータ利用の落とし穴, 天川修平, MWE 2015, 2015年11月27日, 招待, 日本語, 電子情報通信学会, 横浜
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  32. Comparative analysis of on-chip transmission line de-embedding techniques, Shuhei Amakawa, K. Katayama, K. Takano, T. Yoshida and M. Fujishima, International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2015年08月27日, 通常, 英語, Sendai, Japan
  33. Power line decoupling up to 325 GHz in CMOS, Shuhei Amakawa, R. Goda, K. Katayama, K. Takano, T. Yoshida, and M. Fujishima, Vietnam-Japan Microwave (VJMW), 2015年08月10日, 招待, 英語, Ho Chi Minh City, Vietnam
  34. Power line decoupling up to 325 GHz in CMOS, Shuhei Amakawa, R. Goda, K. Katayama, K. Takano, T. Yoshida, and M. Fujishima, Thailand-Japan Microwave (TJMW), 2015年08月08日, 招待, 英語, Bangkok, Thailand
  35. Wideband CMOS decoupling power line for millimeter-wave applications, Shuhei Amakawa, R. Goda, K. Katayama, K. Takano, T. Yoshida, and M. Fujishima, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2015年05月21日, 通常, 英語, IEEE MTT-S, Phoenix, Arizona
  36. On-wafer transmission line measurement above 100 GHz, Shuhei Amakawa, Amakawa, Shuhei; Katayama, Kosuke; Takano, Kyoya; Yoshida, Takeshi; Fujishima, Minoru, Thailand-Japan Microwave (TJMW), 2014年11月27日, 招待, 英語, Bangkok, Thailand, It is well known that very long transmission lines are required to cover low frequencies by the thru-reflect-line (TRL) calibration algorithm, which also provides a solid foundation for propagation constant measurement. An obvious corollary might seem that only short lines are required to measure the propagation constant at high frequencies. Experimental results up to 325 GHz suggest that that is not the case. Very long lines are actually required to reliably evaluate the attenuation constant, especially above 100 GHz.
  37. Theory of gain and stability of small-signal amplifiers with lossless reciprocal feedback, Shuhei Amakawa, Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2014年11月07日, 通常, 英語, 仙台, The gain and the stability of composite amplifiers consisting of a core 2-port amplifier and a lossless reciprocal embedding network is studied theoretically with particular interest in the design of near-fmax amplifiers. Design equations for finding an optimal embedding network that gives the highest MAG (maximum available gain) under a given stability requirement are presented. How such an embedding network could be synthesized is briefly sketched.
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  38. 半導体，電子デバイス，配線を回路理論の立場から学び直してみる, 天川修平, LSIとシステムのワークショップ, 2014年05月26日, 招待, 日本語, 電子情報通信学会集積回路専門委員会, 北九州市，福岡県
  39. Design of well-behaved low-loss millimetre-wave CMOS transmission lines, Shuhei Amakawa, 18th IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), 2014年05月12日, 通常, 英語, Ghent, Belgium, It is a challenge to design single-mode transmission lines for above 100 GHz following strict design rules of modern CMOS processes. This paper reports characteristics of three types of microstrip lines in 65nm CMOS up to 325 GHz, designed with or without using an auto-dummy exclusion layer. The lowestloss design among the three is a shielded microstrip protected with an exclusion layer. The metal density requirement is met, as is commonly done, by placing sidewalls as far from the signal line as allowed by the design rules. The other two designs are microstrips without sidewalls or the exclusion layer. One of them has high-density auto dummy fill inserted by the foundry and shows significantly higher attenuation than the shielded microstrip. The other is filled with low-density fill that prevents auto dummy fill from being inserted. It is only marginally lossier than the shielded microstrip. The microstrips without sidewalls are found to exhibit more well-behaved attenuation especially above 100 GHz. The frequency dependence of the attenuation of the shielded microstrip, on the other hand, exhibits ripples, indicating possible presence of spurious modes. Attenuation constants estimated by multiline TRL (thru-reflect-line) from lines of various lengths indicate that the longest line measured should be very long, perhaps 2mm or longer, for the estimates to be reliable.
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  40. ミリ波オンウェハー測定：暗部と光明, 天川修平, MWE 2021, 2021年11月26日, 招待, 日本語, 電子情報通信学会APMC国内委員会, 横浜
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受賞

  1. 2023年03月22日, 第38回電気通信普及財団賞（テレコムシステム技術賞）, 公益社団法人電気通信普及財団理事長, 300-GHz-band OFDM video transmission with CMOS TX/RX modules and 40 dBi Cassegrain antenna toward 6G
  2. 2023年03月10日, Best Contributed Paper Award, IEEE EDTM 2023 General Chair, Variable-temperature broadband noise characterization of MOSFETs for cryogenic electronics: From room temperature down to 3K
  3. 2022年05月10日, 電子情報通信学会集積回路研究会 若手研究会ポスター奨励賞, 一般社団法人電子情報通信学会集積回路研究専門委員会委員長, 300GHz帯CMOSダブルバランスミキサの雑音指数の改善
  4. 2016年05月17日, 電子情報通信学会 集積回路研究会研究会 優秀若手講演賞, 電子情報通信学会・集積回路研究専門委員会委員長
  5. 2017年09月01日, IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology RFIT Award
  6. 2019年05月23日, Global Symposium on Millimeter Waves 2019 (GSMM 2019) Best Paper Award, GSMM2019 General Chair GSMM2019 Award Committee Chair, 300-GHz Wireless Data Transmission System with Low-SNR CMOS RF Front End
  7. 2015年, IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology RFIT Award, Compact 138-GHz amplifier with 18-dB peak gain and 27-GHz 3-dB bandwidth
  8. 2019年06月06日, 電子情報通信学会論文賞, 一般社団法人電子情報通信学会会長, 「32-Gbit/s CMOS Receivers in 300-GHz Band」
  9. 2020年02月17日, 2020 IEEE International Solid-State Circuits Conference 2019 Demonstration Session Certificate of Recognition, International Solid-State Circuits Conference (2020 ISSCC), An 80Gb/s 300GHz-Band Single-Chip CMOS Transceiver

