黒木 伸一郎SHIN-ICHIRO KUROKI

Last Updated :2023/01/06

所属・職名
ナノデバイス・バイオ融合科学研究所　教授
ホームページ
http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/
メールアドレス
skurokihiroshima-u.ac.jp
その他連絡先
東広島市鏡山一丁目４番２号 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所306室
TEL:082-424-6267 FAX:082-424-3499
自己紹介
私の研究室では（１）シリコンカーバイド（SiC）を用いた極限環境エレクトロニクスと（２）シリコン薄膜トランジスタ の研究を進めています。放射線曝露下や超高温環境でも動作するシリコンカーバイド集積回路を構築することで、宇宙や深地下などの新しいフロンティアを切り拓くことを目指しています。現在特に福島第一原発の廃炉作業にも使用可能な、シリコンカーバイド・デバイスの研究開発を国内外の研究者と共に進めています。

基本情報

主な職歴

  • 2002年04月01日, 2005年03月31日, 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 産学官連携研究員
  • 2005年04月01日, 2007年03月31日, 東北大学, 大学院工学研究科電子工学専攻, 助手
  • 2007年04月01日, 2012年03月31日, 東北大学, 大学院工学研究科電子工学専攻, 助教
  • 2013年10月, 2014年01月, スウェーデン王立工科大学/ KTH Royal Institute of Technology, 客員研究員
  • 2012年04月01日, 2019年02月28日, 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授
  • 2016年06月, 2017年02月, スウェーデン王立工科大学/ KTH Royal Institute of Technology, 客員研究員(科研費・国際共同研究加速基金（国際共同研究強化））
  • 2019年03月01日, 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 教授
  • 2019年04月01日, 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 副研究所長
  • 2019年04月01日, 広島大学大学院先端物質科学研究科, 副研究科長
  • 2019年04月01日, 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム, 微細加工実施機関・担当責任者
  • 2021年04月01日, 文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ, 広島大学責任者

学歴

  • 広島大学, 理学研究科, 物理科学専攻, 日本, 1999年04月, 2002年03月

学位

  • 博士（理学）　(広島大学)
  • 修士（理学）　(広島大学)

教育担当

  • 【学士課程】 工学部 : 第二類（電気電子・システム情報系） : 電子システムプログラム
  • 【博士課程前期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム
  • 【博士課程後期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム

担当主専攻プログラム

  • 電子システムプログラム
  • 情報工学プログラム

研究分野

  • 工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器

研究キーワード

  • シリコンカーバイド集積回路・デバイス/ シリコンカーバイド・パワー半導体デバイス・モジュール/ シリコン薄膜トランジスタ/ ネフロンチップ/ 極限環境エレクトロニクス

所属学会

教育活動

授業担当

  1. 2022年, 学部専門, １ターム, 論理システム設計
  2. 2022年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, エレクトロニクス概論
  3. 2022年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（前期）, 電子工学セミナーA
  4. 2022年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（後期）, 電子工学セミナーB
  5. 2022年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  6. 2022年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, 電子工学特別演習A
  7. 2022年, 修士課程・博士課程前期, ２ターム, 電子工学特別演習A
  8. 2022年, 修士課程・博士課程前期, ３ターム, 電子工学特別演習B
  9. 2022年, 修士課程・博士課程前期, ４ターム, 電子工学特別演習B
  10. 2022年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, LSI集積化工学
  11. 2022年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, エレクトロニクス概論
  12. 2022年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  13. 2022年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 量子物質科学特別研究

