宮崎 誠一SEIICHI MIYAZAKI

Last Updated :2025/03/26

所属・職名
広島大学　理事・副学長
メールアドレス
semiya1hiroshima-u.ac.jp
自己紹介
広島大学工学部卒．専門分野は半導体工学．約40年に亘り，材料・プロセス・デバイスに関する研究に従事し，MOSデバイスの高性能化・高信頼化に向けた界面評価・制御の研究において, 種々のMOS構造におけるエネルギーバンド構造（バンドアライメント）の決定，欠陥準位密度のエネルギー分布の高感度計測や界面ダイポールの定量評価で実績を積み上げてきた．また，MOSデバイスの機能高度化に向けた基盤研究として，Si-Ge系量子ドットの自己組織化形成およびデバイス応用を推進し，量子ドットの高密度集積化技術，サイズ分布・位置制御技術，不純物添加による電子状態制御技術，Geコアの導入による量子ドット内ポテンシャル分布変調技術，シリサイド化による状態密度・仕事関数制御技術，帯電電位計測技術等のデバイス化に不可欠な基盤要素技術を開発すると共に，量子ドットを電荷保持ノードとしたフローティングゲートトランジスタでの室温・多値メモリ動作の実証をはじめ，Si-Ge系量子ドットの高密度3D集積構造を活用した発光デバイスや電子放出デバイスの開発において先駆的な成果をあげた．2024年4月より理事・副学長（研究担当）を務めている

基本情報

主な職歴

  • 2024年04月, 2025年03月, 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 客員研究員（客員教授）
  • 2021年04月, 2024年03月, 名古屋大学, 大学院工学研究科（兼務）, 研究科長・学部長
  • 2019年04月, 2022年03月, 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター（兼務）, センター長
  • 2017年05月, 2024年03月, 産業技術総合研究所, 窒化物半導体先進デバイスＯＩＬ（兼務）, 客員研究員
  • 2017年04月, 2024年03月, 名古屋大学, 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター（兼務）, 教授
  • 2017年04月, 2019年03月, 名古屋大学, 大学院工学研究科（兼務）, 副研究科長
  • 2011年09月, 2015年03月, 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科（兼務）, 客員教授
  • 2010年10月, 2017年11月, 南京大学, 電子科学与工程学院（兼務）, 兼職教授
  • 2010年08月, 2024年03月, 広島大学, ナノデバイス研究所（兼務）, 客員教授
  • 2010年06月, 2024年03月, 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授
  • 2009年09月, 公益社団法人 応用物理学会, フェロー
  • 2002年04月, 2010年05月, 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 教授
  • 2001年04月, 2002年03月, 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 助教授
  • 1992年04月, 2001年03月, 広島大学, 工学部, 助教授
  • 1986年04月, 1992年03月, 広島大学, 工学部, 助手

学位

  • 工学修士　(広島大学)
  • 工学博士　(広島大学)

研究キーワード

  • 半導体ナノ構造
  • 量子ドット
  • High-k/メタルゲート
  • 薄膜太陽電池
  • 薄膜トランジスタ
  • 抵抗変化メモリ
  • フローティングゲートメモリデバイス
  • 極微細MOSトランジスタ