取得

  1. 特許権, 特許第5143874号, 位相変調回路
  2. 特許権, 特許第5053413号, 同期回路
  3. 特許権, 特許第4881985号, 電圧制御発振回路
  4. 特許権, 特許第5015210号, 高周波信号生成回路

外部資金

競争的資金等の採択状況

  1. 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽研究), 非局所的回路理論, 2013年, 2014年
    関連URL
  2. 科学研究費助成事業(若手研究(B)), 基板バイアスによるMOSFETのしきい値ばらつき圧縮の検証と素子・回路設計最適化, 2007年, 2008年
    関連URL
  3. 科学研究費助成事業(特定領域研究), ナノスケール配線および回路のシグナル・インテグリティに関する研究, 2006年, 2009年
    関連URL
  4. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), 通信理論に基づくオンチップ超高速ナノスケールネットワークの開発, 2004年, 2007年
    関連URL
  5. 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽研究), 機械学習と非線形回路自動合成に基づく高周波デバイスモデリング, 2016年, 2018年
  6. 研究成果展開事業 大学発新産業創出プログラム, LSIの動作信頼性向上に寄与する半導体素子の雑音計測技術の事業化, 2016年04月01日, 2017年03月31日

社会活動

委員会等委員歴

  1. 取締役（非常勤）, 2019年07月, 2021年03月, （株）デバイスラボ
  2. 専門調査員, 2019年04月, 2020年03月, 文部科学省科学技術・学術政策研究所科学技術予測センター
  3. 専門調査員, 2018年04月, 2019年03月, 文部科学省科学技術・学術政策研究所科学技術予測センター
  4. 発起人・取締役（非常勤）, 2017年04月, 2019年06月, （株）デバイスラボ
  5. 電子情報通信学会集積回路研究専門委員会委員, 2016年05月
  6. 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ　アドホック幹事, 2014年03月, 2016年05月
  7. 電子情報通信学会集積回路専門委員会委員, 2012年05月, 2017年05月

学術会議等の主催

  1. European Conference on Networks and Communications (EuCNC), Technical Programme Committee Track Co-Chair, 2023年06月, 2024年06月
    関連URL
  2. International Solid-State Circuits Conference, RF Subcommittee Member, 2019年03月, 2022年02月
    関連URL
  3. 2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, TPC Subcomittee Chair, 2020年01月, 2020年09月
    関連URL
  4. Design, Test, Integration & Packaging of MEMS/MOEMS, Programme Committee, 2013年, 2016年
    関連URL
  5. MWE, Technical Program Committee, 2016年01月, 2016年12月
    関連URL
  6. 2016年01月, 2017年09月
  7. 2018 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, Technical Program Committee, 2017年12月, 2018年08月
  8. 2018 Asia-Pacific Microwave Conference, Technical Program Committee, 2017年11月, 2018年12月
    関連URL
  9. Design, Test, Integration & Packaging of MEMS/MOEMS 2017, Programme Committee, 2016年, 2017年

学術雑誌論文査読歴

  1. 2023年, IEEE Journal of Solid-State Circuits, その他, Reviewer, 2
  2. 2023年, Electronics Letters, その他, Reviewer, 1
  3. 2023年, IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, その他, Reviewer, 1
  4. 2020年, 電子情報通信学会論文誌C, その他, 査読者, 1
  5. 2020年, IEICE Electronics Express, その他, Reviewer, 1
  6. 2020年, IEEE Journal of Solid-State Circuits, その他, Reviewer, 7
  7. 2020年, Electronics Letters, 編集員, Associate Editor, 1
  8. 2019年, IEICE Electronics Express, その他, Reviewer, 1
  9. 2019年, IEEE Terahertz Science and Technology, その他, Reviewer, 1
  10. 2019年, IEEE Access, その他, Reviewer, 1
  11. 2019年, Electronics Letters, 編集員, Associate Editor, 25
  12. 2014年, IEICE Transactions on Electronics, 編集員, 編集委員
  13. 2014年, Japanese Journal of Applied Physics, Reviewer
  14. 2014年, IEICE Electronics Express, Reviewer
  15. 2014年, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Reviewer
  16. 2014年, Electronics Letters, Reviewer, 4
  17. 2015年, Electronics Letters, 編集員, Associate Editor, 14
  18. 2015年, IEEE Sensors Journal, その他, Reviewer, 1
  19. 2015年, IEEE Transactions on Circuits and Systems I, その他, Reviewer, 1
  20. 2015年, IEICE Electronics Express, その他, Reviewer, 2
  21. 2015年, Japanese Journal of Applied Physics, その他, Reviewer, 1
  22. 2015年, Microsystem Technologies, その他, Reviewer, 1
  23. 2016年, 編集員, 2
  24. 2016年, 1
  25. 2016年, 編集員, 33
  26. 2017年, Electronics Letters, 編集員, Associate Editor, 42
  27. 2017年, IEEE Transactions on Circuits and Systems I, その他, Reviewer, 1
  28. 2017年, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, その他, Reviewer, 1
  29. 2017年, IEICE Electronics Express, その他, Reviewer, 3
  30. 2017年, Microsystem Technologies, その他, Reviewer, 1
  31. 2017年, 電子情報通信学会論文誌C, その他, 査読者, 1
  32. 2018年, Electronics Letters, 編集員, Associate Editor, 31