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. Noncommutative Cohomological Field Theory and GMS Soliton, J. Math. Phys., 43巻, pp. 872-896, 2001
  2. Elongated U(1) Instantons on Noncommutative R4, J. High Energy Phys., 11巻, pp. 68-68, 2001
  3. Calculation of the Pontrjagin class for U(1) instantons on non-commutative R4, J. High Energy Phys., 8巻, pp. 28-28, 2002
  4. Low-k Dielectric Film Patterning by X-Ray Lithography, J. Appl. Phys., 42巻, 4B号, pp. 1907-1910, 2003
  5. A Novel Photosensitive Porous Low-k Interlayer Dielectric Film, Jpn. J. Appl. Phys., 43巻, 4B号, pp. 1820-1824, 2004
  6. Characterization of Photosensitive Low-k Films Using Electron-Beam Lithography, J. Electrochem. Soc., 152巻, 4号, pp. G281-G285, 2005
  7. Influence of Humidity on Electrical Characteristics of Self-Assembled Porous Silica Low-k Films, J. Electrochem. Soc., 152巻, 7号, pp. G560-G566, 2005
  8. Measurement and Analysis of Water Adsorption in Porous Silica Films, J. Electrochem. Soc., 153巻, 8号, pp. G759-G764, 2006
  9. Large Grain Growth of Silicon Thin Films by using CW Green Laser, IEICE Technical Report, ED2006-79, SDM2006-87巻, pp. 119-122, 2006
  10. Crystallization Enhancement of Ferroelectric PZT Thin Films, IEICE Technical Report, ED2006-112, SDM2006-120巻, pp. 277-280, 2006
  11. Advantages of Nano-Grating Si Substrates in CMOS-FET Characteristics, ECS Transactions, 11巻, 6号, pp. 467-472, 2007
  12. Self-seeding Crystallization of Silicon Thin Films Using Continuous-Wave Laser, ECS Transactions, 2巻, 10号, pp. 71-75, 2007
  13. Nano-Grating Channel MOSFETs for Improved Current Drivability, ECS Transactions, 2巻, 10号, pp. 83-89, 2007
  14. Enlargement of Crystal Grains in Thin Silicon Films by Continuous-Wave Laser Irradiation, Jpn. J. Appl. Phys., 46巻, 4B号, pp. 2501-2504, 2007
  15. Characteristics of Nano-Grating N-Channel MOSFETs for Improved Current Drivability, IEICE TRANS. ELECTRON, E90-C巻, 9号, pp. 1830-1836, 2007
  16. Permittivity Enhancement of Mechanically Strained SrTiO3 MIM Capacitor, ECS Transactions, 11巻, 3号, pp. 293-299, 2007
  17. Analysis of Continuous-Wave Laser Lateral Crystallized Polycrystalline Silicon Thin Films with Large Tensile Strain, Jpn. J. Appl. Phys., 47巻, pp. 3046-3049, 2008
  18. Analysis of Drivability Enhancement Factors in Nanograting Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, Jpn. J. Appl. Phys, 47巻, pp. 3081-3085, 2008
  19. Crystallinity and Internal Strain of One-Dimensionally Long Si Grains by CW Laser Lateral Crystallization, ECS Transactions, 16巻, 9号, pp. 145-151, 2008
  20. Roughness Reduction in Polycrystalline Silicon Thin Films Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization with Cap SiO2 Thin Films, Jpn. J. Appl. Phys., 48巻, pp. 04C129-1-04C129-4, 2009
  21. Low-Temperature Recrystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate Thin Films on Glass Substrate Using Continuous-Wave Green Laser, Jpn. J. Appl. Phys, 48巻, pp. 04C142-1-04C142-4, 2009
  22. Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate Thin Film on Glass Substrate Crystallized by Continuous-Wave Green Laser Annealing, Jpn. J. Appl. Phys, 49巻, pp. 04DH14-1-04DH14-4 , 2010
  23. Enhancement of Current Drivability of Nanograting Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors, Jpn. J. Appl. Phys, 49巻, pp. 04DJ11-1-04DJ11-5, 2010
  24. Highly Reliable and Drivability-Enhanced MOS Transistors with Rounded Nanograting Channels, IEICE Transactions on Electronics, E93-C巻, 11号, pp. 1638-1644, 2010
  25. Advanced Direct-polish Process on Organic Non-Porous Ultra Low-k Fluorocarbon Dielectric on Cu Interconnects, ECS Transactions, 34巻, 1号, pp. 653-658, 2011
  26. Strain-Induced Back Channel Electron Mobility Enhancement in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Fabricated by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, Jpn. J. Appl. Phys., 50巻, pp. 04DH10-1-04DH10-5 , 2011
  27. Electrical Characteristics of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon on Cu Interconnects for 22nm Generation and Beyond, Jpn. J. Appl. Phys., 50巻, pp. 05EB02-1-05EB02-5, 2011
  28. Seed-Free Fabrication of Highly Bi-Axially Oriented Poly-Si Thin Films by Continuous-Wave Laser Crystallization with Double-Line Beams, J. Electrochem. Soc., 158巻, 9号, pp. H924-H930, 2011
  29. Carrier transport and its variation of laser-lateral-crystallized Poly-Si TFTs, Electron. Lett., 47巻, 24号, pp. 1336-1338, 2011
  30. Tri-Gate Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization for Improvement of Electron Transport Properties, Jpn. J. Appl. Phys., 51巻, pp. 02BJ03-1-02BJ03-6, 2012
  31. In-Plane Grain Orientation Alignment of Polycrystalline Si Films by Normal and Oblique-Angle Ion-Implantations, Jpn. J. Appl. Phys., 51巻, 4号, pp. 04DH03-1-04DH03-4, 2012
  32. Cu Single Damascene Integration of an Organic Nonporous Ultralow-k Fluorocarbon Dielectric Deposited by Microwave-Excited Plasma-Enhanced CVD, IEEE Trans. Electron Devices, 59巻, 5号, pp. 1445-1453, 2012
  33. Integration Process Development for Improved Compatibility with Organic Non-Porous Ultralow-k Dielectric Fluorocarbon on Advanced Cu Interconnects, Jpn. J. Appl. Phys., 51巻, pp. 05EC03-1-05EC03-6, 2012
  34. Low-k Mesoporous Pure Silica Zeolite with High Elastic Modulus Using 1,3,5,7-Tetra-Methyl-Cyclo-Tetra-Siloxane and Ultraviolet Treatments, ECS J. Solid State Sci. Technol, 2巻, 4号, pp. N89-N92, 2013
  35. High performance Poly-Si TFTs with Highly Bi-axially Oriented Poly-Si Thin Films Using DLB Continuous-wave Laser Lateral Crystallization, Jpn. J. Appl. Phys, 53巻, pp. 03CC02 -1-03CC02 -4, 2014
  36. Low resistance Ohmic Contact Formation of Ni Silicide on Partially Si Ion Implanted n+ 4H-SiC, Mat. Sci. Forum, 778-780巻, pp. 689-692, 2014
  37. Complex permittivities of breast tumor tissues obtained from cancer surgeries, Appl. Phys. Lett., 104巻, pp. 253702-253702, 2014
  38. Phosphorous ion implantation into NiGe layer for Ohmic contact formation on n-type Ge,, Jpn. J. Appl. Phys, 53巻, pp. 08LD01-1-3 08LD01-5 , 2014
  39. Characteristics of Poly-Si Thin Film Transistors with Highly Biaxially Oriented Linearly Arranged Poly-Si Thin Films Using Double Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, ECS Transactions, 64巻, 10号, pp. 39-44, 2014
  40. Low resistance ohmic contact formation on 4H-SiC c-face with NbNi silicidation using nano-second laser annealing, Mat. Sci. Forum, 858巻, pp. 549-552, 2016
  41. 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi Silicide ohmic contacts, Mat. Sci. Forum, 858巻, pp. 573-576, 2016
  42. Characterization of 4H-SiC nMOSFETs in Harsh Environments, High-Temperature and High Gamma-Ray Radiation, Mat. Sci. Forum, 858巻, pp. 864-867, 2016
  43. 3D Integration of Si-based Peltier device onto 4H-SiC power device, Mat. Sci. Forum, 858巻, pp. 1107-1111, 2016
  44. Direct Patterning of Low-k Dielectric Films using X-ray Lithography,, Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 464-465, 2002