所属学会

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. Electron emission from alignment-controlled multiple stacks of SiGe nanodots embedded in Si structures, Mat. Sci. in Semiconductor Processing, 174巻, pp. 108227 (5 pages), 202405
  2. Self-assembling mechanism of Si-QDs on thermally-grown SiO2, Jpn. J. Appl. Phys., Accepted Manuscript online 4 March 2024巻, 202404
  3. Self-assembling formation of Si-QDs on SiO2 line patterns, Jpn. J. Appl. Phys., 63巻, 3号, pp. 03SP04 (4 pages), 202403
  4. Formation of β-FeSi2 nanodots by SiH4 exposure to Fe nanodots, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 63巻, 2号, pp. 02SP99 (4 pages), 202402
  5. Formation of ultra-thin nickel silicide on SiO2 using Si/Ni/Si structures for oxidation control, Jpn. J. Appl. Phys., 63巻, 2号, pp. 02SP72 (5 pages), 202402
  6. Formation of germanene with free-standing lattice constant, Surface Science, 738巻, pp. 122382 (6 pages), 202312
  7. Alignment control of self-assembling Si quantum dots, Mat. Sci. in Semiconductor Processing, 162巻, pp. 107526 (5 pages), 20230801
  8. Layer transfer of ultrathin Ge crystal segregated on Al/Ge(111) structure, Jpn. J. Appl. Phys., 62巻, SG号, pp. SG1007 (8 pages), 202306
  9. Room Temperature Light Emission from Superatom-like Ge–Core/Si–Shell Quantum Dots, Nanomaterials, 13巻, 9号, pp. 1475 (8 pages), 20230426
  10. Characterization of magnesium channeled implantation layers in GaN(0001), Jpn. J. Appl. Phys., 62巻, SC号, pp. SC1080 (6 pages), 202304
  11. Formation of ultra-thin NiGe film with single crystalline phase and smooth surface, Jpn. J. Appl. Phys., 62巻, SC号, pp. SC1027 (6 pages), 202304
  12. Evaluation of chemical structure and Si segregation of Al/Si(111), Jpn. J. Appl. Phys., 62巻, SC号, pp. SC1059 (8 pages), 202304
  13. Effects of Cl Passivation on Al2O3/GaN Interface Properties, Jpn. J. Appl. Phys., 62巻, SA号, pp. SA1002 (5 pages), 202301
  14. Study on Electron Emission from Phosphorus δ-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures, IEICE Transactions on Electronics, E105.C巻, 10号, pp. 610-615, 20221001
  15. Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots, IEICE Transactions on Electronics, E105.C巻, 10号, pp. 616-621, 20221001
  16. 工学教育へ高まる期待, 工学教育（J. of JSEE）, 70巻, 5号, pp. 5_1, 20220920
  17. Impact of substrate heating during Al deposition and post annealing on surface morphology, Al crystallinity, and Ge segregation in Al/Ge(111) structure, Jpn. J. Appl. Phys., 61巻, SH号, pp. SH1012 (9 pages), 202207
  18. Characterization of electronic charged states of high density self-aligned Si-based quantum dots evaluated with AFM/Kelvin probe technique, Jpn. J. Appl. Phys., 61巻, SD号, pp. SD1012 (5 pages), 202206
  19. Study on silicidation reaction of Fe nanodots with SiH4, Applied Physics Express, 15巻, 5号, pp. 055503 (4 pages), 202205
  20. Characterization of Light Emission Properties of Impurity Doped Ge/Si Core–Shell Quantum Dots, ECS Transactions, 109巻, 4号, pp. 335-341, 2022
  21. Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots, Jpn. J. Appl. Phys., 61巻, SA号, pp. SA1008 (5 pages), 202201
  22. Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system, Jpn. J. Appl. Phys., 61巻, SA号, pp. SA1014 (7 pages), 202201
  23. Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111), 2D Materials, 8巻, 4号, pp. 045039-045039, 202110
  24. Epitaxial growth of massively parallel germanium nanoribbons by segregation through Ag(1 1 0) thin films on Ge(1 1 0), Appl. Surf. Sci., 550巻, pp. 149236 (7 pages), 20210601
  25. Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal, Jpn. J. Appl. Phys., 60巻, SB号, pp. SBBK05 (6 pages), 202105
  26. Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy, Jpn. J. Appl. Phys., 60巻, SA号, pp. SAAC02 (6 pages), 202101
  27. Impact of Boron Doping and H2 Annealing on Light Emission from Ge/Si Core-Shell Quantum Dots, ECS Transactions, 104巻, 4号, pp. 105-112, 2021
  28. Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core, Materials Science in Semiconductor Processing, 120巻, pp. 105250 (5 pages), 202012
  29. Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B δ-doped Ge core, Materials Science in Semiconductor Processing, 119巻, 15号, pp. 105215 (4 pages), 20201115
  30. Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 505-511, 20200922
  31. Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 493-498, 20200922
  32. Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode, ECS Transactions, 98巻, 5号, pp. 429-434, 20200922
  33. Complex dielectric function of Si oxide as evaluated from photoemission measurements, Jpn. J. Appl. Phys., 59巻, SM号, pp. SMMB04 (8 pages), 202007
  34. Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface, Jpn. J. Appl. Phys., 59巻, SG号, pp. SGGK15 (6 pages), 202004
  35. Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H-2-plasma exposure, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, SI号, pp. SIIA15 (4 pages), 201908
  36. Effect of H-2-dilution in Si-cap formation on photoluminescence intensity of Si quantum dots with Ge core, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, SI号, pp. SIIA01 (4 pages), 201908
  37. Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, SI号, pp. SIIB22 (5 pages), 201908
  38. Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E102.C巻, 6号, pp. 458-461, 20190601
  39. Impact of remote plasma oxidation of a GaN surface on photoluminescence properties, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, SE号, pp. SEEC02 (4 pages), 201906
  40. Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, SA号, pp. SAAE01 (4 pages), 201902
  41. Photoemission-Based Characterization of Gate Dielectrics and Stack Interfaces, ECS Transactions, 92巻, 4号, pp. 11-19, 2019
  42. Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 33巻, 12号, pp. 124021, 201812
  43. Activation mechanism of TiOx passivating layer on crystalline Si, Applied Physics Express, 11巻, 10号, pp. 102301 (4 pages), 201810
  44. Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient, Japanese Journal of Applied Physics, 57巻, 6S1号, pp. 06HD08 (5 pages), 201806
  45. Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si+Ge) Compositions, Japanese Journal of Applied Physics, 57巻, 4S号, pp. 04FJ05 (6 pages), 201804
  46. High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots, Electrochemical Society Transaction, 86巻, 7号, pp. 131-138, 2018
  47. Impact of Phosphorus Doping to Multiple-Stacked Si Quantum Dots on Electron Emission Properties, Materials Science in Semiconductor Processing, 70巻, pp. 183-187, 20171101
  48. Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots, Appl. Phys. Lett., 111巻, 5号, pp. 052403 (4 pages), 20170731
  49. Low Temperature Formation of Crystalline Si:H/Ge:H Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation, Japanese Journal of Applied Physics, 56巻, 6S1号, pp. 06GG07 (4 pages), 201706
  50. Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E100C巻, 5号, pp. 468-474, 201705
  51. Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interfaces, Jpn. J. Appl. Phys., 56巻, 4S号, pp. 04CB04 (6 pages), 201704
  52. Nano spin-diodes using FePt-NDs with huge on/off current ratio at room temperature, SCIENTIFIC REPORTS, 6巻, pp. 33409, 201609
  53. Evaluation of valence band top and electron affinity of SiO, Jpn. J. Appl. Phys., 55巻, 8S2号, pp. 08PC06 (5 pages), 201608
  54. Impact of embedded Mn nanodots on resistive switching characteristics of Si-rich oxides as measured in Ni-electrode metal–insulator–metal diodes, Jpn. J. Appl. Phys., 55巻, 6S1号, pp. 06GH07 (5 pages), 201606
  55. Bonding and Electron Energy-Level Alignment at Metal/TiO2 Interfaces: A Density Functional Theory Study, The Journal of Physical Chemistry, 120巻, 10号, pp. 5549-5556, 20160317
  56. Photoluminescence study of high density Si quantum dots with Ge core, Journal of Applied Physics, 119巻, 3号, pp. 033103 (5 pages), 20160121
  57. Processing and characterization of Si/Ge quantum dots, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 826 (33.2.1)-830 (33.2.4), 2016
  58. Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E98C巻, 5号, pp. 406-410, 201505
  59. High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100), ECS Transactions, 69巻, 10号, pp. 165-170-170, 2015
  60. Application of remote hydrogen plasma to selective processing for Ge-based devices: Crystallization, etching, and metallization, Jpn. J. Appl. Phys., 53巻, 11S号, pp. 11RA02 (4 pages), 201411
  61. Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current–voltage characteristics of resistive switching memory, AIP Advances, 4巻, 8号, pp. 087110 (7 pages), 201408
  62. High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E97C巻, 5号, pp. 397-400, 201405
  63. Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E97C巻, 5号, pp. 393-396, 201405
  64. Highly-Crystallized Ge:H Film Growth from GeH, Jpn J Appl Phys, 52巻, 11S号, pp. 11NA04 (3 pages)-11NA04-3, 201311
  65. Highly-Crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 Very High Frequency Inductively-Coupled Plasma: Crystalline Nucleation Initiated by Ni Nanodots, Jpn. J. Appl. Phys, 52巻, 11S号, pp. 11NA04 (3 pages), 201311
  66. Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-Dense Si Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 718-721, 201305
  67. Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-Rich Oxide/TiN System, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 708-713, 201305
  68. Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 702-707, 201305
  69. X-Ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 680-685, 201305
  70. Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 674-679, 201305
  71. Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods, Journal of Physics: Conference Series, 417巻, 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 8–11 November 2011, Kyoto, Japan号, pp. 012013 (6 pages), 20130301
  72. Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System, Journal of Physics: Conference Series, 417巻, 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15) 8–11 November 2011, Kyoto, Japan号, pp. 012012 (6 pages), 20130301
  73. Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application, MRS Online Proceedings Library, 1510巻, 2号, pp. 7-12, 20130228
  74. Photoexcited carrier transfer in a NiSi-nanodots/Si-quantum-dots hybrid floating gate in MOS structures, IEICE Transactions on Electronics, E96-C巻, 5号, pp. 694-698, 2013
  75. Study of electron transport characteristics through self-aligned Si-based quantum dots, J. Appl. Phys., 112巻, 10号, pp. 104301 (5 pages), 20121121
  76. Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy, Journal of Non-Crystalline Solids, 358巻, 17号, pp. 2086-2089-2089, 20120901
  77. Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E95C巻, 5号, pp. 879-884, 201205
  78. Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density, Jpn. J. Appl. Phys, 51巻, 4S号, pp. 04DG08 (5 pages), 201204
  79. Formation of High-Density Pt Nanodots on SiO, Jpn J Appl Phys, 50巻, 8S2号, pp. 08KE06 (4pages)-08KE06-4, 201108
  80. Formation of High-Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory, Jpn. J. Appl. Phys., 50巻, 8S2号, pp. 08KE06 (4pages), 201108
  81. Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E94C巻, 5号, pp. 730-736, 201105
  82. Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E94C巻, 5号, pp. 717-723, 201105
  83. Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E94C巻, 5号, pp. 699-704, 201105
  84. Collective Tunneling Model in Charge-Trap-Type Nonvolatile Memory Cell, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4S号, pp. 04DD04 (4 pages)-0, 201104
  85. Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication, Jpn. J. Appl. Phys., 50巻, 3S号, pp. 03CB10 (8 pages), 201103
  86. Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures, Key Engineering Materials, 470巻, pp. 135-139-+, 201102
  87. Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide-Nanodots Hybrid Stack and its Application to Floating Gate Functional Devices, ECS Transactions, 41巻, 7号, pp. 93-98, 2011
  88. Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices, Physica E, 42巻, 10号, pp. 2602-2605, 201009
  89. Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using Atomic Force Microsope/Kelvin Probe Technique, Jpn. J. Appl. Phys., 49巻, 6R号, pp. 065002 (4 pages)-0650024, 201006
  90. Formation of High Crystallinity Silicon Films by High Speed Scanning of Melting Region Formed by Atmospheric Pressure DC Arc Discharge Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, Applied Physics Express, 3巻, 6号, pp. 061401 (3 pages), 201006
  91. Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E93C巻, 5号, pp. 569-572, 201005
  92. Light-Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in Metal–Oxide–Semiconductor Structures, Jpn J Appl Phys, 49巻, 4S号, pp. 04DJ04 (4 pages)-04DJ04-4, 201004
  93. Activation of B and As in Ultrashallow Junction During Millisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation, Jpn. J. Appl. Phys., 49巻, 4S号, pp. 04DA02 (4 pages), 201004
  94. Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique, Jpn. J. Appl. Phys., 49巻, 3S号, pp. 03CA08 (4 pages), 201003
  95. Characterization of Interfaces between Chemically Cleaned or Thermally Oxidized Germanium and Metals, ECS Trans., 33巻, 6号, pp. 253-262, 2010
  96. 応用物理分野のアカデミック・ロードマップ「シリコン技術」, 応用物理, 79巻, 8号, pp. 691-693, 2010
  97. Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots, Japanese journal of applied physics, 49巻, 1R号, pp. 014001 (4 pages)-014001-4, 201001
  98. Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100), Microelectronic Engineering, 86巻, 7-9号, pp. 1650-1653, 200907
  99. Effective-Work-Function Control by Varying the TiN Thickness in Poly-Si/TiN Gate Electrodes for Scaled High-k CMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 30巻, 5号, pp. 466-468, 200905
  100. Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Its Application to Floating Gate MOS Memories, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E92C巻, 5号, pp. 616-619, 200905
  101. Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application, Solid State Phenomena, 154巻, pp. 95-100, 200904
  102. Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation, Jpn. J. Appl. Phys., 48巻, 4S号, pp. 04C011 (4 pages), 200904
  103. Temperature dependence of capacitance of Si quantum dot floating gate MOS capacitor, Journal of Physics Conference Series, 150巻, Electronic Quantum Transport号, pp. 022071 (4 pages), 20090331
  104. Physics of Nano-contact between Si Quantum Dots and Inversion Layer, ECS Transactions, 25巻, 7号, pp. 463-469, 2009
  105. The Influence of Defects and Impurities on Electrical Properties of High-k Dielectrics, Materials Science Forum, 608巻, pp. 55-109, 200812
  106. Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 8号, pp. 6949-6952, 200808
  107. Interface properties and effective work function of Sb-predoped fully silicided NiSi gate, SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 40巻, 6-7号, pp. 1126-1130, 200806
  108. Cathode Electron Injection Breakdown Model and Time Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Prediction in High-k/Metal Gate Stack p-Type Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistors, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 5号, pp. 3326-3331, 200805
  109. Progress on charge distribution in multiply-stacked Si quantum dots/SiO2 structure as evaluated by AFM/KFM, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E91C巻, 5号, pp. 712-715, 200805
  110. Effect of He Addition on the Heating Characteristics of Substrate Surface Irradiated by Ar Thermal Plasma Jet, Thin Solid Films, 516巻, 11号, pp. 3680-3683, 20080401
  111. Nucleation Study of Hydrogenated Microcrystalline Silicon (μc-Si:H) Films Deposited by VHF-ICP, Thin Solid Films, 516巻, 11号, pp. 3497-3501, 20080401
  112. Crystallization of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Annealing, Thin Solid Films, 516巻, 11号, pp. 3595-3600, 20080401
  113. Comprehensive analysis of positive and negative bias temperature instabilities in high-k/metal gate stack metal-oxide-silicon field effect transistors with equivalent oxide thickness scaling to sub-1 nm, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 2354-2359, 200804
  114. In-situ measurement of temperature variation in Si wafer during millisecond rapid thermal annealing induced by thermal plasma jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 2460-2463, 200804
  115. Self-assembling formation of Ni nanodots on SiO2 induced by remote H-2 plasma treatment and their electrical charging characteristics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 3099-3102, 200804
  116. Characterization of multistep electron charging and discharging of a silicon quantum dots floating gate by applying pulsed gate biases, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 3103-3106, 200804
  117. Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory, ECS Trans., 16巻, 9号, pp. 177-182, 2008
  118. Effect of Annealing on Electronic Characteristics of HfSiON Films fabricated by Damascene Gate Process, ECS Trans., 16巻, 5号, pp. 521-526, 2008
  119. In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing, ECS Trans., 13巻, 1号, pp. 31-36, 2008
  120. Theoretical investigation of metal/dielectric interfaces-breakdown of schottky barrier limits, ECS Transactions, 13巻, 2号, pp. 21-27, 2008
  121. Practical dual-metal-gate dual-high-k CMOS integration technology for hp 32 nm LSTP utilizing process-friendly TiAlN metal gate, International Electron Device Meeting 2007 (IEDM)(Washington DC), 20.4巻, pp. 531-534-+, 200712
  122. Charge Injection Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Floating Gate in MOS Capacitors, 3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai), P-08巻, pp. 35-36, 200711
  123. High Rate Growth of Crystalline Ge Films at Low Temperatures by Controlling 60MHz Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4, 3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007)(Sendai), P-07巻, pp. 33-34, 200711
  124. Formation of PtSi Nanodots Induced by Remote H2 Plasma, 3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007), Sendai, P-09巻, pp. 37-38, 200711
  125. Impact of Low Temperature Anneal on Effective Work Function and Chemical Bonding Features for Ru/HfSiON/SiON Gate Stack, Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo), OA3-1巻, pp. 215-216, 200711
  126. Evaluation of Effective Work Function in Ru/HfSiON/SiO2 Gate Stack Structures – Thickness Dependence in Bottom SiO2 layer, Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo), P.-47巻, pp. 181-182, 200711
  127. The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3, Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, (ISCSI-V)(Tokyo), OA3-8巻, pp. 227-228, 200711
  128. High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films, 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(Tokyo), OA1巻, pp. 51-52, 200711
  129. Electroluminescence from Multiple-Stacked Structures of Impurity Doped Si Quantum Dots, 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)(Tsukuba), E-1-4巻, pp. 106-107, 200709
  130. Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films, The Fourteenth International Workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES(Awaji), 3-3巻, pp. 33-36, 200707
  131. Fermi-level pinning position modulation by Al-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS, The 2008 Symposium on VLSI Technology(Kyoto), 5A-1巻, pp. 66-67-+, 200706
  132. Hafnium 4f core-level shifts caused by nitrogen incorporation in Hf-based high-k gate dielectrics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 6A号, pp. 3507-3509-3509, 200706
  133. Characterization of metal/high-k structures using monoenergetic positron beams, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 5B号, pp. 3214-3218-3218, 200705
  134. Evaluation of dielectric reliability of ultrathin HfSiOxNy in metal-gate capacitors, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E90C巻, 5号, pp. 962-967, 200705
  135. Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2, The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)(Osaka), PB-5巻, pp. 121-122, 200704
  136. Guiding principle of energy level controllability of silicon dangling bonds in HfSiON, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 4B号, pp. 1891-1894-1894, 200704
  137. Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Its Application, 5th International Symposium Nanotechnology (JAPAN NANO 2007)(Tokyo), P3-2巻, pp. 144-145, 200702
  138. Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, 3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan., 3rd International TFT Conference, Rome, Italy, Jan. 25-26, 2007, P21, pp, pp. 204-207., 200701
  139. Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, 3rd International TFT Conference(Italy), P21巻, pp. 204-207, 200701
  140. Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crystallized by Thermal Plasma Jet Irradiation, Trans. of MRS-J, 32巻, 2号, pp. 465-468, 2007
  141. Tight distribution of dielectric characteristics of HfSiON in metal gate devices, ECS Trans., 11巻, 4号, pp. 3-11-11, 2007
  142. Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams, ECS Trans., 11巻, 4号, pp. 81-90-90, 2007
  143. Role of the Ionicity in Defect Formation in Hf-based Dielectrics, ECS Trans., 11巻, 4号, pp. 199-211-211, 2007
  144. Vacancy-fluorine complexes and their impact on the properties of metal-oxide transistors with high-k gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams, J. Appl. Phys, 102巻, 5号, pp. 054511-1 – 054511-7, 2007
  145. Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet, 3rd International TFT Conference(Italy), 5a.3巻, 3号, pp. 82-85-380, 200701
  146. Melting and Solidification of Microcrystalline Si Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation, Jpn. J. Appl. Phys., 46巻, 3B号, pp. 1276-1279-1279, 2007
  147. Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet, Thin Solid Films, 515巻, 12号, pp. 4897-4900-4900, 2007
  148. Theoretical studies on metal/high-k gate stacks, ECS Transactions, 6巻, 1号, pp. 191-204-204, 2007
  149. High rate growth of highly-crystallized Ge films on quartz from VHF inductively-coupled plasma of GeH4+H-2, PRICM 6: SIXTH PACIFIC RIM INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS AND PROCESSING, PTS 1-3, 561-565巻, pp. 1209-1212, 2007
  150. Characterization of electronic charged states of nickel silicide nanodots using AFM/kelvin probe technique, PRICM 6: SIXTH PACIFIC RIM INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS AND PROCESSING, PTS 1-3, 561-565巻, pp. 1213-1216, 2007
  151. Introduction of defects into HfO2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation, J. Appl. Phys., 100巻, 6号, pp. 064501-1 – 064501-5, 2006
  152. High-rate Growth of Highly-crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD, Thin Solid Films, 511-512巻, pp. 265-270-270, 2006
  153. The Application of Very High Frequency Inductively-coupled Plasma to High-Rate Growth of Microcrystalline Silicon Films, J. Non-Cryst. Solid, 352巻, 9-20号, pp. 911-914-914, 2006
  154. Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positron beams, J. Appl. Phys., 99巻, 5号, pp. 054507-1 – 054507-6, 2006
  155. Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate, Jpn. J. Appl. Phys., 45巻, 5B号, pp. 4355-4357-4357, 2006
  156. In-Situ Observation of Rapid Crystalline Growth Induced by Excimer Laser Irradiation to Ge/Si Stacked Structure, Thin Solid Films, 508巻, 1-2号, pp. 53-56-56, 2006
  157. Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience, Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan, 31巻, 1号, pp. 153-156-156, 2006
  158. Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation, Jpn. J. Appl. Phys., 45巻, 5B号, pp. 4313-4320-4320, 2006
  159. Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs, Trans. of MRS-J, 31巻, 1号, pp. 137-140-140, 2006
  160. Influence of thermal annealing on defect states and chemical structures in ultrathin Al2O3/SiN/poly-Si, Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan, 31巻, 1号, pp. 149-152-152, 2006
  161. Physics of metal/high-k interfaces, ECS Transactions, 3巻, 3号, pp. 129-140-140, 2006
  162. An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy in Hf-based High-k Gate Oxides, Trans. Material Res. Soc. Jpn., 31巻, 1号, pp. 129-132, 2006
  163. Characterization of atom diffusion in polycrystalline Si/SiGe/Si stacked gate, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E88C巻, 4号, pp. 646-650, 200504
  164. Electrical characterization of aluminum-oxynitride stacked gate dielectrics prepared by a layer-by-layer process of chemical vapor deposition and rapid thermal nitridation, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E88C巻, 4号, pp. 640-645, 200504
  165. High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD, Trans. of MRS-J, 30巻, 1号, pp. 279-282, 2005
  166. Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor Using Plasma Jet Crystalliztion Technique, Trans. of MRS-J, 30巻, 1号, pp. 283-286, 2005
  167. Electrical Characterization of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Capacitors, Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan, 30巻, 1号, pp. 205-208, 2005
  168. The Role of Oxygen-related Defects on the Reliabilities of HfO2-based High-k Gate Insulators, Trans. of the Mat. Res. Soc. of Japan, 30巻, 1号, pp. 191-195, 2005
  169. Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack, ECS Trans., 1巻, 1号, pp. 163-172, 2005
  170. Characterization of Electronic Charged States of Silicon Nanocrystals as a Floating Gate in MOS Structures, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 830巻, pp. 249-254, 2005
  171. Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots, IEICE Trans. on Electronics, E88-C巻, 4号, pp. 709-712-712, 2005
  172. Application of Plasma Jet Crystallization Technique to Fabrication of Thin-Film Transistor, Jpn. J. Appl. Phys., 44巻, 3号, pp. L108-L110-L110, 2005
  173. Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet, Thin Solid Films, 487巻, 1-2号, pp. 122-125-125, 2005
  174. A New Crystallization Technique of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet, Appl. Surf. Sci., 244巻, 1-4号, pp. 8-11-11, 2005
  175. Influence of Substrate dc Bias on Crystallinity of Silicon Films Grown at a High Rate from Inductively-coupled Plasma CVD, Appl. Surf. Sci., 244巻, 1-4号, pp. 39-42-42, 2005
  176. Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors, Transactions of the Materials Research Society of Japan, 30巻, 1号, pp. 197-200, 2005
  177. Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing, Appl. Phys. Lett., 85巻, 22号, pp. 5322-5324-5324, 2004
  178. New Analytical Modeling for Photoinduced Discharge Characteristics of Photoreceptors, Jpn. J. Appl. Phys., 43巻, 8A号, pp. 5129-5133-5133, 2004
  179. Influence of Thermal Annealing on Compositional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core, Appl. Surf. Sci., 224巻, 1-4号, pp. 156-159-159, 2004
  180. Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe, Thin Solid Films, 457巻, 1号, pp. 103-108-108, 2004
  181. Analysis of Soft Breakdown of 2.6-4.9nm-Thick Gate Oxides, Jpn. J. Appl. Phys., 43巻, 10号, pp. 6925-6929-6929, 2004
  182. Statistical Analysis of Soft and Hard Breakdown in 1.9-4.8nm-thick Gate Oxides, IEEE Electron Device Lett., IEEE Electron Device Lett, 25巻, 5号, pp. 305-307-307, 2004
  183. Influence of Boron and Fluorine Incorporation on the Network Structure of Ultrathin SiO2, Solid State Phenomena, 76-77巻, pp. 149-152-152, 2001