  45. Characterization of Photosensitive Low-k Films using Electron-Beam Lithography, Abstract of the 2003 Material Research Society Spring Meeting, pp. 127-127, 2003
  46. A Novel Photosensitive Porous Low-k Interlayer Dielectric Film, Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 468-469, 2003
  47. Influence of Humidity on Electrical Characteristics of Porous Silica Films, Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 478-479, 2003
  48. Photosensitive Porous Low-k Interlayer Dielectric Film, Proceedings of SPIE, Optics East 2004: Sensors, Nanotechnologies and Application, 5592巻, pp. 170-174, 2004
  49. Self-seeding Crystallization of Silicon Thin Films Using Continuous-Wave Laser, 209th Electrochem. Soc. Meeting, pp. 354-354, 2006
  50. Drivability Enhancement of MOS Transistors Fabricated on Nano-grating Silicon Wafers, 209th Electrochem. Soc. Meeting, pp. 360-360, 2006
  51. Large Grain Growth of Silicon Thin Films By using CW Green Laser, 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, pp. 119-122, 2006
  52. Crystallization Enhancement of Ferroelectric PZT Thin Films by using Continuous-Wave Laser, 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, pp. 277-280, 2006
  53. Enlargement of Crystal Grains in Thin Silicon Films by Continuous-Wave Laser Irradiation, Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 696-697, 2006
  54. High-Density Microbubble Formation by Utilizing the Specific Additives for Chemical-less degreasing Process, Abstracts of MRS Meeting, A3巻, pp. 65-65, 2006
  55. The Drivability Enhancement Mechanisms in Nano-grating MOSFETs, Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 204-205, 2007
  56. Lateral Recrystallized Si Thin Films with Large Tensile Strain for High Performance Thin Film Transistors, Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 566-567, 2007
  57. Permittivity Enhancement of Mechanically Strained SrTiO3 MIM Capacitor, 212th ECS Meeting, E3巻, pp. 1101-1101, 2007
  58. Advantages of Nano-Grating Si Substrates in CMOS-FET Characteristics, 212th ECS Meeting, E9巻, pp. 1322-1322, 2007
  59. Morphology Control of Ferroelectric PZT Thin Films Crystallized On Glass with Continuous-Wave Green Laser, Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 140-141, 2008
  60. Roughness Reduction Technique for High Performance Poly-Si TFTs by CW Laser Lateral Crystallization with Cap SiO2 Thin Films, Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 140-141, 2008
  61. Carrier Transport Mechanism in Poly-Si TFTs with One-Dimensionally Long Grains, Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 766-767, 2008
  62. Crystallinity and Internal Strain of One-Dimensionally Long Si Grains by CW Laser Lateral Crystallization, 214th ECS Meeting, E13巻, pp. 2276-2276, 2008
  63. Research on Poly-Si TFTs with One-dimensionally long grains formed by CW laser lateral crystallization, Proceedings of SOIM-GCOE08, pp. 59-60, 2008
  64. Influence of strain effects on characteristics of nanograting channel MOSFET, Proceedings of SOIM-GCOE08, pp. 216-216, 2008
  65. Research on High Performance Poly-Si TFTs with One-dimensionally long grain and reduced surface roughness, Proceedings of SOIM-GCOE08, pp. 207-207, 2009
  66. Ion-Implanted Boron Activation in a Preamorphized Si Layer by Microwave Annealing, Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 330-331, 2009
  67. Highly-(001)-Oriented Ferroelectric PZT Thin Films on Glass by CW Green-Laser Crystallization, Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 885-886, 2009
  68. Continuous Manipulation of Micro Particles by Use of Asymmetric Electrodes Array, Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 673-674, 2009
  69. The Drivability Enhancement of Poly-Si TFTs by use of Nanograting Substrate, Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 581-582, 2009
  70. One-dimensionally Long Silicon Grain Formation by Continuous-Wave Green Laser and Its Applications, THE PROCEEDINGS OF THE 6th INTERNATIONAL THIN-FILM TRANSISTOR CONFERENCE, pp. 28-31, 2010
  71. Strain-Induced Back Channel Electron Mobility Enhancement in Poly-Si TFTs Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, Extended Abstracts of 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 1307-1308, 2010
  72. Electrical Characteristics of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon on Cu Interconnects for 22 nm Generation and Beyond, Advanced Metalization Conference 2010: 20 th Asian Session, pp. 54-55, 2010
  73. Development of Direct-polish Process on Non-porous Ultra Low-k Dielectric/Cu Interconnects for 22nm Generation and Beyond, 2010 International Conference on Planarization/CMP Technology, pp. 51-54, 2010
  74. Bi-Axially Orientation-Controlled Si Thin Films on Glass Substrates by Double-Line-Beam CW Laser Annealing, Conference Proceedings of EUROSOI 2011, VII Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits, pp. 51-52, 2011
  75. Cu damascene Interconnects with an Organic Low-k Fluorocarbon Dielectric Deposited by Microwave Excited Plasma Enhanced CVD, IEEE International Interconnect Technology Conference 2011, pp. 82-82, 2011
  76. Crystal Growth of Highly Biaxially-Oriented Poly-Si Thin Films by W-Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, The proceedings of The Eighteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices , AM-FPD11巻, pp. 215-216, 2011
  77. Alignment of In-plane Crystallographic Grain Orientations in Polycrystalline Si Films by Normal and Oblique-Angle Ion-Implantations, Extended Abstracts of 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 300-301, 2011
  78. Tri-Gate Poly-Si TFTs Fabricated by CW Laser Lateral Crystallization for Improvement of Electron Transport Properties, Extended Abstracts of 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 1215-1216, 2011
  79. A novel chemically, thermally and electrically robust Cu interconnect structure with an organic non-porous ultralow-k dielectric fluorocarbon (k=2.2), Proceeding of 2012 IEEE Symposium on VLSI Technology, pp. 119-120, 2012
  80. Layered Low-k Porous Silica Zeolite Films for Inter-Metal Dielectrics with High Elastic Modulus, Extended Abstracts of 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 58-59, 2012
  81. High performance poly-Si Thin Film Transistor with One-dimensionally Long Si Grains Using DLB Continuous-wave Laser Lateral Crystallization, The proceedings of The Twentieth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices , AM-FPD13巻, pp. 199-202, 2013
  82. Low-k Mesoporous Pure Silica Zeolite Synthesis with Centrifugation Process of Zeolite Precursor, Extended Abstracts of 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 858-859, 2013
  83. Low Ohmic Contact Formation of Ni Silicide on Partially Si Ion Implanted n+ 4H-SiC, Technical digest of The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013, ICSCRM2013巻, pp. Mo-P40-62, 2013
  84. Phosphorous Ion Implantation into NiGe Layer for Ohmic Contact Formation on n-Ge, 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY, IWDTF13巻, pp. 101-102, 2013
  85. Characterization of Poly-Si TFTs with Highly Bi-Axially Oriented Poly-Si Thin Films Using DLB Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, 2014 MRS Spring Meeting, A17.06, San Francisco, April 25 , 2014
  86. Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation, 2014 MRS Spring Meeting, DD6.05, San Francisco, April 23 , 2014
  87. Effect of ozone radical treatment for high-performance poly-Si TFTs, The proceedings of The 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, AM-FPD14巻, pp. 189-192, 2014
  88. Characteristics of Poly-Si Thin Film Transistors with Highly Biaxially Oriented Linearly Arranged Poly-Si Thin Films Using Double Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, 226th Meeting of The Electrochemical Society, Q10 Thin Film Transistor 12 (TFT12), 1906, Cancun, Mexico, October 6 , 2014
  89. Area Expansion of Crystallized Si Films on YSZ Layers by Two-step Method in PLA, Proceedings of IDW'14, AMD8-2L, pp. 259-260, 2014
  90. Poly-Si TFTs with One-dimensionally Long Silicon Crystal Grains Using DLB Continuous-wave Laser Lateral Crystallization, iMiD 2015: The 15th International Meeting on Information Display, pp. 250-250, 2015
  91. Characterization of 4H-SiC nMOSFETs in Harsh Environments; High Temperature and High Gamma-Ray Radiation, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015(ICSCRM2015), pp. We-P-60, 2015
  92. 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015), pp. Mo-P-26, 2015
  93. Low resistance ohmic contact formation on 4H-SiC c-face with NbNi silicidation using nano-second laser annealing, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015), pp. Mo-P-21, 2015
  94. 3D Integration of Si-based Peltier device onto 4H-SiC power device, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM2015), pp. Mo-P-32, 2015
  95. Characterization of 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi Silicide Contacts After High Gamma-Ray Radiation, Proceedings of The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA2015), pp. 117-118, 2015
  96. 4H-SiC MOSFETs for power and harsh environment electronics, Annual World Congress of Smart Materials 2016-Develop New Path of Smartness, pp. 381-381, 2016
  97. 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics, International Workshop on Radiation Resistant Sensors and Related Technologies for Nuclear Power Plant Decommissioning (R2SRT2016)(廃炉に向けた耐放射線性センサー及び関連研究に関する国際ワークショップ), pp. 36-37, 2016
  98. Formation of amorphous alloys on 4H-SiC with NbNi film using pulsed-laser annealing, Applied Physics Letters, 109巻, pp. 012101-1-012101-5, 20160707
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  99. Characterization of Grapho-Silicidation on n+ 4H-SiC C-Face for Back Side Ohmic Contacts of Power Devices, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 5巻, 9号, pp. P457-P460, 20160706
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  100. Characterization of (100)-Dominantly Oriented Poly-Si Thin Film Transistors using Multi-Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, ECS Transactions, 75巻, 10号, pp. 49-54, 201610
  101. Characterization of (100)-Dominantly Oriented Poly-Si Thin Film Transistors using Multi-Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, PRiME2016, 230th Meeting of ECS, Honolulu, USA, pp. H03-2118-H03-2118, 201610
  102. Charge-Trap Inactivation of Multi-Line-Beam CLC poly-Si TFTs using Channel Impurity Doing, PRiME2016, 230th Meeting of ECS, Honolulu, USA, pp. H03-2117-H03-2117, 201610
  103. 4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics, Abstract book of 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016), Halkidiki, Greece, pp. 537-538, 201609
  104. Enhanced-oxidation and interface modification on 4H-SiC(0001) substrate using alkaline earth metal, Abstract book of 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016), Halkidiki, Greece, pp. 557-558, 201609
  105. Low resistance Ti-Si-C ohmic contacts for 4H-SiC power devices using Laser annealing, Abstract book of 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016), Halkidiki, Greece, pp. 561-562, 201609
  106. High Gamma Ray Tolerance for 4H-SiC Bipolar Circuits, IEEE Transactions on Nuclear Science, 64巻, 2号, pp. 852-858, 201702
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  107. Transient observation of Peltier effect for PtSix-coated n-type silicon; cooler for 4H-SiC-based power devices, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 6巻, 3号, pp. N3089-N3094, 20170201
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  108. Enhanced-Oxidation and Interface Modification on 4H-SiC(0001) Substrate Using Alkaline Earth Metal, Materials Science Forum, 897巻, pp. 348-351, 20170515
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  109. 4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics, Materials Science Forum, 897巻, pp. 669-672, 20170515
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  110. Ultrahigh-performance (100)-oriented polycrystalline silicon thin-film transistors and their microscopic crystal structures, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 10巻, 5号, 201705
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  111. Formation of epitaxial Ti-Si-C Ohmic contact on 4H-SiC C face using pulsed-laser annealing, APPLIED PHYSICS LETTERS, 110巻, 25号, 20170619
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  112. Electrical properties of Ti-Si-C Ohmic contact on ion-implanted n-type 4H-SiC C face, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017), Washington, D.C., USA, pp. TU.CP.7-1-TU.CP.7-2, 201709
  113. Effects of CF4 surface etching on 4H-SiC MOS Capacitors, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017), Washington, D.C., USA, pp. WE.CP.9-1-WE.CP.9-2, 201709
  114. Correlation between field effect mobility and accumulation conductance at 4H-SiC MOS interface with barium, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017), Washington, D.C., USA, pp. TH.CP.2-1-TH.CP.2-2, 201709
  115. Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017), Washington, D.C., USA, pp. TH.CP.3-1-TH.CP.3-2, 201709
  116. 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017), Washington, D.C., USA, pp. WE.DP.4-1-WE.DP.4-2, 201709
  117. Peltier Effect of Silicon for Cooling 4H-SiC-based Power Devices, ECS Transaction, 80巻, 5号, pp. 77-85, 201710
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  118. Calculation of Seebeck Coefficients for Advanced Heat Transfer Modules, ECS Transaction, 80巻, 5号, pp. 57-62, 201710
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  119. Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip, 2017 International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest, pp. 393-396, 201712