著書等出版物

  1. 薄膜工学［第4版］, 第3章 3.3 「組成・状態分析」, 丸善出版, 2024年, 7, 分担執筆, 宮﨑誠一, ISBN978-4-621-30978-0 C3042, 137-156
  2. 2020版薄膜作製応用ハンドブック, 第2篇　薄膜の作製と加工, 第3章　CVD法　第2節　プラズマCVD法 １．「総論（原理・特徴、装置）」, NTS, 2020年, 分担執筆, 宮﨑誠一, ISBN978-4-86043-631-5, 408-411
  3. 2020版薄膜作製応用ハンドブック, 第3編　薄膜・表面・界面の分析・評価　第1章　薄膜・表面・界面の分析手法　第8節　「光電子分光法（XPS、UPS)」, NTS, 2020年, 分担執筆, 宮﨑誠一, ISBN978-4-86043-631-5, 782-795
  4. 2020版薄膜作製応用ハンドブック, 第3編　薄膜・表面・界面の分析・評価　第2章　薄膜分析・評価対象各論　第5節　「化学結合状態」, NTS, 2020年, 分担執筆, 宮﨑誠一, ISBN978-4-86043-631-5, 867-874
  5. 薄膜工学［第3版］, 第3章 3.3 「組成・状態分析」, 丸善出版, 2016年, 分担執筆, 宮﨑誠一, ISBN978-4-621-30098-5 C3042, 145-165
  6. 2014年, 化学便覧 第７版 応用化学編, 化学便覧 第７版 応用化学編, 日本化学会編，丸善出版（株）, jpn, 宮崎誠一
  7. 2011年06月30日, 薄膜工学（第2版）分担執筆 第2章3節「化学気相成長法」, 薄膜工学（第2版）分担執筆 第2章3節「化学気相成長法」, 丸善出版, jpn, 宮崎誠一
  8. 2011年03月20日, マイクロ・ナノ領域の超精密技術第3章2節「半導体デバイス」ⅠSi系（極微細化の観点を中心にして）, マイクロ・ナノ領域の超精密技術第3章2節「半導体デバイス」ⅠSi系（極微細化の観点を中心にして）, オーム社, jpn, 宮崎誠一
  9. 2009年, プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3．結晶化・相変化制御への応用」, プラズマ・核融合学会誌 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3．結晶化・相変化制御への応用」, jpn, 東 清一郎; 宮崎 誠一
  10. 2009年, 次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆：「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」, 次世代半導体メモリの最新技術 第6章分担執筆：「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」, シーエムシー出版, jpn
  11. 2009年, プラズマ・核融合学会誌85(3) 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3．結晶化・相変化制御への応用」, プラズマ・核融合学会誌85(3) 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3．結晶化・相変化制御への応用」, プラズマ・核融合学会, jpn, 東 清一郎; 宮崎 誠一
  12. 2009年, 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」, 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」, 技術教育出版社, jpn
  13. 2009年, 究極のかたちをつくる 第1章分担執筆：「ナノサイズのかたちをつくる」, 究極のかたちをつくる 第1章分担執筆：「ナノサイズのかたちをつくる」, 日刊工業新聞社, jpn
  14. 2009年, 次世代半導体メモリの最新技術 第6章, 次世代半導体メモリの最新技術 第6章, シーエムシー出版, jpn
  15. 2009年, 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」, 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開― 第1編「創製技術」第5章「CVD」, 技術教育出版社, jpn, 宮崎誠一
  16. 2008年, 薄膜ハンドブック 第II編 第1章 1.3.4 CVD(編集・分担執筆 ), 薄膜ハンドブック 第II編 第1章 1.3.4 CVD(編集・分担執筆 ), Ohmsha, jpn, 宮崎 誠一
  17. 2004年, 表面科学の基礎と応用(第3編、第1章・第2節), 表面科学の基礎と応用(第3編、第1章・第2節), エヌ・ティー・エス, jpn

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. 先進電子デバイス開発に向けたナノドット形成・機能探求と表界面制御・評価技術, 宮﨑誠一, 日本表面真空学会中部支部講演会, 2024年04月27日, 招待, 日本語, 日本表面真空学会中部支部, 名古屋
  2. GeコアSi量⼦ドットを内包したマイクロディスクの形成と発光特性評価, 細井康揮; 牧原克典; 斎藤陽斗; Yuji. Yamamoto; Wen Wei-Chen、Bernd Tillack; 宮﨑誠一, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月25日, ハイブリッド開催（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン）
  3. Feシリサイドコア/Siシェル量⼦ドットの形成と発光特性, 斎藤陽斗; 牧原克典; 宮﨑誠一, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月25日, ハイブリッド開催（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン）
  4. SiO2ラインパターン上へのSi量⼦ドットの⾃⼰組織化形成-ラインおよびスペース幅依存性, 白鍾銀; 辻綾哉; 今井友貴; 牧原克典; 宮﨑誠一, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月25日, ハイブリッド開催（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン）
  5. Ni超薄膜へのSiH 4照射によるシリサイド化反応制御, 谷田駿; 木村圭祐; 田岡紀之; 牧原克典; 宮﨑誠一, 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月24日, ハイブリッド開催（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン）
  6. Impacts of Surface Oxidation on Surface Morphology and Silicidation Reaction in Si/Ni/Si Structures Formed on SiO2, 2024年03月04日
  7. 2024年03月04日
  8. 2024年03月04日
  9. 極薄熱酸化SiO2上に自己組織化形成したSi量子ドットの形成機構, 白鍾銀; 今井友貴; 辻綾哉; 牧原克典; 宮﨑誠一, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回）, 2024年02月01日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）
  10. Al/SiGe(111)/Si(111)構造の化学構造分析 -熱処理による Si および Ge 偏析-, 酒井 大希; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 克典; 山本 裕司; 宮﨑 誠一, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回）, 2024年02月01日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）
  11. HfZr酸化物へのNi電極形成が結晶構造および化学結合状態に与える影響, 佐野友之輔; 田岡紀之; 大田晃生; 牧原克典; 宮﨑誠一, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回）, 2024年02月01日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）
  12. 表面酸化処理したSi/Ni/Si構造の熱処理によるSiO2上への極薄NiSi2膜形成, 木村圭佑; 田岡紀之; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回）, 2024年02月01日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）
  13. 一次元連結・高密度Si量子ドットの形成と局所帯電特性評価, 今井友貴; 牧原克典; 山本裕司; Wen Wei-Chen; Schubert Andreas Markus; 白鍾銀; 辻綾哉; 宮﨑誠一, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回）, 2024年02月01日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）
  14. 2023年12月15日
  15. 2023年12月15日
  16. 2023年12月15日
  17. 2023年12月15日
  18. 2023年12月15日
  19. 2023年12月14日
  20. 2023年12月02日
  21. 2023年12月02日
  22. 2023年11月16日
  23. Al/Si0.2Ge0.8(111)上への熱処理による Si および Ge の表面偏析制御, 酒井大希; 大田晃生; 田岡紀之; 牧原克典; 山本裕司; 宮﨑誠一, 第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 2023年11月03日, 名古屋大学 VBL
  24. 一次元連結 Si 量子ドットの高密度・一括形成と局所帯電特性評価, 今井友貴; 牧原克典; 山本裕司; Wen Wei-Chen; Schubert Andreas Markus; 白鍾銀; 辻綾哉; 宮﨑誠一, 第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 2023年11月03日, 名古屋大学 VBL
  25. 2023年10月24日
  26. 2023年10月24日
  27. 2023年10月11日
  28. SiO2上へのNiシリサイドナノシート形成におけるH2O2溶液処理の効果, 木村 圭佑; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日, 熊本城ホールほか3会場, 23p-A602-15
  29. Al/Si0.2Ge0.8(111)上に偏析したSiおよびGeの光電子分光分析, 酒井 大希; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 牧原; 山本 裕司; 宮﨑 誠一, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日, 熊本城ホールほか3会場, 23p-A602-14
  30. Zr/Hf多重積層構造の後酸化および電極形成後熱処理がHfZr酸化物の結晶構造に与える影響, 佐野 友之輔; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月23日, 熊本城ホールほか3会場, 23p-A303-3
  31. 一次元縦積み連結Si量子ドットの形成と局所帯電特性評価, 今井 友貴; 牧原 克典; 山本 裕司; W. Wei-Chen; S. M. Andreas; 白 鍾銀; 辻 綾哉; 宮﨑 誠一, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日, 熊本城ホールほか3会場, 20a-B202-9
  32. 極細SiO2 ラインパターン上へのSi 量子ドットの自己組織化形成, 辻 綾哉; 今井 友貴; 白 鍾銀; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日, 熊本城ホールほか3会場, 20a-B202-8
  33. 熱酸化SiO2上へ自己組織化形成したSi量子ドットの成長機構, 白 鍾銀; 今井 友貴; 辻 綾哉; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月20日, 熊本城ホールほか3会場, 20a-B202-7
  34. 2023年09月08日
  35. 2023年09月08日
  36. 2023年09月07日
  37. 2023年09月07日
  38. 2023年09月07日
  39. 2023年09月07日
  40. 2023年09月07日
  41. 2023年09月07日
  42. 2023年09月07日
  43. 2023年09月06日
  44. 2023年07月11日
  45. 2023年07月06日
  46. 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価, 佐野 友之輔; 田岡 紀之; 牧原 克典; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術」（応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 2023年06月26日, 広島大学 ナノデバイス研究所, 信学技報, vol. 123, no. 89, SDM2023-31, pp. 15-18, 2023年6月19日
  47. FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響, 斎藤 陽斗; 牧原 克典; 谷田 駿; 田岡 紀之; 宮﨑 誠一, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術」（応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 2023年06月26日, 広島大学 ナノデバイス研究所, 信学技報, vol. 123, no. 89, SDM2023-30, pp. 11-14, 2023年6月19日
  48. 2023年05月24日
  49. 2023年05月15日
  50. 2023年03月25日
  51. Reduced-Pressure CVDにより形成したGeコアSi量子ドットの構造評価と室温発光特性評価, 牧原 克典; Yamamoto Yuji; Schubert Markus Andreas; 田岡 紀之; Tillack Bern; 宮﨑 誠一, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日, ハイブリッド開催（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）, 17p-D221-1
  52. AFM/KFMによる熱酸化SOI基板上に自己組織化形成したSi量子ドットの局所帯電特性評価, 今井 友貴; 牧原 克典; 山本 裕司; Wen Wei-Chen; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月17日, ハイブリッド開催（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）, 17p-B414-7
  53. Fe ナノドットへの SiH4照射によるβ-FeSi2ナノドットの高密度形成, 斎藤 陽斗; 牧原 克典; 王 子璐; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日, ハイブリッド開催（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）, 16p-PA03-2
  54. Fe超薄膜へのSiH4照射によるシリサイド化反応制御, 斎藤 陽斗; 牧原 克典; 王 子璐; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日, ハイブリッド開催（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）, 16p-PA03-3
  55. Al/Si0.2Ge0.8(111)構造の熱処理によるSiおよびGeの表面偏析, 酒井 大希; 松下 圭吾; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 克典; 山本 裕司; 宮﨑 誠一, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日, ハイブリッド開催（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）, 16a-D511-8
  56. SiO2上への極薄ニッケルシリサイド膜形成―Si/Ni/Si初期構造における膜厚依存性―, 木村 圭佑; 田岡 紀之; 西村 駿介; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月16日, ハイブリッド開催（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）, 16a-D511-10
  57. Formation of SiO2 Layer on SiGe/Si Nano-structures using Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition, J. Cai; N. Taoka; K. Makihara; A. Ohta; S. Miyazaki, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月15日, ハイブリッド開催（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）, 15p-PA06-2
  58. 2023年03月07日
  59. 2023年03月06日
  60. 2023年03月06日
  61. Al/Si(111)構造の平坦性および結晶性制御と偏析による極薄Si層形成, 酒井 大希; 大田 晃生; 松下 圭吾; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第28回）, 2023年02月03日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, P-13
  62. SiO2上に形成したニッケルシリサイド薄膜の膜厚が表面形態・結晶相へ与える影響, 木村 圭佑; 田岡 紀之; 西村 駿介; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第28回）, 2023年02月03日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, P-14
  63. SiO2上へのNiGe薄膜の形成とその電気特性及び電子状態, 西村 駿介; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第28回）, 2023年02月03日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, P-15
  64. 共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討, 松下 圭吾; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第28回）, 2023年02月03日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, P-16
  65. GeコアSi量子ドットの構造評価と室温発光特性, 牧原 克典; Yuji Yamamoto; 今井 友貴; 田岡 紀之; Markus Andreas Schubert、Bernd Tillack; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第28回）, 2023年02月03日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, P-22
  66. AFM/ケルビンプローブモードによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの帯電状態評価, 今井 友貴; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第28回）, 2023年02月03日, 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, P-23
  67. 2023年01月24日
  68. 2023年01月24日
  69. 2023年01月24日
  70. 2023年01月24日
  71. 2023年01月23日
  72. Al/Ge(111)上に偏析したGe薄膜の化学結合状態分析, 松下 圭吾; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022), 2023年01月16日, 名古屋大学 野依学術記念交流館, 13
  73. Si酸化膜上に形成したニッケルシリサイド層の 膜厚が結晶相に与える影響, 木村 圭佑; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022), 2023年01月16日, 名古屋大学 野依学術記念交流館, 18
  74. SiH4照射によるFeナノドットのシリサイド化反応過程および発光特性の評価, 斎藤 陽斗; 牧原 克典; 大田 晃生; 田岡 紀之; 宮﨑 誠一, 第22回日本表面真空学会中部支部学術講演会, 2022年12月17日, 名古屋工業大学, 5
  75. 2022年12月14日
  76. 熱処理によるAl(111)上のSi表面偏析制御, 酒井 大希; 松下 圭吾; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第9回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 2022年12月10日, 名古屋大学 VBL, A11
  77. Si量子ドットの規則配列制御, 辻 綾哉; 今井 友貴; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮崎 誠一, 第9回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 2022年12月10日, 名古屋大学 VBL, A9
  78. Feシリサイドナノドットの室温PL特性および化学結合状態評価, 斎藤 陽斗; 牧原 克典; 大田 晃生; 田岡 紀之; 宮﨑 誠一, 第9回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 2022年12月10日, 名古屋大学 VBL, A8
  79. SiO2上へのニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果, 木村 圭佑; 田岡 紀之; 西村 駿介; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第9回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 2022年12月10日, 名古屋大学 VBL, A7
  80. Control of Surface Flatness and Ge Segregation on Metal/Ge Structure Toward Ultrathin and Two-dimensional Ge Crystal Growth, 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 2022年度 ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム, 2022年12月10日, 彦根勤労福祉会館「たちばな」
  81. 2022年11月28日
  82. 2022年11月28日
  83. 2022年11月25日
  84. 2022年11月10日
  85. 2022年10月13日
  86. 2022年09月29日
  87. 2022年09月28日
  88. 2022年09月27日
  89. FePtナノ構造の帯磁特性評価, 武 嘉麟; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 23a-A205-12
  90. Electron Emission Proprties of Multiple-Stacked SiGe-Nanodots/Si Structures, S. Qiu; K. Makihara; N. Taoka; A. Ohta; S. Miyazaki, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月23日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 23p-B101-7
  91. 第一原理計算によるSiO2/GaN界面の中間層の研究, 服部 柊人; 押山 淳; 白石 賢二; 宮﨑 誠一; 渡部 平司; 上野 勝典; 田中 亮; 近藤 剣; 高島 信也; 江戸 雅晴, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月22日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 22p-B204-3
  92. Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶層の転写, 松下 圭吾; 大田 晃生; 柴山 茂久; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 21p-A106-14
  93. ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果, 木村 圭佑; 田岡 紀之; 西村 駿介; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 21p-A106-15
  94. 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態, 西村 駿介; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 21p-A106-16
  95. 高温短時間熱処理による極薄SiO2上に形成したa-Si膜の結晶化, 今井 友貴; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月21日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 21a-C206-6
  96. Feシリサイドドットの室温PL特性―ドットサイズ依存性, 斎藤 陽斗; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月20日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 20a-A406-1
  97. 絶縁膜/GaN 界面の化学・電子状態評価－光電子分光分析からの知見, 宮﨑 誠一; 大田 晃生, 第83回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線」, 2022年09月21日, ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）, 21p-M206-5
  98. 2022年09月07日
  99. 2022年09月06日
  100. 2022年09月06日
  101. 2022年09月05日
  102. 2022年09月05日
  103. 2022年08月24日
  104. 2022年07月31日
  105. [チュートリアル]組成・状態評価, 宮﨑 誠一, 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会, 2022年07月30日, オンライン開催
  106. 2022年07月08日
  107. 2022年07月07日
  108. 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響, 安田 航; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術」 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 2022年06月21日, 名古屋大学 VBL, 講演No. SDM2022-26, 信学技報, vol. 122, no. 84, pp. 9-12, 2022年6月14日
  109. Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御, 酒井 大希; 松下 圭吾; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術」 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 2022年06月21日, 名古屋大学 VBL, 講演No. SDM2022-32, 信学技報, vol. 122, no. 84, pp. 31-34, 2022年6月14日
  110. SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御, 木村 圭佑; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術」 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 2022年06月21日, 名古屋大学 VBL, 講演No. SDM2022-31, 信学技報, vol. 122, no. 84, pp. 27-30, 2022年6月14日
  111. Al/Si(111)上に表面偏析したSiの光電子分光分析, 酒井 大希; 松下 圭吾; 大田 晃生; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月26日, ハイブリッド開催（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）, 講演No. 26a-P05-1
  112. SiO₂上へのニッケルシリサイド超薄膜の形成と化学結合状態分析, 木村 圭佑; 西村 駿介; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月26日, ハイブリッド開催（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）, 講演No. 26a-P05-2
  113. SiO2上に形成したNiGe超薄膜の表面形態と結晶相制御, 西村 駿介; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月25日, ハイブリッド開催（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）, 講演No. 25p-D114-2
  114. HCl前洗浄したAl2O3/GaN界面の高温電気的特性, 長井 大誠; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日, ハイブリッド開催（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）, 講演No. 24a-E302-8
  115. Feシリサイドドットの発光特性評価, 古幡 裕志; 斎藤 陽斗; 牧原 克典; 大田 晃生; 田岡 紀之; 宮﨑 誠一, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日, ハイブリッド開催（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）, 講演No. 24p-E103-4
  116. Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出―ドットサイズ依存性, 尾林 秀治; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月24日, ハイブリッド開催（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）, 講演No. 24p-F408-5
  117. Si量子ドットの一次元配列制御, 辻 綾哉; 今井 友貴; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮崎 誠一, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月23日, ハイブリッド開催（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）, 講演No. 23p-P11-1
  118. Suppression of Ga Diffusion by Interfacial Barrier Layer in AlSiO/p-GaN, X. Tian; W. Liu; A. Ohta; N. Taoka; K. Makihara; T. Narita; S. Miyazaki, 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 15th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2022 / IC-PLANTS 2022), 2022年03月09日, オンライン開催, 講演No. 09P-12 (1187)
  119. Photoemission Study of Mg doped GaN(0001) Surfaces, W. Liu; X. Tian; A. Ohta; N. Taoka; K. Makihara; S. Miyazaki, 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 15th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2022 / IC-PLANTS 2022), 2022年03月09日, オンライン開催, 講演No. 09P-13 (2000)
  120. Effects of Cl passivation on Al2O3/GaN interface properties, T. Nagai; N. Taoka; A. Ohta; K. Makihara; S. Miyazaki, 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 15th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2022 / IC-PLANTS 2022), 2022年03月09日, オンライン開催, 講演No. 09aC02O (1115)
  121. 基板加熱によるAl/Ge(111) の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe表面偏析, 松下 圭吾; 大田 晃生; 林 将平; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）, 2022年01月28日, オンライン開催, 講演No. P-17
  122. HClによる表面洗浄がAl2O3/GaN界面特性および電気的特性に与える影響, 長井 大誠; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）, 2022年01月28日, オンライン開催, 講演No. P-15
  123. AFM/KFM による超高密度一次元連結 Si 系量子ドットの局所帯電電荷分布計測, 今井 友貴; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第21回日本表面真空学会中部支部学術講演会（若手講演会）, 2021年12月18日, 日本表面真空学会中部支部, オンライン開催, 11:30 - 11:45 3
  124. Fe ナノドットへのSiH4 照射による Fe シリサイドナノドットの高密度・一括形成と室温PL 特性評価, 斎藤 陽斗; 古幡 裕志; 牧原 克典; 志村 洋介; 大田 晃生; 田岡 紀之; 宮﨑 誠一, 第21回日本表面真空学会中部支部学術講演会（若手講演会）, 2021年12月18日, 日本表面真空学会中部支部, オンライン開催, 11:15 - 11:30 2
  125. Electroluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core, 2021年度ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム, 2021年12月01日, ナノ学会, ハイブリット開催（対面（松江テルサ（島根県松江市)）、オンライン併用）, 12/1 13:30-14:10
  126. 2021年11月15日
  127. 2021年11月14日
  128. 2021年10月27日
  129. 2021年10月26日
  130. 2021年10月14日
  131. 2021年09月24日
  132. 2021年09月24日
  133. 2021年09月24日
  134. 2021年09月23日
  135. 2021年09月23日
  136. Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価, 尾林 秀治; 牧原 克典; 竹本 竜也; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月13日, オンライン開催, 講演番号：13p-N323-5
  137. 後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響, 安田 航; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月12日, オンライン開催, 講演番号：12p-N301-13
  138. 高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御, 古幡 裕志; 牧原 克典; 大田 晃生; 田岡 紀之; 宮﨑 誠一, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日, オンライン開催, 講演番号：10p-N302-10
  139. AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測, 今井 友貴; 牧原 克典; 田岡 紀之; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日, オンライン開催, 講演番号：10p-N304-5
  140. 基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響, 松下 圭吾; 大田 晃生; 田岡 紀之; 林 将平; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月10日, オンライン開催, 講演番号：10p-N202-18
  141. 2021年09月07日
  142. 2021年08月26日
  143. [チュートリアル]組成・状態評価, 宮﨑 誠一, 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会, 2021年07月31日, オンライン開催
  144. 2021年07月13日
  145. 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御, 大田 晃生; 松下 圭吾; 田岡 紀之; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術」（応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 2021年06月22日, オンライン開催, 信学技報, vol. 121, no. 71, SDM2021-29, pp. 27-31, 2021年6月
  146. 2021年06月
  147. ナノドットによる量子物性制御デバイスの開発, 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 放射線科学とその応用第186委員会 第38回研究会, 2021年05月18日, 日本学術振興会産学協力研究委員会 放射線科学とその応用第186委員会, オンライン開催
  148. リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響, 本田 俊輔; 古幡 裕志; 大田 晃生; 池田 弥央; 大島 大輝; 加藤 剛志; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月19日, オンライン開催
  149. XANAMにより測定したGe量子ドット像のX線エネルギー依存性, 鈴木 秀士; 向井 慎吾; 田 旺帝; 野村 昌治; 藤森 俊太郎; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一; 朝倉 清高, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月17日, オンライン開催
  150. 低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響, 前原 拓哉; 池田 弥央; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月17日, オンライン開催
  151. XANAMによるSi-Ge量子ドットにおけるX線誘起力変化の調査, 鈴木 秀士; 向井 慎吾; 田 旺帝; 野村 昌治; 藤森 俊太郎; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一; 朝倉 清高, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月16日, オンライン開催
  152. HCl前洗浄がAl2O3/GaN界面特性に与える影響, 長井 大誠; 田岡 紀之; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月16日, オンライン開催
  153. 2021年03月10日
  154. 2021年03月09日
  155. 2021年03月09日
  156. 2021年03月09日
  157. 2021年03月09日
  158. [チュートリアル]組成・状態評価, 宮﨑 誠一, 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会, 2021年03月06日, オンライン開催
  159. Sapphire(0001)上アモルファスGe薄膜の固相結晶化, 須川 響; 大田 晃生; 田岡 紀之; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）, 2021年01月22日, オンライン開催
  160. Ag/Ge構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge結晶形成, 大田 晃生; 山田 憲蔵; 須川 響; 田岡 紀之; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）, 2021年01月22日, オンライン開催
  161. 金属Hf/Zrの熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響, 長谷川 遼介; 田岡 紀之; 大田 晃生; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）, 2021年01月22日, オンライン開催
  162. グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価, 新林 智文; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第20回日本表面真空学会中部支部学術講演会, 2020年12月19日, 日本表面真空学会中部支部, オンライン開催
  163. 2020年09月28日
  164. 偏析法によるAl(111)薄膜表面上のゲルマネンの創製, 武藤 寛明; 柚原 淳司; 小林 征登; 大田 晃生; 宮崎 誠一; Guy Le Lay, 日本物理学会2020年秋季大会, 2020年09月11日, オンライン開催, 講演No. 11aJ1-5
  165. 2020年09月10日
  166. 2020年09月09日
  167. 2020年09月09日
  168. Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御, 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~, 2020年08月28日, オンライン開催
  169. [チュートリアル] 薄膜評価法－組成・状態評価
  170. 2019年05月21日
  171. 電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析
  172. Si-Geスーパーアトム構造の高密度集積と光・電子物性制御
  173. Si-Ge系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御
  174. GaN－MOSデバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び界面の光電子分光分析, 宮﨑 誠一, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会, 名古屋国際会議場
  175. Ge コア Si 量子ドットの EL 特性評価, 山田 健太郎; 池田 弥央; 牧原 克典; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 名古屋大学IB電子情報館
  176. 熱処理によるエピタキシャル Ag 上への Ge 二次元結晶の合成指針の構築, 伊藤 公一; 大田 晃生; 黒澤 昌志; 洗平 昌晃; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 名古屋大学IB電子情報館
  177. 熱処理がリモートプラズマ CVD SiO2/GaN 構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響, グェンスァン チュン; 田岡 紀之; 大田 晃生; 山田 永; 高橋 言緒; 池田 弥央; 牧原 克典; 清水 三聡; 宮﨑 誠一, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 名古屋大学IB電子情報館
  178. リモートプラズマ酸化した GaN の表面構造と電子状態, 山本 泰史; 田岡 紀之; 大田 晃生; グェンスァン チュン; 山田 永; 高橋 言緒; 池田 弥央; 牧原 克典; 清水 三聡; 宮﨑 誠一, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 名古屋大学IB電子情報館
  179. 入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測, 今川 拓哉; 大田 晃生; 田岡 紀之; 藤村 信幸; グェンスァン チュン; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 名古屋大学IB電子情報館
  180. 高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析 -界面ダイポールと酸素密度の相関-, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 名古屋大学IB電子情報館