  120. Low Resistance Ti-Si-C Ohmic Contacts for 4H-SiC Power Devices Using Laser Annealing, Mat. Sci. Forum, 897巻, pp. 399-402, 20170515
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  121. Formation of (100)-oriented large polycrystalline silicon thin films with multiline beam continuous-wave laser lateral crystallization, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 3号, 201803
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  122. Low-k Mesoporous Pure Silica Zeolite Synthesis with the Centrifugation Process of a Zeolite Precursor, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 7巻, 5号, pp. N67-N71, 2018
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  123. Electrical properties of Ti-Si-C Ohmic contact on ion-implanted n-type 4H-SiC C face, Mat. Sci. Forum, 924巻, pp. 409-412, 20180605
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  124. Correlation between Field Effect Mobility and Accumulation Conductance at 4H-SiC MOS Interface with Barium, Mat. Sci. Forum, 924巻, pp. 477-481, 20180605
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  125. Effects of CF4 surface etching on 4H-SiC MOS Capacitors, Mat. Sci. Forum, 924巻, pp. 465-468, 20180605
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  126. 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts, Mat. Sci. Forum, 924巻, pp. 423-427, 20180605
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  127. Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics, Mat. Sci. Forum, 924巻, pp. 971-974, 20180605
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  128. (100)面方位制御した超高移動度シリコン薄膜トランジスタの開発, 応用物理, 87巻, 6号, pp. 421-425, 201806
  129. Characterization of p-channel TFTs with (100)-oriented poly-Si thin film formed by multiline beam continuous-wave laser lateral crystallization, International Thin-Film Transistor Conference 2018 (ITC2018), pp. 14
  130. Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), pp. MO-P-MO7, 20180902
  131. Characterization of Ba-introduced thin gate oxide on 4H-SiC, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), pp. TU-P-SO6, 20180902
  132. Hybrid Pixel Devices with SOI-Si photodiode and 4H-SiC MOSFETs for Radiation-Hardened Image Sensors, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), pp. TU-P-RQ11, 20180902
  133. Effects of High Gamma-Ray Radiation on 3C-SiC nMOSFETs, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), pp. TU-P-RQ10, 20180902
  134. Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), pp. TU-P-RQ7, 20160902
  135. Optimization of Ni/Nb Ratio for High-Temperature-Reliable Ni/Nb Silicide Ohmic Contact on 4H-SiC, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), pp. WE-P-CO3, 20180902
  136. 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018), pp. TH-01-05, 20180902
  137. Effect of Low Angle Grain Boundaries on Electron and Hole Mobility, Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 1257-1258, 20180909
  138. High-temperature reliability of Ni/Nb ohmic contacts on 4H-SiC for harsh environment applications, THIN SOLID FILMS, 669巻, pp. 306-314, 20190101
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  139. Effect of TMCTS silylation treatments on crosslinking density of low-k zeolite porous silica film, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, 2号, 201902
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  140. Dependence of thin film transistor characteristics on low-angle grain boundaries of (100)-oriented polycrystalline silicon thin films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, SB号, 20190401
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  141. Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 58巻, 8号, 20190801
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  142. A Novel Photosensitive Porous Low-$k$ Interlayer Dielectric Film, Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes, 43巻, 4号, pp. 1820-1824, 20040415
  143. 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 106巻, 138号, pp. 119-122, 20060626
  144. Enlargement of Crystal-Grains in Thin Silicon Films Using Continuous-Wave Laser Irradiation, Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2006巻, pp. 696-697, 20060913
  145. The Drivability Enhancement Mechanisms in Nano-grating MOSFETs, Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2007巻, pp. 204-205, 20070919
  146. Lateral Recrystallized Si Thin Films with Large Tensile Strain for High Performance Thin Film Transistors, Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2007巻, pp. 566-567, 20070919
  147. Highly Reliable and Drivability-Enhanced MOS Transistors with Rounded Nanograting Channels, IEICE transactions on electronics, 93巻, 11号, pp. 1638-1644, 20101101
  148. ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 112巻, 18号, pp. 27-32, 20120420
  149. ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT, 電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス, 112巻, 19号, pp. 27-32, 20120420
  150. 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 106巻, 138号, pp. 119-122, 20060626
  151. 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 106巻, 138号, pp. 277-280, 20060626
  152. 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長,AWAD2006), 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 106巻, 137号, pp. 119-122, 20060626
  153. 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化,AWAD2006), 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 106巻, 137号, pp. 277-280, 20060626
  154. The 't Hooft-Berknoff Equation and The Bilocal Auxiliary Field Method, 素粒子論研究, 103巻, 5号, pp. E99-E100, 20010820
  155. Noncommutative Deformation Invariant Quantum Field Theory, 素粒子論研究, 104巻, 5号, 20020220
  156. MAG Topological Field Theory and Quark Confinement : review, 素粒子論研究, 98巻, 6号, pp. F2-F3, 19990320
  157. 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 107巻, 245号, pp. 23-24, 20070927
  158. エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 108巻, 236号, pp. 13-15, 20081002
  159. C-10-24 微細n型SOI-MESFETの電流電圧特性(C-10.電子デバイス,一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, 2008巻, 2号, 20080902
  160. SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性(プロセス科学と新プロセス技術), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 109巻, 257号, pp. 27-30, 20091022
  161. ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化(プロセス科学と新プロセス技術), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 109巻, 257号, pp. 47-50, 20091022
  162. Characteristics of Nano-Grating N-Channel MOSFETs for Improved Current Drivability(Semiconductor Materials and Devices), IEICE transactions on electronics, 90巻, 9号, pp. 1830-1836, 20070901
  163. 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価(プロセス科学と新プロセス技術), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 110巻, 241号, pp. 41-44, 20101014
  164. 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成(プロセス科学と新プロセス技術), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 110巻, 241号, pp. 45-48, 20101014