  181. 硬 X 線光電子分光法による Si 量子ドット多重集積構造のオペランド分析, 中島 裕太; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, 名古屋大学IB電子情報館
  182. 熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御, 伊藤 公一; 大田 晃生; 黒澤 昌志; 洗平 昌晃; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
  183. 電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性, 牧原 克典; 池田 弥央; 藤村 信幸; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
  184. 真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価, 今川 拓哉; 大田 晃生; 藤村 信幸; グェン スァン チュン; 池田 弥央; 牧原 克典; 加地 徹; 塩崎 宏司; 宮﨑 誠一, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
  185. XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
  186. リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性, 山本 泰史; 田岡 紀之; 大田 晃生; グェン スァチュン; 山田 永; 高橋 言緒; 池田 弥央; 牧原 克典; 清水 三聡; 宮﨑 誠一, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
  187. リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の熱安定性, グェンスァン チュン; 田岡 紀之; 大田 晃生; 山田 永; 高橋 言緒; 池田 弥央; 牧原 克典; 清水 三聡; 宮﨑 誠一, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
  188. グリーンナノエレクトロニクスのための材料・プロセスインテグレーション － 超低消費電力次世代トランジスタ開発 －, 宮﨑 誠一, SPring-8シンポジウム2017, 広島大学 東千田未来創生センター
  189. リモート酸素プラズマ支援CVDによる急峻SiO2/GaN界面の形成とその電気的特性, N. X. Truye; 田岡 紀之; 大田 晃生; 山田 永; 高橋 言緒; 池田 弥央; 牧原 克典; 清水 三聡; 宮﨑 誠一, 2017年真空・表面科学合同講演会, 横浜市立大学金沢八景キャンパス, 第37回表面科学学術講演会要旨集 第58回真空に関する連合講演会予稿集, 発行日20170817, pp. 28, セッションID：1Dp11S
  190. 高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2との界面で生じる電位変化の定量, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 2017年真空・表面科学合同講演会, 横浜市立大学金沢八景キャンパス, 第37回表面科学学術講演会要旨集 第58回真空に関する連合講演会予稿集, 発行日20170817, pp. 28, セッションID: 1Dp10S
  191. エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成, 伊藤 公一; 大田 晃生; 黒澤 昌志; 洗平 昌晃; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, キャンパス・イノベーションセンター東京, 信学技報 IEICE Technical Report, vol. 117, no. 101, pp. 43-48, 資料番号 SDM2017-30, 発行日20170613
  192. XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, キャンパス・イノベーションセンター東京, 信学技報 IEICE Technical Report, vol. 117, no. 101, pp. 19-23, 資料番号 SDM2017-25, 発行日 20170613
  193. 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価, 大田 晃生; 加藤 祐介; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, キャンパス・イノベーションセンター東京, 信学技報 IEICE Technical Report, Vol. 117, No. 101, pp. 25-29, 発行日20170613
  194. XPSによるHfO2の電子親和力と界面ダイポールの定量, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮崎 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  195. ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電 子占有欠陥評価, 渡辺 浩成; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 森 大輔; 寺尾 豊; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  196. Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化お よび化学構造評価, 伊藤 公一; 大田 晃生; 黒澤 昌志; 洗平 昌晃; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  197. リモートプラズマ支援 CVD SiO2/GaN の界面特性, グェン スァン チュン; 田岡 紀之; 大田 晃生; 山本 泰史; 山田 永; 高橋 言緒; 池田 弥央; 牧原 克典; 清水 三聡; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  198. リモート酸素プラズマによるGaN表面酸化, 山本 泰史; 田岡 紀之; 大田 晃生; グェンスァ ン チュン; 山田 永; 高橋 言緒; 池田 弥央; 牧原 克典; 清水 三聡; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  199. 硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペラ ンド分析 －電位変化および化学結合状態評価－, 大田 晃生; 村上 秀樹; 池田 弥央; 牧原 克典; 池永 英司; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  200. Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価, 山田 健太郎; 牧原 克典; 池田 弥央; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  201. 硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の 電位分布評価, 中島 裕太; 竹内 大智; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  202. Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性, 高 磊; 池田 弥央; 山田 健太郎; 牧原 克典; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜
  203. X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会, 東レ研修センター（静岡県三島市）, 講演番号 P-20, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会)予稿集, pp. 187 - 190, 発行日 20170120
  204. 光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価, グェン チュンスァン; 大田 晃生; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会, 東レ研修センター（静岡県三島市）, 講演番号 P-25, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会)予稿集, pp. 207 - 210, 発行日 20170120
  205. HfO₂/SiO₂/Si構造の光電子分光分析ー界面ダイポールの定量ー, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会, 名古屋大学
  206. 熱酸化SiO₂/4H-SiCSi面およびC面の電子専有欠陥および化学構造評価, 渡辺 浩成; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 森 大輔; 寺尾 豊; 宮﨑 誠一, 第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会, 名古屋大学
  207. Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性, 中島 裕太; 竹内 大智; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 2016 真空・表面科学合同講演会, 名古屋国際会議場 （名古屋市熱田区）
  208. HAXPESによるSi-MOSキャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析, 大田 晃生; 村上 秀樹; 池田 弥央; 牧原 克典; 池永 英司; 宮﨑 誠一, 2016 真空・表面科学合同講演会, 名古屋国際会議場 （名古屋市熱田区）
  209. IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御, 伊藤 公一; 大田 晃生; 黒澤 昌志; 洗平 昌晃; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 2016 真空・表面科学合同講演会, 名古屋国際会議場 （名古屋市熱田区）
  210. Si細線構造への高密度Si量子ドット形成, 高 磊; 竹内 大智; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 2016 真空・表面科学合同講演会, 名古屋国際会議場 （名古屋市熱田区）
  211. シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価, 加藤 祐介; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 2016 真空・表面科学合同講演会, 名古屋国際会議場 （名古屋市熱田区）
  212. FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価, 河瀬 平雅; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  213. Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成(II), 王 亜萍; 竹内 大智; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  214. GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性, 山田 健太郎; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  215. HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価, 藤村 信幸; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  216. X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価, 山本 泰史; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  217. リモートプラズマCVDSiO2/GaN界面の光電子分光分析, グェン スァン チュン; 大田 晃生; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  218. GeコアSi量子ドット／Si量子ドット多重集積構造のEL特性, 竹内 大智; 山田 健太郎; 牧原 克典; 池田 弥央; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  219. 4H-SiCSi面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価, 渡辺 浩成; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
  220. リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成, グェンスァン チュン; 藤村 信幸; 竹内 大智; 大田 晃生; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, シリコン材料・デバイス研究会(SDM), キャンパス・イノベーションセンター東京, 信学技報, vol. 116, no. 118, pp. 49-52, 資料番号 SDM2016-41, 発行日 20160622
  221. XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量, 藤村 信幸; 大田 晃生; 渡辺 浩成; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, シリコン材料・デバイス研究会(SDM), キャンパス・イノベーションセンター東京, 信学技報, vol. 116, no. 118, pp. 43-47, 資料番号 SDM2016-40, 発行日 20160622
  222. [チュートリアル]組成・状態分析, 宮﨑 誠一, 薄膜工学セミナー2016～薄膜の基礎から応用まで～, キャンパスイノベーションセンター東京
  223. Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性評価, 加藤 祐介; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学
  224. 磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価, 張 海; 満行 優介; 牧原 克典; 池田 弥央; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学
  225. ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価(II), 渡辺 浩成; 大田 晃生; 藤村 信行; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学
  226. GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響, 山田 健太郎; 近藤 圭悟; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学
  227. GeコアSi量子ドットの発光メカニズム, 近藤 圭悟; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学
  228. FePtナノドットスタック構造における磁気伝導特性, 河瀬 平雅; 満行 優介; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学
  229. リモートH2プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面の改質, グェン スァンチュン; 竹内 大智; 大田 晃生; 池田 弥央; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会) 研究報告, pp. 217 - 220, 講演番号 P-27, 発行日 20160121
  230. Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価, 藤村 信幸; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会) 研究報告, pp. 209 - 212, 講演番号 P-25, 発行日 20160121
  231. SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響, 加藤 祐介; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会) 研究報告, pp. 205 - 208, 講演番号 P-24, 発行日 20160121
  232. SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析, 渡辺 浩成; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), 東レ総合研修センター（静岡県三島市）, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会)研究報告, pp. 185 - 188, 講演番号 P-19, 発行日 20160121
  233. グリーンナノエレクトロニクスのための材料・プロセスインテグレーション ~超低消費電力次世代トランジスタ開発~, 宮﨑 誠一; 大田 晃生, SPring-8シンポジウム2015 放射光が先導するグリーンイノベーション ～グローバルな視点からの発信～, 九州大学 伊都キャンパス カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所/I2CNER（アイスナー） 大ホール他
  234. [チュートリアル] CVD1（シリコン系）, 宮﨑 誠一, サンパーク犬山
  235. リモートH2プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析, グェンスァン チュン; 大田 晃生; 竹内 大智; 張 海牧原; 克; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  236. 光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2), 大田 晃生; 渡邉 浩成; グェンスァン チュン; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  237. リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度一括形成と磁化特性評価, 張 海; 牧原 克典; 大田 晃生; 壁谷 悠希; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  238. 外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響, 満行 優介; 壁谷 悠希; 張 海; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  239. 高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性, 壁谷 悠希; 満行 優介; 張 海; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  240. P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響, 近藤 圭悟; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  241. Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価, 竹内 大智; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  242. 不純物添加がSi量子ドット多重集積構造のEL特性に及ぼす影響, 山田 敬久; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  243. リモート水素プラズマ支援によるTaナノドットの高密度一括形成, 王 亜萍; 牧原 克典; 大田 晃生; 竹内 大智; 宮﨑 誠一, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学（神奈川県平塚市）
  244. Si-rich酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響, 荒井 崇; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）, 東レ研修センター（静岡県三島市）
  245. 光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測, 大田 晃生; 竹内 大智; チュン グェンスァン; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学
  246. 不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス, 山田 敬久; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学
  247. P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性, 竹内 大智; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学
  248. FePtナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性, 壁谷 悠希; 牧原 克典; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学
  249. リモート水素プラズマ支援によるMn-Ge系ナノドットの高密度一括形成, 温 映輝; 牧原 克典; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学
  250. Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性, 荒井 崇; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学
  251. Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性, 荒井 崇; 劉 冲; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  252. 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価(II), 竹内 大智; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  253. P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス, 山田 敬久; 牧原 克典; 鈴木 善久; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  254. P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価, 近藤 圭悟; 鈴木 善久; 牧原 克典; 池田 弥央; 小山 剛史; 岸田 英夫; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  255. リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成, 温 映輝; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  256. リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度形成, 張 海; 牧原 克典; 大田 晃生; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  257. AFM/KFMによる自己整合一次元連結Si量子ドットの局所帯電評価, 恒川 直輝; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  258. Mnナノドットを埋め込んだSiOxMIM構造の局所電気伝導解析, 荒井 崇; 劉冲; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  259. FePt合金ナノドットの構造および磁化特性評価, 福岡 諒; 張 海; 牧原 克典; 大田 晃生; 徳岡 良浩; 加藤 剛志; 岩田 聡; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  260. Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性, 劉 冲; 荒井 崇; 大田 晃生; 竹内 大智; 張 海; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  261. 磁性AFM探針を用いたCoPt合金ナノドットの電子輸送特性評価-外部磁場依存性, 壁谷 悠希; 張 海; 福岡 諒; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県）
  262. 金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成, 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第１回合同シンポジウム～中部ものづくりは名大から～, 名古屋大学
  263. Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成, 小野 貴寛; 村上 秀樹; 大田 晃生; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, ゲートスタック研究会, ニューウェルシティー湯河原 （静岡県熱海市）, ゲートスタック研究会研究報告, pp. 183-186, 発行日 20140124, 講演番号 P-17
  264. HfO2/TaGexOy絶縁膜を用いたGe-MISキャパシタにおける熱処理効果, 橋本 邦明; 大田 晃生; 村上 秀樹; 小野 貴寛; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, ゲートスタック研究会, ニューウェルシティー湯河原 （静岡県熱海市）, ゲートスタック研究会研究報告 pp. 139-142, 発行日 20140124
  265. 光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討, 大田 晃生; 村上 秀樹; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, ゲートスタック研究会, ニューウェルシティー湯河原 （静岡県熱海市）, ゲートスタック研究会研究報告, pp. 179-182, 発行日 20140124, 講演番号 P-16
  266. 半導体ーメタル接触界面の構造について, 宮﨑 誠一, 第13回日本表面科学会中部支部・学術講演会, 名古屋工業大学
  267. リモート水素プラズマ支援によるSiO₂上へのFeナノドットの高密度・一括形成, 張 海; 福岡 涼; 壁谷 悠希; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第12回日本表面科学会中部支部・学術講演会, 名古屋工業大学
  268. SiOx/TiO₂積層したTi電極MIMダイオードの抵抗スイッチング, 荒井 崇; 大田 晃生; 福嶋 太紀; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第12回日本表面科学会中部支部・学術講演会, 名古屋工業大学
  269. 導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出特性評価, 竹内 大智; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一; 可貴 裕和; 林 司, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  270. AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットにおける帯電電荷の経時変化計測, 恒川 直輝; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  271. リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度・一括形成と磁化特性評価, 福岡 諒; 張 海; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  272. リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成, 張 海; 福岡 諒; 壁谷 悠希; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  273. ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上, 恒川 直輝; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  274. 一次元連結Si系量子ドットの電界発光減衰特性, 鈴木 善久; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  275. 外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電気伝導特性に及ぼす影響, 壁谷 悠希; 張 海; 福岡 諒; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  276. B添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス, 山田 敬久; 牧原 克典; 鈴木 善久; 宮﨑 誠一, 応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, 名古屋大学
  277. ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上, 小野 貴寛; 大田 晃生; 花房 宏明; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学（京都）
  278. 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価, 竹内 大智; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学（京都）
  279. バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響, 鈴木 善久; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学（京都）
  280. リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成, 張 海; 福岡 諒; 壁谷 悠希; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学（京都）
  281. 外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電子輸送特性に及ぼす影響, 壁谷 悠希; 福岡 諒; 張 海; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学（京都）
  282. リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価, 福岡 諒; 張 海; 壁谷 悠希; 恒川 直輝; 牧原 克典; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学（京都）
  283. HfO2/TaGexOyを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化, 橋本 邦明; 大田 晃生; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学（京都）
  284. 次世代MISトランジスタ実現に向けた材料プロセスインテグレーション～金属/高誘電率絶縁膜/Geチャネルゲートスタック構造の硬X線光電子分光～, 宮﨑 誠一, SPring-8シンポジウム2013, 京都大学宇治おうばくプラザ
  285. SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価, 大田 晃生; 福嶋 太紀; 牧原 克典; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, SDM研究会「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 機械振興会館, 信学技報, vol. 113, no. 87, pp. 61-66, 発行日 20130611, 資料番号 SDM2013-56
  286. リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価, 牧原 克典; 福岡 諒; 張 海; 壁谷 悠希; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, SDM研究会「ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, 機械振興会館, 信学技報, vol. 113, no. 87, SDM2013-53, pp. 47-50, 発行日 20130611, 資料番号 SDM2013-53
  287. 導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造の電子放出特性評価, 竹内 大智; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一; 可貴 裕和; 林 司, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  288. リモート水素プラズマ支援によるCoPt合金ナノドットの高密度形成, 福岡 諒; 張 海; 壁谷 悠希; 牧原 克典; 大田 晃生; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  289. CoPt合金ナノドットの帯磁特性評価, 壁谷 悠希; 張 海; 福岡 諒; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  290. Ti電極MIMダイオードにおけるSiOx/TiO2多重積層の抵抗変化特性評価, 福嶋 太紀; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  291. Niナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si：H/Ge：Hヘテロ結合の低温堆積, 盧 義敏; 高 金; 牧原 克典; 酒池 耕平; 藤田 悠二; 池田 弥央; 大田 晃生; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  292. 非接触AFMによるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出メカニズム解析, 竹内 大智; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一; 可貴 裕和; 林 司, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  293. パルスバイアス印加が一次元連結Si系量子ドットの電界発光に及ぼす影響, 鈴木 善久; 牧原 克典; 高見 弘貴; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  294. 自己組織化形成Si系量子ドットの選択成長, 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  295. 縦積み連結Si系量子ドットの超高密度集積構造における電子輸送特性, 新美 博久; 牧原 克典; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  296. 多重集積したB添加量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性評価, 山田 敬久; 牧原 克典; 高見 弘貴; 鈴木 善久; 池田 弥央; 宮﨑 誠一, 第60回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  297. スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価, 福島 太紀; 大田 晃生; 牧原 克典; 宮﨑 誠一, ゲートスタック研究会（第18回研究会）, ニューウェルシティ湯河原, 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」第18回研究会研究報告, pp. 233 - 236, 発行日 20130125
  298. スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析, 大田 晃生; 牧原 克典; 池田 弥央; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, ゲートスタック研究会（第18回研究会）, ニューウェルシティ湯河原, 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」第18回研究会研究報告, pp. 229 - 232, 発行日 20130125
  299. Ⅹ線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析, 小野 貴寛; 大田 晃生; 花房 宏明; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮﨑 誠一, ゲートスタック研究会（第18回研究会）, ニューウェルシティ湯河原, 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」第18回研究会研究報告, pp. 171 - 174, 発行日 20130125
  300. 不純物イオン注入 SiC 基板の高効率活性化と化学結合状態評価, 村上 秀樹; 芦原 龍平; 丸山 佳祐; 花房 宏明; 宮崎 誠一; 東 清一郎, ゲートスタック研究会（第18回研究会）, 2013年01月26日, ニューウェルシティ湯河原, 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」第18回研究会研究報告, pp. 119 - 122, 発行日 20130124
  301. 導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶／柱状Siナノ構造からの電子放出検出, 竹内大智; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一; 可貴裕和; 林司, 第12回日本表面科学会中部支部研究会, 名城大学
  302. ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発―機能進化・高度化への挑戦, 宮﨑 誠一, 薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会「薄膜デバイスの未来」, なら100年会館（奈良市）, 2T01, pp.1-26
  303. 溶液ペーストによる無機材料を用いた太陽電池の作製, 張海; 市村正也; 牧原克典; 宮崎誠一, 応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], 岐阜大学
  304. 導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造からの電子放出検出, 竹内大智; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一; 可貴裕和; 林司, 応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], 岐阜大学
  305. Ti系電極を用いたSiOx膜の化学構造分析と抵抗スイッチング特性評価, 福島太紀; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一, 応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], 岐阜大学
  306. 導電性AFM短針によるNiナノドット上に形成した高結晶性Ge:H薄膜も局所伝導評価, 高 金; 牧原克典; 高見弘貴; 竹内大智; 酒池耕平; 林 将平; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  307. NiナノドットがGe:H薄膜堆積および電気伝導特性に及ぼす影響, 高 金; 牧原克典; 池田弥央; 福嶋太紀; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  308. As+イオン注入した4H-SiC基板の化学結合状態評価, 村上秀樹; 大田晃生; 芦原龍平; 雨宮嘉照; 田部井哲夫; 横山 新; 吉川公麿; 宮崎誠一; 東清一郎, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  309. 溶液ペーストによるCuO/ZnOヘテロ構造太陽電池の作製, 張 海; 市村正也; 牧原克典; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  310. As+イオン注入したGe(100)の光電子分光分析, 小野貴寛; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  311. ゲルマニウムドライ酸化における基板面方位依存性, 大田晃生; Siti Kudnie Sahari; 池田弥央; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  312. 電圧パルス幅が一次元連結Si系量子ドット発光ダイオードのEL特性に及ぼす影響, 高見弘貴; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  313. パルスバイアス印加による一次元連結Si系量子ドットの電界発光評価, 鈴木善久; 牧原克典; 高見弘貴; 池田弥央; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  314. 導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出検出, 竹内大智; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一; 可貴裕和; 林 司, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  315. AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットの帯電電荷分布計測, 恒川直輝; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  316. TaOx/p-Ge(100)界面のエネルギーバンドアライメント評価とAl電極ショットキーダイオードの伝導制御, 橋本邦明; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  317. Ti系電極を用いたSiリッチ酸化層の抵抗変化特性評価, 福嶋太紀; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一, 第73回応用物理学会学術講演会, 松山大学
  318. As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析, 小野貴寛; 大田晃生; 村上秀樹; 東 清一郎; 宮崎誠一, 電気情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 名古屋大学, SDM2012-55, 信学技報 vol.112, No. 92, pp. 63-67
  319. 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御, 大田晃生; 松井真史; 村上秀樹; 東 清一郎; 宮崎誠一, 電気情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 名古屋大学, SDM2012-53, 信学技報 Vol. 112, No. 92, pp. 53-58
  320. TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御, 村上秀樹; 三嶋健斗; 大田晃生; 橋本邦明; 東 清一郎; 宮崎誠一, 電気情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 名古屋大学, SDM2012-7, 信学技報 Vol. 112, No. 92, pp. 33-36
  321. Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動, 池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一, 電気情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 名古屋大学, SDM2012-45, 信学技報 Vol. 112, No. 92, pp. 13-16
  322. Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価, 福嶋太紀; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一, 電気情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 名古屋大学, SDM2012-43, 信学技報 Vol. 112, No. 92, pp. 1-6
  323. 2012年06月08日
  324. 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価, 竹内大智; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一; 可貴裕和; 林 司, 電子デバイス研究会（ED）電子部品・材料研究会（CPM）シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
  325. 一次元縦積連結みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用, 牧原克典; 宮崎誠一, 電子デバイス研究会（ED）電子部品・材料研究会（CPM）シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
  326. Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答, 池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 18a-GP6-11
  327. 高濃度As+イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価, 小野貴寛; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 18a-A6-9
  328. AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットの帯電状態の経時変化計測, 牧原克典; 恒川直輝; 池田弥央; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 18p-A1-8
  329. 一次元縦積み連結Si系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導, 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 18p-A1-7
  330. 一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価, 高見弘貴; 牧原克典; 出木秀典; 池田弥央; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 18p-A1-5
  331. 極薄層挿入によるAl/p-Ge接合のショットキー障壁制御, 松井真史; 大田晃生; 村上秀樹; 小野貴寛; 橋本邦明; 東清一郎; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 18p-A1-3
  332. 導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造の局所電気伝導評価, 竹内大智; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一; 可貴裕和; 林 司, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 18a-A1-4
  333. 熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtおよびPtシリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用, 牧原克典; 山根雅人; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月18日, 早稲田大学, 講演奨励賞受賞記念講演, 18a-B3-1
  334. 走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明, 近藤博基; 安田幸司; 牧原克典; 宮崎誠一; 平松美根男; 関根 誠; 堀 勝, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月16日, 早稲田大学, 16a-A3-11
  335. GeH4 VHF-ICP からの高結晶性Ge:H 薄膜堆積 -Ni ナノドットを用いた結晶核発生制御-, 高金; 牧原克典; 酒池耕平; 林 将平; 出木秀典; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月16日, 早稲田大学, 16a-B6-5
  336. ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性, 大田晃生; Siti Kudnie Sahari; 池田弥央; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月16日, 早稲田大学, 16a-A5-4
  337. Ptナノドット電極を用いたSiOx膜の抵抗変化特性評価, 福嶋太紀; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月16日, 早稲田大学, 16p-F6-12
  338. Pt/SiOx/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価, 福嶋太紀; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合, 2012年03月16日, 早稲田大学, 16p-F6-11
  339. Pt/SiOx/Pt構造における抵抗変化特性, 大田晃生; 牧原克典; 池田弥央; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第59回応用物理学会関係連合講演会, 2012年03月16日, 早稲田大学, 16p-F6-10
  340. 酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制 1, 大塚慎太郎; 古屋沙絵子; 清水智弘; 新宮原正三; 牧原克典; 宮崎誠一; 渡辺忠孝; 高野良紀; 高瀬浩一, 第59回応用物理学会関係連合講演会, 2012年03月15日, 早稲田大学, 15a-GP3-11
  341. Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響, 大田 晃生; シティ クディニ サハリ; 池田 弥央; 松井 真史; 三嶋 健人; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮崎 誠一, ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), 2012年01月21日, pp. 93 - 96
  342. 熱処理による金属/GeO2界面化学構造変化－X線光電子分光分析, 松井 真史; 大田 晃生; 村上 秀樹; 小野 貴寛; 東 清一郎; 宮崎 誠一, ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), 2012年01月20日, 三嶋, pp. 169 - 172
  343. RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価, 大田 晃生; 後藤 優太; 西垣 慎吾; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮崎 誠一, ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), 2012年01月20日, 三島, pp. 221 - 224
  344. HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御, 三嶋 健斗; 村上 秀樹; 大田 晃生; 橋本 邦明; 東 清一郎; 宮崎 誠一, ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), 2012年01月20日, 三島, pp. 121 - 124
  345. 超低消費電力化デバイス開発に向けた材料・プロセス研究, 宮崎誠一, SPring-8コンファレンス2011, 東京ステーションコンファレンス, pp.53
  346. Ge基板上への Layer-by-layer法によるTiOx形成と界面反応制御, 村上秀樹; 藤岡知宏; 大田晃生; 三嶋健斗; S. K. Sahari; 東清一郎; 宮崎誠一, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学
  347. ALD及びLayer-by-Layer法による極薄Ta酸化膜の形成とGe(100)基板における界面酸化評価, 三嶋健斗; 村上秀樹; 大田晃生; Sahari S. K; 藤岡知宏; 東清一郎; 宮崎誠一, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学
  348. 一次元連結・高密度Si系量子ドットにおけるEL発光, 高見弘貴; 牧原克典; 出木秀典; 池田弥央; 宮崎誠一, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学
  349. 導電性AFMによる柱状Siナノ構造における電気伝導特性評価, 高 金; 牧原克典; 大田晃生; 池田弥央; 宮崎誠一; 可貴裕和; 林 司, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学
  350. KFMによる微結晶ゲルマニウム薄膜の局所帯電評価, 牧原克典; 出木秀典; 池田弥央; 宮崎誠一, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学
  351. プラズマジェット急速熱処理による高密度Ptナノドット形成とフローティングゲートメモリ応用, 牧原克典; 池田弥央; 山根雅人; 東清一郎; 宮崎誠一, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学
  352. RFスパッタにより形成したSiOx薄膜の抵抗変化特性評価, 大田晃生; 後藤優太; 西垣慎吾; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学
  353. Hf系高誘電率絶縁膜のX線光電子分光分析, 大田 晃生; 森 大樹; 村上 秀樹; 東 清一郎; 宮崎 誠一, 応用物理学会 中・四国支部 2011年度 支部学術講演会, 鳥取大学 鳥取キャンパス, 鳥取市, 鳥取県
  354. 化学気相成長法, 宮崎誠一, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第28回 薄膜スクール, 松風園, 蒲郡
  355. RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性, 大田晃生; 後藤優太; 西垣慎吾; 「Guobin Wei; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会, 名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
  356. 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析, 松井真史; 藤岡知宏; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会, 名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
  357. Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御, 村上秀樹; 藤岡知宏; 大田晃生; 三嶋健斗; 東清一郎; 宮崎誠一, 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会, 名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
  358. ランプセッション「エレクトロニクスを支える電子材料 ～２０２０年への展望～」, ラフォーレ琵琶湖
  359. HfO2/Ge界面へのTiOx挿入による界面反応制御, 藤岡知宏; 大田晃生; 三嶋健斗; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  360. Ru添加したTiYxOyの抵抗変化特性評価, 大田晃生; 後藤優太; 三嶋健斗; Goubin Wei; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎 誠一, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  361. Pt/SiOx/Pt キャパシタ構造の抵抗変化特性評価(Ⅱ), 後藤優太; 大田晃生; 西垣慎吾; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  362. 凹凸構造を持った抵抗変化メモリの電流―電圧特性, 大塚慎太郎; 古屋紗絵子; 清水智弘; 新宮原正三; 牧原克典; 宮崎誠一; 渡辺忠孝; 高野良紀; 高瀬浩一, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  363. 自己整合一次元連結Si量子ドットの形成，熱プラズマいたミリ秒熱処理によるPtシリサイドナノドットの形成ジェットを用, 山根雅人; 池田弥央; 森澤直也; 松原良平; 西田悠亮; 松本和也; 林将平; 牧原克典; 宮崎誠一; 東清一郎, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  364. リモート水素プラズマ処理によるPt/a-Ge:Hの合金化反応制御, 牧原克典; 森澤直也; 藤岡知宏; 松本達弥; 林将平; 岡田竜弥; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  365. 熱プラズマジェットミリ秒熱処理による高密度Ptナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用, 牧原克典; 山根雅人; 森澤直也; 松本和也; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  366. 高密度自己整合集積したSi系量子ドットのエレクトロルミネッセンス, 牧原克典; 出木秀典; 森澤直也; 池田弥央; 宮崎誠一, 第58回春季応用物理学会, 神奈川工科大学
  367. ルテニウムの化学結合および電子状態評価, 三嶋健斗; 後藤優太; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第16回研究会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, pp. 135 - 138
  368. X線光電子分光法による金属/ GeO2界面の化学結合状態分析, 松井真史; 藤岡知宏; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第16回研究会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, pp. 143 - 146
  369. アカデミックロードマップ-シリコン技術, 宮崎誠一, セミコン・ジャパン2010, 幕張メッセ, 横浜
  370. シリコン系量子ドット・メタルナノドットの形成制御と機能発現, 平成21年度 東北大プロジェクト研究会
  371. ナノ構造制御の課題, 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  372. Ge-MIS構造における界面化学結合状態の光電子分光分析, 大田晃生; 藤岡知宏; 後藤優太; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  373. Pt/SiO2/Pt キャパシタ構造の抵抗変化特性評価, 後藤優太; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  374. 自己整合一次元連結Si 量子ドットの形成, 牧原克典; 池田弥央; 大田晃生; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  375. マイクロ熱プラズマジェット結晶化Si 膜を用いたTFT の電気特性評価, 林将平; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  376. 有機金属原料を用いたALDによるGe上へのTi酸化膜の形成, 藤岡知宏; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  377. ルテニウム酸化物の化学結合および電子状態評価, 三嶋健斗; 大田晃生; 後藤優太; 藤岡知宏; 村上秀樹; 東 清一郎; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  378. PtSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける多段階電子注入特性, 池田弥央; 中西翔; 森澤直也; 川浪彰; 牧原克典; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  379. 微小融液滴下による疑似エピタキシャルGe / Siの形成, 松本竜弥; 東清一郎; 牧原克典; 赤澤宗樹; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  380. マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi 結晶粒位置制御, 林将平; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  381. マイクロ秒急速熱処理によるSi ウェハ表面の高効率不純物活性化, 松本和也; 東清一郎; 宮崎誠一, 第71回秋季応用物理学会, 長崎大学
  382. High-k/メタルゲート技術―界面の物理と制御, 宮崎誠一, TEL Advanced Technology Forum 2010, 東京エレクトロン株式会社 山梨事業所
  383. 化学気相成長法, 薄膜スクール
  384. 金属/GeO2および金属/Ge(100)ショットキ界面の光電子分光分析, 松井真史; 藤岡知宏; 板東竜也; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2010年度支部学会講演会
  385. 振動伝搬を利用した微小シリコン融液滴下技術の開発, 赤澤宗樹; 東清一郎; 松本竜弥; 宮崎誠一, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2010年度支部学会講演会
  386. Ge MIS およびGe/Metal 接合の化学結合状態および電気的特性評価, 藤岡知宏; 板東竜也; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
  387. TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響, 大田晃生; 後藤優太; モハマド ファイルズ; カマルザン; 尉国浜; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
  388. リモート水素プラズマ処理における石英基板表面温度の非接触測定, 筒井啓喜; 岡田竜弥; 東清一郎; 広重康夫; 松本和也; 宮崎誠一; 野口隆, 第57回春季応用物理学会
  389. TiYxOy膜の化学結合状態分析および抵抗変化特性評価, 大田晃生; モハマド ファイルズ; カマルザン; 後藤優太; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  390. MgO/HfO2/SiO2スタック構造の光電子分光分析, 貫目大介; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  391. 大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェットを用いた溶融領域の高速走査による高結晶性Si膜の形成とTFT応用, 林将平; 東清一郎; 広重康夫; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  392. Si熱酸化膜上へのGe量子ドットの高密度形成, 牧原克典; 池田弥央; 大田晃生; 川浪彰; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  393. Coナノドットの帯電および帯磁評価, 川浪 彰; 牧原克典; 池田弥央; 芦原龍平; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  394. リモート水素プラズマ支援によるPtAlナノドットの形成, 芦原龍平; 牧原克典; 川浪彰; 池田弥央; 大田晃生; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  395. SiO2/Si/SiGe0.5/Siヘテロ構造の価電子帯オフセット評価, 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一; 櫻庭政夫; 室田淳一, 第57回春季応用物理学会
  396. 高密度熱プラズマジェット照射急速熱処理による極浅接合中の高効率不純物活性化, 松本和也; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  397. 大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるゲート絶縁膜の信頼性向上, 広重康夫; 東清一郎; 林将平; 西田悠亮; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  398. 大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたSi膜の高速横方向結晶成長とTFTの電気特性評価, 林将平; 東清一郎; 広重康夫; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  399. 光電子分光法によるGe MISおよびショットキ接合界面の化学結合状態分析, 藤岡知宏; 板東竜也; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  400. Pt/a-Ge:Hのリモート水素プラズマ処理によるPtGe薄膜形成, 宮崎裕介; 牧原克典; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  401. Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートの光応答特性, 森澤直也; 池田弥央; 中西翔; 川浪彰; 牧原克典; 東清一郎; 宮崎誠一, 第57回春季応用物理学会
  402. ２次元電子ガス―量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察, 村口正和; 高田幸宏; 櫻井蓉子; 野村晋太郎; 白石賢二; 牧原克典; 池田弥央; 宮崎誠一; 重田育照; 遠藤哲郎, 日本物理学会第65回年次大会
  403. マイクロ熱プラズマジェット照射超高速ゾーンメルティングによるa-Si膜の結晶化, 林将平; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第27回プラズマプロセシング研究会
  404. TiO2/Pt界面における化学結合状態と抵抗変化特性評価, 後藤優太; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第15回研究会)
  405. HfO2/SiO2スタック構造中に熱拡散したMg原子の化学結合状態とMgが欠陥準位密度に及ぼす影響, 貫目大介; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第15回研究会)
  406. 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成, 広重康夫; 東清一郎; 宮崎祐介; 松本和也; 宮崎誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
  407. 熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度精密制御と不純物活性化への影響, 松本和也; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都
  408. 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成, 広重康夫; 東清一郎; 岡田竜弥; 松本和也; 宮崎誠一, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会
  409. 大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の横方向結晶成長, 林将平; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会
  410. Siマイクロ融液プロセスによる水素終端Si表面での結晶成長制御, 松本竜弥; 東清一郎; 宮崎誠一, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会
  411. プラズマによる薄膜形成技術, 20回プラズマエレクトロニクス講習会「プラズマプロセスの基礎と応用」－低圧・大気圧実用プロセシングから先端薄膜・バイオ応用―
  412. 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理による低温形成SiO2膜の高品質化, 広重康夫; 東清一郎; 岡田竜弥; 松本和也; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  413. 表面前処理がリモート水素プラズマ支援金属マイグレーションに及ぼす影響, 川浪 彰; 牧原克典; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  414. リモート水素プラズマ支援によるCoおよびCoシリサイドナノドット形成, 川浪 彰; 牧原克典; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  415. Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層FG-MOS構造における光誘起電荷移動, 森澤直也; 池田弥央; 中西翔; 川浪彰; 牧原克典; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  416. NiSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入・放出特性, 中西 翔; 池田弥央; 森澤直也; 牧原克典; 川浪彰; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  417. リモート水素プラズマ支援による表面Pt被覆したa-Ge薄膜の局所結晶化, 宮崎佑介; 牧原克典; 川浪彰; 岡田竜也; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  418. X線光電子分光法によるTiO2/Pt界面の化学結合状態分析, 後藤優太; 貫目大介; 大田晃生; 尉国浜; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  419. 大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の結晶化, 林将平; 東清一郎; 広重康夫; 松本和也; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  420. 熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度制御と不純物活性化, 松本和也; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  421. 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成, 広重康夫; 東清一郎; 岡田竜弥; 松本和也; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  422. メタル/高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける内部電位評価－メタルゲート仕事関数変化の起源, 2009年秋季 第70回応用物理学学術講演会
  423. HfO2層へ熱拡散したMg原子の化学結合状態分析, 貫目大介; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  424. X線光電子分光法によるPt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造の内部ポテンシャル評価, 森大樹; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 第70回秋季応用物理学会
  425. 「シリコンテクノロジーの挑戦―材料・プロセス・デバイスの新展開」について, 2009年秋季 第70回応用物理学学術講演会
  426. 大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の溶融結晶化, 林将平; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第3回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール
  427. 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理時の加熱・冷却速度が不純物活性化に及ぼす影響, 松本和也; 東清一郎; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第3回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール
  428. 低炭素社会の実現に向けた先端基盤技術－太陽光発電を中心として－, 第12回「フレッシュ理科教室」－楽しい理科授業のための教材研修ワークショップ―
  429. Pt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造のバックサイドX線光電子分光分析, 森大樹; 大田晃生; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会
  430. Siマイクロ融液プロセスによる水素終端Si表面上での結晶成長制御, 松本竜弥; 東清一郎; 木庭直浩; 宮崎誠一, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会
  431. Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入特性, 森澤直也; 池田弥央; 中西翔; 川浪彰; 牧原克典; 東清一郎; 宮崎誠一, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会
  432. 熱プラズマジェット結晶化μc-Si膜を用いたTFTの電気特性評価, 林将平; 東清一郎; 菅川賢治; 加久博隆; 宮崎誠一, 第22回プラズマ材料科学シンポジウム
  433. 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散, 大田晃生; 貫目大介; 東清一郎; 宮崎誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
  434. TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価, 後藤優太; 貫目大介; 大田晃生; 尉国浜; 村上秀樹; 東清一郎; 宮崎誠一, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
  435. 超高密度Si量子ドットにおける二次元電気伝導, 牧原克典; 池田弥央; 川浪 彰; 東清一郎; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会, 茨城
  436. リモートプラズマ支援による金属ナノドット形成メカニズム, 島ノ江和広; 川浪 彰; 藤本淳仁; 牧原克典; 池田弥央; 東清一郎; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会, 茨城
  437. HfO2コントロール酸化膜を有するNiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入特性, 池田弥央; 牧原克典; 島ノ江和広; 川浪彰; 中西翔; 森澤直也; 藤本淳仁; 大田晃生; 貫目大介; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会, 茨城
  438. 熱プラズマジェットミリ秒熱処理を用いたSiOx薄膜からのSiナノ結晶形成とその電荷注入特性, 岡田竜弥; 東清一郎; 加久博隆; 古川弘和; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会
  439. マイクロ融液プロセスによる高結晶性Siの形成, 木庭直浩; 東清一郎; 松本竜弥; 岡田竜弥; 加久博隆; 村上秀樹; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会
  440. SiOx膜へのプラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(II), 岡田竜弥; 東清一郎; 加久博隆; 古川弘和; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会
  441. 高パワー密度熱プラズマジェット照射ミリ秒超急速熱処理によるSiウェハ中Bの活性化, 松本和也; 東清一郎; 古川弘和; 岡田竜弥; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会
  442. 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiO2膜の膜質改善(II), 広重康夫; 東清一郎; 岡田竜弥; 古川弘和; 松本和也; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会
  443. 電子励起状態を介した量子ドットへのトンネル現象の変調, 野村晋太郎; 櫻井蓉子; 高田幸宏; 白石賢二; 村口正和; 遠藤哲郎; 池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一, 56回春季応用物理学会, 茨城
  444. 少数電子で動く未来デバイスの姿 –量子電子ダイナミクスからのメッセージ-, 村口正和; 遠藤哲郎; 宮崎誠一; 牧原克典; 池田弥央; 野村晋太郎; 櫻井蓉子; 高田幸宏; 白石賢二, 第56回春季応用物理学会, 茨城
  445. 電子ガス－量子ドット結合系における電子ダイナミクスII, 村口正和; 遠藤哲郎; 櫻井蓉子; 野村晋太郎; 高田幸宏; 白石賢二; 池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一; 斉藤慎一, 日本物理学会第64回年次大会, 東京
  446. 電子ガス―量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性, 櫻井蓉子; 野村晋太郎; 高田幸宏; 白石賢二; 村口正和; 遠藤哲郎; 池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一, 日本物理学会第64回年次大会, 東京
  447. SiO2/Si(100)上に形成したLaOx/HfO2積層構造の界面反応評価, 大田晃生; 貫目大輔; 東清一郎; 宮崎誠一, 第56回春季応用物理学会
  448. 電子ガス－量子ドット結合系における電子構造Ⅱ, 高田幸宏; 櫻井蓉子; 村口正和; 池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一; 遠藤哲郎; 野村晋太郎; 白石賢二, 日本物理学会第64回年次大会, 東京
  449. 2008年11月
  450. 2008年11月06日
  451. 2008年11月05日
  452. 2008年09月27日
  453. 2008年09月27日
  454. 2008年09月27日
  455. 2008年09月26日
  456. 2008年09月25日
  457. 2008年09月24日
  458. 2008年09月
  459. 2008年07月11日
  460. 2008年07月10日
  461. 2008年07月10日
  462. 2008年07月
  463. 2008年05月
  464. 2008年05月
  465. 2008年05月
  466. 2008年05月
  467. HfSiONへの低価数イオン添加が化学結合および電子状態に及ぼす影響, 大田晃生; 吉永博路; 宮崎誠一; 門島勝; 奈良安雄, 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
  468. シリコン表面および極薄ゲート絶縁膜の欠陥評価, 表面技術協会第117回講演大会
  469. 2008年01月
  470. 金属/High-k ゲート絶縁膜界面の光電子分光分析-化学結合状態と実効仕事関数評価, ゲート絶縁膜の物理-より深い議論を通じて、次への展開を探る
  471. 2007年12月
  472. X線光電子分光による表面・界面評価, 薄膜第131委員会, 第3回基礎講座
  473. Si/絶縁膜(high-k/SiO2)の界面状態評価と電気特性, 第34回アモルファスセミナー
  474. Si量子ドットを用いた浮遊ゲートメモリー, 応用物理学会、平成19年薄膜・表面物理分科会セミナー
  475. 量子ドット形成とデバイス応用, 宮崎 誠一, 薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」, あすなら会議場（ 奈良）
  476. メタルゲート/絶縁膜界面の化学構造分析と実効仕事関数評価, 宮崎 誠一, 第６７回応用物理学会学術講演会, 立命館大学
  477. ゲート絶縁膜およびMOS界面の化学構造および電子状態分析, 宮崎 誠一, 第34回薄膜・表面物理基礎講座(JSAP No.AP052348), 東京
  478. ULSI薄膜プロセスの基礎物理, 宮崎 誠一, 半導体界面制御技術第154委員会, 東京
  479. シリコン系量子ドットの荷電状態制御とフローティングＭＯＳデバイスへの応用, 宮崎 誠一, 応用物理学会, 応用電子物性分科会研究例会「ナノシリコンの最近の進展－量子サイズシリコンの新しい可能性」, 東京理科大学理窓会館
  480. シリコン量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 宮崎誠一, 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会 第72回研究会, 東京
  481. Si系量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 宮崎 誠一, 第52回応用物理学関係連合講演会, シンポジウム「シリコンナノエレクトロニクスの新展開－ポストスケーリングテクノロジー－」, 埼玉大学
  482. Hf系高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける界面反応制御, 宮崎誠一, 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大学
  483. 高誘電率絶縁膜/Si界面の基礎物性, 宮崎誠一, 第51回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「High-kゲート絶縁膜－現状と課題－」, 東京工科大学