  165. 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 110巻, 241号, pp. 53-56, 20101014
  166. ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般), 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 112巻, 18号, pp. 27-32, 20120420
  167. Low-k Dielectric Film Patterning by X-Ray Lithography, Japanese Journal of Applied Physics, 42巻, 4号, pp. 1907-1910, 2003
  168. A Novel Photosensitive Porous Low-k Interlayer Dielectric Film, Japanese Journal of Applied Physics, 43巻, 4号, pp. 1820-1824, 2004
  169. 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線形成へのダイレクトポリッシング技術の応用, 精密工学会学術講演会講演論文集, 2010巻, 0号, pp. 133-134, 2010
  170. Low-$k$ Dielectric Film Patterning by X-Ray Lithography, Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes, 42巻, 4号, pp. 1907-1910, 20030415
  171. Enlargement of Crystal Grains in Thin Silicon Films by Continuous-Wave Laser Irradiation, Jpn J Appl Phys, 46巻, 4号, pp. 2501-2504, 20070430
  172. Analysis of Continuous-Wave Laser Lateral Crystallized Polycrystalline Silicon Thin Films with Large Tensile Strain, Jpn J Appl Phys, 47巻, 4号, pp. 3046-3049, 20080425
  173. Analysis of Drivability Enhancement Factors in Nanograting Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors, Jpn J Appl Phys, 47巻, 4号, pp. 3081-3085, 20080425
  174. Roughness Reduction in Polycrystalline Silicon Thin Films Formed by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization with Cap SiO2 Thin Films, Jpn J Appl Phys, 48巻, 4号, pp. 04C129-04C129-4, 20090425
  175. Low-Temperature Recrystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate Thin Films on Glass Substrate Using Continuous-Wave Green Laser, Jpn J Appl Phys, 48巻, 4号, pp. 04C142-04C142-4, 20090425
  176. Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate Thin Film on Glass Substrate Crystallized by Continuous-Wave Green Laser Annealing, Jpn J Appl Phys, 49巻, 4号, pp. 04DH14-04DH14-4, 20100425
  177. Enhancement of Current Drivability of Nanograting Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors, Jpn J Appl Phys, 49巻, 4号, pp. 04DJ11-04DJ11-5, 20100425
  178. Strain-Induced Back Channel Electron Mobility Enhancement in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Fabricated by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, Jpn J Appl Phys, 50巻, 4号, pp. 04DH10-04DH10-5, 20110425
  179. In-Plane Grain Orientation Alignment of Polycrystalline Silicon Films by Normal and Oblique-Angle Ion Implantations, Jpn J Appl Phys, 51巻, 4号, pp. 04DH03-04DH03-4, 20120425
  180. Integration Process Development for Improved Compatibility with Organic Non-Porous Ultralow-k Dielectric Fluorocarbon on Advanced Cu Interconnects, Jpn J Appl Phys, 51巻, 5号, pp. 05EC03-05EC03-6, 20120525
  181. Strain-induced back channel electron mobility enhancement in polycrystalline silicon thin-film transistors fabricated by continuous-wave laser lateral crystallization (Special issue: Solid state devices and materials), Japanese journal of applied physics, 50巻, 4号, pp. 04DH10-1〜5, 201104
  182. Electrical Characteristics of Novel Non-porous Low-$k$ Dielectric Fluorocarbon on Cu Interconnects for 22 nm Generation and Beyond, Jpn J Appl Phys, 50巻, 5号, pp. 05EB02-05EB02-5, 20110525
  183. Tri-Gate Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Fabricated by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization with Improved Electron Transport Properties, Jpn J Appl Phys, 51巻, 2号, pp. 02BJ03-02BJ03-6, 20120225
  184. 学識経験者の寄稿 未来に責任もつ研究を・広島大学からの挑戦, ちゅうごく産業創造センター会報, 95号, pp. 5-8, 20121221
  185. ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化による高性能poly-Si TFT (シリコン材料・デバイス), 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 114巻, 1号, pp. 45-49, 20140410
  186. Characterization of Ba-Introduced Thin Gate Oxide on 4H-SiC, Mat. Sci. Forum, 963巻, pp. 451-455, 20190719
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  187. Optimization of Ni/Nb Ratio for High-Temperature-Reliable Ni/Nb Silicide Ohmic Contact on 4H-SiC, Mat. Sci. Forum, 963巻, pp. 498-501, 20190719
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  188. Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs, Mat. Sci. Forum, 963巻, pp. 613-616, 20190719
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  189. Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors, Mat. Sci. Forum, 963巻, pp. 726-729, 20190719
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  190. 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters, Mat. Sci. Forum, 963巻, pp. 837-840, 20190719
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  191. Ni and Nb thickness dependence on low specific contact resistance and high-temperature reliability of ohmic contact to 4H-SiC, Jpn. J. Appl. Phys., 58巻, 2019
  192. A Novel Photosensitive Porous Low-$k$ Interlayer Dielectric Film, Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes, 43巻, 4号, pp. 1820-1824, 20040415
  193. 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 106巻, 138号, pp. 119-122, 20060626
  194. 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長, 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス, 106巻, 138号, pp. 119-122, 20060626
  195. 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線形成へのダイレクトポリッシング技術の応用, 精密工学会学術講演会講演論文集, 2010巻, 0号, pp. 133-134, 2010
  196. Analysis of Continuous-Wave Laser Lateral Crystallized Polycrystalline Silicon Thin Films with Large Tensile Strain, Jpn J Appl Phys, 47巻, 4号, pp. 3046-3049, 20080425
  197. CF4:O2 surface etching for the improvement of contact resistance and high-temperature reliability in Ni/Nb ohmic contacts on n-type 4H-SiC, Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, pp. 056501-1-056501-6, 20200429
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  198. Thickness dependencies of SiO2/BaOx layers on interfacial properties of a layered gate dielectric on 4H-SiC, Materials Science in Semiconductor Processing, 121巻, 2021号, pp. 105343-1-105343-6, 20200825
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  199. Pixel Array Integration with SOI-Si photodiode and 4H-SiC MOSFETs for Radiation-Hardened image sensors, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019), pp. Th.P.30, 20190929
  200. High Temperature Reliability of 4H-SiC Devices and Single Stage 4H-SiC MOSFET Amplifier at 400ºC, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019), pp. MO.P.33
  201. Suppression of Ion Channeling Effects in 4H-SiC Substrate by Tilt Angle Control of Ion Implantation, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019), pp. MO.P.33, 20190929
  202. 4H-SiC Pixel Device with UV Photodiode and MOSFETs for Radiation-Hardened UV Image Sensors, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019), pp. TH.P.44, 20190929
  203. Thickness Dependences on Interfacial Properties of SiO2/BaO2 layers on 4H-SiC (0001), 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), pp. WP2-12, 20191127