受賞

  1. 2011年03月
  2. 2010年07月, 応用物理学会 中国四国支部 貢献賞, (社）応用物理学会 中国四国支部
  3. 2009年09月, 応用物理学会フェロー表彰, 応用物理学会
  4. 2004年05月
  5. 2003年04月
  6. 1987年02月, 井上研究奨励賞, （財）井上科学財団

取得

  1. 半導体薄膜およびその製造方法
  2. 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
  3. 酸化ゲルマニウムの製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  4. プラズマ装置および結晶製造方法
  5. 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
  6. 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
  7. スパッタリング装置および製造方法
  8. 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  9. 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
  10. 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  11. 半導体素子
  12. 量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路
  13. 半導体装置の製造方法
  14. 半導体装置およびその製造方法
  15. MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置
  16. 光電変換膜とその作成方法

外部資金

競争的資金等の採択状況

  1. 科学研究費補助金, ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発, 2021年04月, 2024年03月
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  2. 科学研究費補助金, Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御, 2015年05月, 2019年03月
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  3. 科学研究費補助金, 磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用, 2015年04月, 2016年03月
    関連URL
  4. 科学研究費補助金, シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御, 2012年04月, 2015年03月
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  5. 科学研究費補助金, Ge-Si系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御とエレクトロルミネッセンス, 2009年04月, 2012年03月
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  6. 科学研究費補助金, シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究, 2006年04月, 2011年03月
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  7. 科学研究費補助金, シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発, 2006年04月, 2010年03月
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  8. 科学研究費補助金, シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成, 2006年04月, 2009年03月
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  9. 科学研究費補助金, PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス, 2005年04月, 2007年03月
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  10. 科学研究費補助金, シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー, 2005年04月, 2006年03月
    関連URL
  11. 科学研究費補助金, シリコンチップ間超高速グローバルインタコネクト研究, 2003年04月, 2006年03月
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  12. 科学研究費補助金, 自己組織化シリコン系量子ドットにおけるスーパーアトム構造の創成と電子状態制御, 2003年04月, 2006年03月
    関連URL
  13. 科学研究費補助金, シリコン量子構造体の形成・物性制御と室温動作デバイスへの応用, 1998年04月, 2001年03月
    関連URL
  14. 科学研究費補助金, シリコン量子ドット凝集体の電子物性とメモリ効果に関する基礎的研究, 1998年04月, 2000年03月
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  15. 科学研究費補助金, 半導体表面近傍に偏析した分子状不純物の紫外線レーザラマン分光法による高感度分析, 1997年04月, 1998年03月
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社会活動