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. (招待講演) SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築, 黒木 伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣, 2022年電子情報通信学会総合大会 シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」, 2022年03月16日, 招待, 日本語, 電子情報通信学会, オンライン
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  2. (招待講演) SiC Extreme-Environment Electronics: From Nuclear Power Station to New Medical Applications, Shin-Ichiro Kuroki, International Workshop on Nanodevice Technologies 2022, in Memory of M. Hirose (IWNT2022), 2022年03月11日, 招待, 英語, RNBS, Hiroshima University, オンライン
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  3. (招待講演) SiC MOSFET 集積回路の高温動作とSiC/金属界面信頼性, 黒木伸一郎, Vuong Van Cuong，志摩 拓真，甲斐 陶弥，目黒 達也, 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会　第９回 個別討論会「高温動作集積回路開発の現状と課題」, 2022年03月10日, 招待, 日本語, 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会, オンライン
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  4. (招待講演）シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究, 黒木伸一郎, 志摩 拓真, 目黒 達也, Vuong Van Cuong, 武山 昭憲, 牧野 高紘, 大島 武, 児島 一聡, 田中 保宣, 電気学会 電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」, 2022年03月09日, 招待, 日本語, 電気学会, オンライン
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  5. (招待講演）SiC極限環境エレクトロニクスの研究開発：原子炉廃炉対応から宇宙・医療応用まで, 黒木伸一郎, 第二回　電子情報通信学会支部CoEシンポジウム, 2021年12月07日, 招待, 日本語, 電子情報通信学会, オンライン
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  6. (招待講演）耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発, 大島 武, 武山 昭憲、牧野 高紘、黒木 伸一郎、田中 保宣, 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム 「福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－ 」, 2021年09月10日, 招待, 日本語, 応用物理学会, オンライン
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  7. (招待講演）(100)-Surface-Oriented Poly-Si Thin Film Transistors by using Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, Shin-Ichiro Kuroki, Thi Thuy Nguyen, THERMEC2021, INTERNATIONAL CONFERENCE ON PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS, 2021年05月10日, 招待, 英語, Wien, Austria /Virtual Conference
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  8. (招待講演）SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発, 黒木伸一郎, 目黒達也，西垣内健汰，武山昭憲，牧野高紘，大島武，田中保宣, 応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第19回研究会, 2021年04月27日, 招待, 日本語, 応用物理学会・先進パワー半導体分科会, オンライン
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  9. (招待講演）SiC 半導体による極限環境エレクトロニクス構築, 黒木伸一郎, （公財）科学技術交流財団 第 3 回「厳環境下 IoT 向け 3C-SiC 技術研究会」, 2020年02月18日, 招待, 日本語, （公財）科学技術交流財団, 名古屋
  10. (パネルディスカッション・パネリスト）極限放射線環境下での先端センシングとロボテックス, 黒木伸一郎, JAEA/CLAD福島リサーチコンファレンス「廃炉遠隔技術のための耐放射線化、運用技術及び計測技術の高度化の展望に関するカンファレンス」, 2018年11月27日, 招待, 英語, 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 福島県双葉郡富岡町
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  11. (招待講演)耐放射線デバイスの実用化へのアプローチ, 黒木伸一郎, JAEA/CLAD福島リサーチコンファレンス「廃炉遠隔技術のための耐放射線化、運用技術及び計測技術の高度化の展望に関するカンファレンス」, 2018年11月26日, 招待, 英語, 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 福島県双葉郡富岡町「学びの森」
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  12. (招待講演）SiC極限環境エレクトロニクスと放射光による薄膜・界面状態分析, 黒木伸一郎, 第6回SPring-8次世代先端デバイス研究会／第32回SPring-8先端利用技術ワークショップ, 2018年11月19日, 招待, 日本語, （公財）高輝度光科学研究センター（JASRI） SPring-8利用推進協議会, 東京
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  13. (招待講演・チュートリアル) パワーエレクトロニクスとワイドバンドギャップ半導体, 黒木伸一郎, 薄膜材料デバイス研究会, 2011年11月09日, 招待, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会組織委員会, 京都
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  14. (招待講演) 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Harsh Environment Electronics, Shin-Ichiro Kuroki, 19th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, 2017年11月21日, 招待, 英語, Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka
  15. (招待講演) Peltier Effect of Silicon for cooling 4H-SiC-based power devices, Y. Furubayashi, T. Tanehira, K. Yonemori, S. Miyoshi, and S-I. Kuroki, 232nd Electrochemical Society Meeting, 2017年10月03日, 招待, 英語, The Electrochemical Society, National Harbor, MD, USA
  16. (招待講演） (211) and (100) Surface Oriented Poly-Si Thin Film Transistors with Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization, Shin-Ichiro Kuroki, Thi Thuy Nguyen, and Mitsuhisa Hiraiwa, Shin-Ichiro Kuroki, Thi Thuy Nguyen, and Mitsuhisa Hiraiwa, The 17th International Meeting on Information Display (iMID2017), Busan, Korea, 2017年08月30日, 招待, 英語, Busan, Korea
  17. (招待講演) 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Harsh Environment Electronics, Shin-Ichiro Kuroki, IEEE Sweden (IEEE米国電気電子学会スウェーデン支部）, 2017年01月30日, 招待, 英語, IEEE Sweden, Kista, Sweden
  18. (招待講演) 4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics, Shin-Ichiro Kuroki, International Workshop on Radiation Resistant Sensors and Related Technologies for Nuclear Power Plant Decommissioning (R2SRT2016)(廃炉に向けた耐放射線性センサー及び関連研究に関する国際ワークショップ), 2016年04月, 招待, 英語, Iwaki, Fukushima
  19. (招待講演)4H-SiC MOSFETs for power and harsh environment electronics, Shin-Ichiro. Kuroki, Annual World Congress of Smart Materials 2016-Develop New Path of Smartness, 2016年03月, 招待, 英語, Singapore
  20. (招待講演）Poly-Si TFTs with One-dimensionally Long Silicon Crystal Grains Using DLB Continuous-wave Laser Lateral Crystallization, Shin-Ichiro Kuroki, iMiD 2015: The 15th International Meeting on Information Display, 2015年08月, 招待, 英語, Daegu, Korea
  21. (招待講演)ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT, 黒木 伸一郎, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 2012年04月, 招待, 日本語
  22. (招待講演）One-dimensionally Long Silicon Grain Formation by Continuous-Wave Green Laser and Its Applications., Shin-Ichiro Kuroki, THE 6th INTERNATIONAL THIN-FILM TRANSISTOR CONFERENCE (January 28-29, 2010, Hyogo)., 2010年01月, 招待, 英語
  23. (招待講演)連続発振レーザラテラル結晶化とTFT特性, 黒木 伸一郎, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会、 シンポジウム「44.1 薄膜トランジスタ、薄膜太陽電池のプロダクション科学　－半導 体薄膜の低温結晶化－」, 2011年03月, 招待, 日本語