委員会等委員歴

  1. 学術雑誌編集委員, 2020年07月, 9999年, Nanomaterials, Editorial Board Member
  2. 委員, 2020年06月, 9999年, 独立行政法人 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会
  3. 顧問, 2019年04月, 9999年, 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
  4. 役員, 2018年05月, 9999年, 公益社団法人 日本表面真空学会 中部支部
  5. 委員, 2015年, 9999年, 公益社団法人 応用物理学会 学術教育・奨励基金委員会
  6. 国際会議組織運営委員, 2014年, 9999年, Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM; 2014～ )
  7. 国際会議組織運営委員, 2014年, 9999年, Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma/IC-PLANTS, 2014～ )
  8. 国際会議プログラム委員, 2014年, 9999年, Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/Int. Conf. on Plasma-Nano Technology (ISPlasma/IC-PLANTS; 2014 － 2018, 2020 ～)
  9. 諮問委員, 2011年04月, 9999年, 公益社団法人 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
  10. 委員, 2008年, 9999年, 独立行政法人 日本学術振興会 アモルファス・ナノ材料第147委員会
  11. 国際会議プログラム委員, 2005年, 9999年, Int. Workshop on New Group IV Semiconductor an Nanoelectronics (2005 ～ )
  12. 国際会議プログラム委員, 2005年, 9999年, Int. Symp on Dry Process Symp. (DPS; 2005 － 2009, 2011～ )
  13. 学術論文編集委員, 2003年, 9999年, e-Journal of Surf. Sci. and Nanotechnology, Ed. Board Member(2003－)
  14. 国際会議プログラム委員, 2000年, 9999年, Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD; 2000 ～, 2012(Chair))
  15. 評議員, 2021年06月, 2026年06月, 公益財団法人 中部電気利用基礎研究振興財団
  16. 諮問委員, 2017年04月, 2025年03月, 公益社団法人 応用物理学会 東海支部
  17. 会長, 2022年08月, 2024年06月, 東海工学教育協会
  18. 理事, 2022年06月, 2024年06月, 公益社団法人 日本工学教育協会
  19. 評議員, 2021年06月, 2024年06月, 公益財団法人 永井科学技術財団
  20. 理事, 2021年05月, 2024年06月, 公益財団法人 名古屋産業科学研究所
  21. 理事, 2021年05月, 2024年05月, 公益財団法人 日比科学技術振興財団
  22. 参与, 2021年07月, 2024年03月, 一般社団法人 愛知県発明協会
  23. 企画運営委員会委員, 2021年06月, 2024年03月, 公益財団法人 科学技術交流財団
  24. 中部ハイテクセンター企画運営委員会委員, 2021年05月, 2024年03月, 公益財団法人 名古屋産業科学研究所
  25. 理事, 2021年04月, 2024年03月, 公益財団法人 立松財団
  26. 理事, 2021年04月, 2024年03月, 一般社団法人 八大学工学系連合会
  27. 中部TLO企画運営委員会委員, 2021年04月, 2024年03月, 公益財団法人 名古屋産業科学研究所
  28. 参与, 2021年04月, 2024年03月, 中部原子力懇談会
  29. 中部イノベネット運営委員, 2021年04月, 2024年03月, 公益財団法人 中部科学技術センター
  30. 生体医歯工学共同研究拠点運営委員会委員, 2019年04月, 2024年03月, 東京医科歯科大学
  31. 窒化物半導体先進デバイスＯＩＬ客員研究員, 2017年04月, 2024年03月, 国立研究開発法人 産業技術総合研究所
  32. 運営委員, 2015年, 2024年03月, 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会 共催 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―
  33. 客員教授, 2010年08月, 2024年03月, 広島大学 ナノデバイス研究所
  34. 日本支部長, 2021年01月, 2023年12月, The Electrochemical Society（ECS）日本支部
  35. あいちシンクロトロン光センター運営委員会委員, 2019年05月, 2023年06月, 公益財団法人 科学技術交流財団
  36. SDM研究専門委員会 専門委員, 1998年05月, 2023年06月, 一般社団法人 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会
  37. 研究開発委員会 委員（アドバイザー）, 2020年09月, 2023年03月, 公益財団法人 岐阜県産業経済振興センター
  38. 機関運営会議構成員, 2023年01月, 2023年01月, 名古屋市工業研究所
  39. 副会長, 2021年06月, 2022年06月, 東海工学教育協会
  40. 主幹研究員, 2021年04月, 2022年03月, 公益財団法人 科学技術交流財団
  41. 国際会議諮問委員, 2022年, 2022年, The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX, September 5-8, 2022, Nagoya University, Japan)
  42. 機関運営会議構成員, 2022年01月, 2022年01月, 名古屋市工業研究所
  43. JSR2021組織委員, 2020年, 2021年, 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム（JSR)組織委員会
  44. 国際会議諮問委員, 2018年, 2021年, Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) (Joint ISTDM/ICSI Conf.; 1st 2018 (Potsdam), 2nd 2019(Madison WI), 3rd 2021(Taipei))
  45. 国際会議組織運営委員, 2011年, 2021年, Int. Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF; Tokyo, 2011(Chair), 2013, 2015, 2017, 2019, 2021)
  46. ECS Japan Section, Member-at-large(2012.8～2016.12), 2nd Vice Chair(2017.1～2018.12), 1st Vice Chair(2019.1～2020.12), 2012年08月, 2020年12月, Electrochemical Society
  47. 評議員, 2018年05月, 2020年09月, 独立行政法人 日本学術振興会 協力会
  48. 事業企画委員会委員, 2018年06月, 2020年06月, 公益社団法人 日本工学教育協会
  49. 委員長(2013.4 － 2020.6), 企画幹事長(2008.4 － 2013.3), 企画副幹事長(2004.4 － 2008.3), 企画幹事（2001 － 2013.3), 2001年04月, 2020年06月, 独立行政法人 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会
  50. 企画委員 (1993 － 2020.6), 庶務幹事(1999.4 － 2004.3), 1993年, 2020年06月, 独立行政法人 日本学術振興会 薄膜第131委員会
  51. JSR2020副実行委員長/プログラム委員/組織委員, 2019年, 2020年, 日本放射光学会 年会・放射光科学合同シンポジウム（JSR)組織委員会
  52. 学術論文編集委員, 2014年, 2020年, ECS Trans. Vol. 98, No. 5 (2020), Vol. 85, No.16 (2018), Vol.75, No.8 (2016), Vol.64, No. 6 (2014), Ed. Member
  53. 国際会議組織運営委員, 2008年, 2020年, SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium in ECS (2008(Hawaii), 2010(Las Vegas), 2012(Hawaii), 2014(Cancun), 2016(Honolulu), 2018(Cancun), 2020(Honolulu)) Surfaces & Interfaces Committee Chair
  54. 幹事長, 2017年04月, 2019年03月, 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
  55. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2019年, 2019年, 8th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (Sendai, Nov. 27-30, 2019) Organizing Committee Chair
  56. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2019年, 2019年, 11th Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/12th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology (ISPlasma 2019/IC-PLANT 2019; Nagoya, March 17-21, 2019) Organizing Committee Chair
  57. 学術論文編集委員, 2006年, 2019年, IEICE Trans. on Electronics; E102-C, No. 6 (2019), E101-C, No. 5 (2018), E100-C, No. 5 (2017), E99-C, No. 5 (2016), E98-C, No. 5 (2015), E97-C, No. 5 (2014), E96-C, No. 5 (2013), E95-C, No.5 (2012), E94-C, No.5 (2011), E93-C, No.5 (2010), E92-C, No.5 (2009), E91-C, No.5 (2008), E90-C, No.5 (2007), E89-C, No.5 (2006): Special Section on Fundamental and Applicationof Advanced Semiconductor Devices, Ed. Commitee Member
  58. 役員, 2011年05月, 2018年05月, 旧） 公益社団法人 日本表面科学会 中部支部
  59. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2018年, 2018年, 10th Anniversary Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/11th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology (ISPlasma 2018/IC-PLANT 2018; Nagoya, March 4-8, 2018) Organizing Committee Vice-Chair
  60. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2018年, 2018年, 14th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (Sendai, Oct.21-15, 2018) Organizing Committee Chair
  61. 国際会議プログラム委員, Co-chair, 2018年, 2018年, 1st joint Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) (1st Joint ISTDM/ICSI Conf., Potsdam, 2018) Co-chair
  62. 幹事, 1997年, 2018年, 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
  63. 兼職教授, 2010年10月, 2017年11月, 南京大学 電子科学与工程学院
  64. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2016年, 2016年, 7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (Nagoya, June 7-16, 2016) Organizing Committee Chair
  65. 国際会議実行委員, 2016年, 2016年, 8th Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/9th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Sicence (ISPlasma 2016/IC-PLANTS2016, Nagoya, 2016) Executive Committee Chair
  66. 国際会議実行委員, 2016年, 2016年, 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016, Hakodate, 2016) Steering Committee Co-chair
  67. 国際会議プログラム委員, 2016年, 2016年, European Mat. Res. Soc. Fall Meeting: Symp. I "Integration of Novel Materials and Devices on Silicon for Future Technologies" (Warsaw, 2016)
  68. 支部長, 2015年, 2016年, 公益社団法人 応用物理学会 東海支部
  69. 理事 (2011/2012年度; 講演会企画・運営委員会、講演奨励賞委員会, 2015/2016年度), 2011年04月, 2016年, 公益社団法人 応用物理学会
  70. 幹事, 2011年04月, 2016年, 公益社団法人 応用物理学会 東海支部
  71. 国際会議プログラム委員, 2008年, 2016年, Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM, 4th 2008, 5th 2010, 6th 2012, 8th 2016)
  72. 代議員 (2001-2003年度, 2012/2013年度, 2015/2016年度), 2001年, 2016年, 公益社団法人 応用物理学会
  73. 運営委員, 2011年03月, 2015年03月, 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
  74. 委員, 2013年04月, 2014年03月, 公益社団法人 応用物理学会 講演会企画・運営委員会
  75. 査読者, 2012年01月, 2014年03月, 高輝度光科学研究センターSPring-8成果審査委員会
  76. 諮問委員, 2013年02月, 2014年02月, 公益社団法人 応用物理学会
  77. 国際会議諮問委員, 2014年, 2014年, 8th Int．Conf．on Reactive Plasmas (ICRP-8; Fukuoka, 2014)
  78. 学術論文編集委員, 2014年, 2014年, Thin Solid Films, Vol 557, 30 (2014), Managing Gest Editor
  79. レフェリー, 2011年06月, 2013年03月, SPring-8利用研究課題審査委員会分科会
  80. 国際会議組織運営委員, 2013年, 2013年, 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI, Fukuoka, 2013)
  81. 国際会議プログラム委員, 2012年, 2013年, Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma，4th 2012, 5th 2013)
  82. 国際会議組織運営委員, 2010年, 2013年, Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma; Nagoya, 2nd 2010, 3rd 2011, 4th 2012, 5th 2013)
  83. 国際会議プログラム委員, 2007年, 2013年, Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations-(ISCSI; 5th 2007, 6th 2013)
  84. 国際会議プログラム委員, 2005年, 2013年, Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI; 4th 2005, 5th 2007, 6th 2009, 7th 2011(Co-chair), 8th 2013 (Chair))
  85. 編集委員, 2011年09月, 2012年05月, 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ英文論文誌編集委員会
  86. 学術論文編集委員, 2012年, 2012年, J. Non-Cryst. Solids, Vol.358, Issue 17 (2012) : Special Issue for Proc. of the 24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 24) Guest Editor (Head of Guest Editors)
  87. 委員, 2009年04月, 2012年, 公益社団法人 応用物理学会 国際委員会
  88. 国際会議プログラム委員, 2008年, 2012年, Int. Conf. on Plasma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS; 2008 － 2012)
  89. 国際会議プログラム委員, 1997年, 2012年, Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM; 1997 － 2012 , 2011(Vice-Chair), 2012(Chair))
  90. 専門委員, 2010年12月, 2011年11月, 日本学術振興会 科学研究費委員会
  91. 評議員, 2008年04月, 2011年03月, 公益社団法人 応用物理学会
  92. 国際会議組織運営委員, 2011年, 2011年, 15th Int. Conf. on Thin Films (ICTF-15, Kyoto, 2011) Session Chair
  93. 国際会議組織運営委員, 2011年, 2011年, 24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24, Nara, 2011) Publication Chair: JNCS Guest Editor
  94. 国際会議組織運営委員, 2011年, 2011年, 2011 Int. Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF-11，Tokyo, 2011) Chair
  95. 学術論文編集委員, 2011年, 2011年, Key Engineering Materials, Vol.470 "Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics", (2011) Editor
  96. 学術論文編集委員, 2011年, 2011年, Jpn. J. Appl. Phys. 50, No.1 (2011): Selected Topics in Applied Physics: Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics, Guest Editor
  97. 国際会議プログラム委員, 2011年, 2011年, 24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24, Nara, 2011)
  98. 国際会議実行委員, 2009年, 2011年, Int. Symp on Dry Process Symp. (DPS: Busan, 2009(Vice-chair), Tokyo, 2010(Chair), Kyoto, 2011(Vice-chair))
  99. 学術論文編集委員, 2003年, 2011年, Jpn. J. Appl. Phys. 50, No.4B (2011), 49, No.4B (2010), 48, No.4B (2009), 47, No.4B (2008), 46. No.4B (2007), 45. No.4B (2006), 44. No.4B (2005), 43. No.4B(2004), 42. No.4B (2003): Special Issue for Int. Conf. on Solid State Devices and Material, Ed. Commitee Member
  100. 幹事, 1995年04月, 2010年05月, 公益社団法人 応用物理学会 中国四国支部
  101. 幹事 (1999－2010年度, 常任幹事：2003/2004年度, 副幹事長2008/2009年度、幹事長：2009/2010年度), 1999年04月, 2010年03月, 公益社団法人 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
  102. 国際会議プログラム委員, 2005年, 2010年, Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK; 2005 － 2010)
  103. フェロー, 2009年09月, 2009年09月, 公益社団法人 応用物理学会
  104. 2009年度中国四国支部学術講演会 (2009年8月1日) 実行委員長, 2009年, 2009年, 公益社団法人 応用物理学会
  105. 国際会議プログラム委員, 2009年, 2009年, 1st Int. Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SINEP-09; Vigo, 2009)
  106. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2008年, 2008年, Symp. Z, "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices" (Nagoya, Dec. 9-13, 2008) The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA, 2008)
  107. 国際会議実行委員, 2008年, 2008年, 2008 Int. Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF-08，Kawasaki, 2008)
  108. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2007年, 2008年, Symp. "A: Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology" (San Francisco, April 9-13, 2007; 2008), Mat. Res. Soc. Spring Meeting
  109. 国際会議実行委員, 2007年, 2007年, 5th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations-(ISCSI-V, Tokyo, 2007) Vice-chair
  110. 国際会議組織運営委員, 2007年, 2007年, 5th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V, Tokyo, 2007)
  111. 委員, 2003年03月, 2006年03月, 一般社団法人 電気学会 システム集積プロセス調査専門委員会
  112. 国際会議プログラム委員, 2006年, 2006年, European Mat. Res. Soc. Spring Meeting: Symp. L "Characterization of High-k Dielectric Materials" (Nice, 2006)
  113. 国際会議プログラム委員, 1999年, 2006年, Int. Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF; 1999, 2004, 2006) Vice-chair
  114. 国際会議・シンポジウム オーガナイザ, 2005年, 2005年, The Special Joint Symp. on "Evolution and Outlook of Oxide Nonvolatile Memories" (Tokyo, Dec. 11, 2005), Mat. Res. Soc. Japan
  115. 学術論文編集委員, 2005年, 2005年, IEICE Trans. on Electronics: Special Issue 2005-4EC, Ed. Commitee Member
  116. 国際会議プログラム委員, 1999年, 2005年, Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW; 1999 － 2005)
  117. 国際会議諮問委員, 2004年, 2004年, Int．Conf．on Polycrystalline Semiconductors (POLYSE; Potsdam, 2004)
  118. 学術論文編集委員, 2004年, 2004年, IEICE Trans. on Electronics E87-C, No.1 (2004): Special Section on High-k Gate Dielectrics, Guest Editor
  119. 委員, 2000年03月, 2003年03月, 一般社団法人 電気学会 グローバルインテグレーションプロセス調査専門委員会
  120. 委員, 1998年, 2003年03月, 独立行政法人 日本学術振興会 プラズマ材料科学第153委員会
  121. 国際会議実行委員, 2003年, 2003年, 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7, Nara, 2003)
  122. 国際会議プログラム委員, 2001年, 2003年, Int. Workshop on Gate Insulator (IWGI; 2001, 2003)
  123. 国際会議プログラム委員, 2002年, 2002年, 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-4; Tokyo, 2002)
  124. 学術論文編集委員, 1998年, 2002年, Jpn. J. Appl. Phys. Assoc. Editor (1998 － 2002)
  125. 学術論文編集委員, 2001年, 2001年, Jpn. J. Appl. Phys. 40, No.4B (2001): Special Issue for 2000 Int. Conf. on Solid State Devices and Material, Ed. Commitee Chairperson
  126. 国際会議プログラム委員, 2001年, 2001年, 8th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interface (ICFSI-8; Sapporo, 2001)
  127. 国際会議プログラム委員, 2001年, 2001年, Int. Conf. on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices (RTP; Ise shima, 2001)
  128. 委員, 1997年03月, 2000年03月, 一般社団法人 電気学会 プロセス・インテグレーション調査専門委員会
  129. 国際会議プログラム委員, 1999年, 1999年, 3rd. Int. Symp. on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fablication (ISSS-3; Tokyo, 1999)
  130. 国際会議プログラム委員, 1999年, 1999年, Int. Joint Conf. on Si Epi. and Heterostructure(IJC-Si; Zao, 1999)
  131. 国際会議実行委員, 1998年, 1998年, 1998 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 1998, Hiroshima, 1998)
  132. 第59回応用物理学会学術講演会 (1998年9月15-18日) 現地実行委員, 1998年, 1998年, 公益社団法人 応用物理学会
  133. 国際会議プログラム委員, 1997年, 1998年, Mat. Res. Soc. Spring Meeting: Symp. A "Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology" (San Fransicso, 1997, 1998)

その他社会貢献活動（広大・部局主催含）

  1. 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会, 組成・状態評価, 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会, 2024年/07月/18日, 2024年/07月/19日, 東京, 講師, セミナー・ワークショップ, 企業
  2. マイクロン国際女性デー記念講演会, 女子学生・女性研究者への支援状況～背景・実態/取り組み状況, マイクロンメモリジャパン, 2024年/03月/18日, 東広島市, 講師, 企業
  3. 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会, 組成・状態評価, 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会, 2023年/07月/21日, 2023年/07月/22日, 東京, 講師, セミナー・ワークショップ, 企業
  4. 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会, 組成・状態評価, 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会, 2022年/07月/29日, 2022年/07月/30日, On-line, 講師, セミナー・ワークショップ, 企業
  5. 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会 リトリート学習会, 組成・状態評価, 日本学術振興会 R025先進薄膜界面機能創成委員会, 2021年/07月/30日, 2021年/07月/31日, On-line, 講師, セミナー・ワークショップ, 企業