受賞

  1. 2013年03月06日, 丸文財団 交流研究助成, 一般財団法人丸文財団, シリコンカーバイド半導体による放射線耐性に優れたCMOS集積回路の研究
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  2. 2012年07月04日, AM-FPD '11 Poster Award, AM-FPD Organizing Committee Chair(AM-FPD組織委員会 委員長)，AM-FPD Award Committee Chair(AM-FPD Award委員会 委員長)
  3. 2018年10月01日, 第79回応用物理学会秋季学術講演会Poster Award, 公益社団法人応用物理学会会長

取得

  1. 特許権, 2019年08月16日
  2. 特許権, 2020年01月07日

外部資金

競争的資金等の採択状況

  1. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成, 2020年04月01日, 2023年03月31日
  2. マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM), マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM), 2021年04月, 2022年03月
  3. マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM), マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM), 2021年02月, 2021年03月
  4. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), シリコンカーバイドによる極限環境エレクトロニクスの研究, 2017年04月, 2020年03月
  5. 英知を結集した原子力科学技術・人材育成推進事業 戦略的原子力共同研究プログラム, 原子力エレクトロニクス技術を活用した耐放射線半導体イメージセンサの開発, 2016年10月, 2019年03月
  6. 科学研究費助成事業(国際共同研究加速基金（国際共同研究強化), ワイドバンドギャップSiC半導体による放射線耐性に優れたCMOS集積回路の研究(国際共同研究強化), 2016年, 2017年
  7. 科学研究費助成事業(基盤研究(C)), ワイドバンドギャップSiC半導体による放射線耐性に優れたCMOS集積回路の研究, 2013年, 2015年
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  8. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), 領域選択プロセスによる高性能薄膜トランジスタを用いたグリーンＬＳＩ技術, 2011年, 2013年
    関連URL
  9. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), 多重チャネリングイオン注入により配向制御した単結晶Siナノワイヤーの創出, 2009年, 2011年
    関連URL
  10. 科学研究費助成事業(萌芽研究), 半導体デバイスの超微細化に向けた革新的な高濃度極浅接合形成技術の創出, 2007年, 2008年
    関連URL
  11. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), 絶縁基板上Si薄膜の3次元結晶配向制御とTFT応用, 2007年, 2008年
    関連URL
  12. 科学研究費助成事業(若手研究(A)), TFTアクティブマトリクス人工腎臓開発のための基盤研究, 2005年, 2009年
    関連URL

社会活動

委員会等委員歴

  1. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 幹事, 2020年04月, 2021年03月, 公益社団法人応用物理学会
  2. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第49期幹事, 2020年04月, 2021年03月, 公益社団法人応用物理学会
  3. 薄膜材料デバイス研究会 組織・実行委員, 2020年01月, 2020年12月, 薄膜材料デバイス研究会
  4. 国際固体素子・材料ｺﾝﾌｧﾚﾝｽ(SSDM)論文委員, 2020年01月, 2020年12月, ＳＳＤＭ事務局
  5. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　実行・プログラム委員, 2020年01月, 2021年01月, 電子デバイス界面テクノロジー研究会
  6. 先進パワー半導体分科会講演会実行委員会 実行委員長, 2019年05月, 2019年12月, 公益社団法人応用物理学会
  7. シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議(ICSCRM2019) 実行委員, 2018年08月, 2019年12月, シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議(ICSCRM2019)
  8. 国際固体素子・材料ｺﾝﾌｧﾚﾝｽ(SSDM)論文委員, 2019年04月, 2019年12月, ＳＳＤＭ事務局
  9. 第41回ドライプロセス国際シンポジウム(DPS2019)実行委員, 2019年02月, 2019年12月, 第41回ドライプロセス国際シンポジウム組織委員会
  10. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　実行・プログラム委員, 2019年01月, 2020年01月, 電子デバイス界面テクノロジー研究会
  11. 薄膜材料デバイス研究会 組織・実行委員, 2019年01月, 2019年12月, 薄膜材料デバイス研究会
  12. 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 幹事, 2019年04月, 2020年03月, 公益社団法人応用物理学会
  13. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第48期幹事, 2019年04月, 2020年03月, 公益社団法人応用物理学会
  14. 非常勤講師, 2019年04月, 2020年03月, 広島工業大学
  15. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第47期常任幹事, 2018年04月, 2019年03月, 応用物理学会
  16. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 第46期常任幹事, 2017年04月, 2018年03月, 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
  17. 国際固体素子・材料ｺﾝﾌｧﾚﾝｽ論文委員, 2018年01月, 2018年12月, （社）応用物理学会
  18. 国際学会・実行委員会委員, 2017年10月, 2018年09月, THE 25th INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AMFPD2018)
  19. 国際学会プログラム委員・セッションチェア, 2017年07月, 2018年10月, 14th International Conference on Atomically Controlled Suerfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)
  20. 国際学会・実行委員会委員, 2016年10月, 2017年09月, THE 24th INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AMFPD2017)
  21. Scientific Committee, 2016年10月, 2017年06月, INTERNATIONAL CONFERENCE on ADVANCEMENTS in NUCLEAR INSTRUMENTATION MEASUREMENT METHODS and their APPLICATIONS (ANIMMA2017)
  22. 応用物理学会中国・四国支部役員会, 2017年04月, 応用物理学会中国・四国支部
  23. 組織委員, 2017年01月, 2017年12月, 薄膜材料デバイス研究会
  24. 組織・実行委員, 2016年10月, 2017年03月, 国際ナノデバイステクノロジーワークショップ 2017
  25. 組織委員, 2016年01月, 2016年12月, 薄膜材料デバイス研究会
  26. 国際学会・実行委員会委員, 2015年10月, 2016年09月, AM-FPD組織委員会
  27. 実行委員, 2015年10月, 2015年10月, 第6回薄膜太陽電池セミナー
  28. 応用物理学会 中国四国支部 庶務幹事, 2015年04月, 2017年03月, 応用物理学会
  29. 国際学会・プログラム委員長, 2014年10月, 2015年09月, AM-FPD組織委員会
  30. プログラム委員長, 2015年01月, 2015年12月, 薄膜材料デバイス研究会
  31. 組織・実行委員, 2014年07月, 2015年03月, 国際ナノデバイステクノロジーワークショップ 2015
  32. 実行委員長, 2014年01月, 2014年12月, 薄膜材料デバイス研究会
  33. 日本支部幹事, 2013年10月, 米国電気化学会(ECS) 日本支部
  34. 国際学会・プログラム委員長, 2013年10月, 2014年09月, AM-FPD組織委員会
  35. 国際学会・プログラム委員, 2012年10月, 2013年09月, AM-FPD組織委員会
  36. 中国地域におけるパワー半導体の現状整理と関連事業の参入可能性調査委員会委員, 2012年05月, 2013年03月, 公益財団法人ちゅうごく産業創造センター
  37. 組織委員, 2012年04月, 薄膜材料デバイス研究会
  38. 国際学会・論文委員, 2011年12月, 2012年11月, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
  39. 国際学会・プログラム委員, 2011年10月, 2012年09月, AM-FPD組織委員会
  40. 日本支部事務局・会計役, 2011年09月, 2013年08月, 米国電気化学会(ECS) 日本支部
  41. 国際学会・論文委員, 2010年12月, 2011年11月, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)

その他社会貢献活動（広大・部局主催含）

  1. 第3回生体医歯工学共同研究拠点国際シンポジウム, 組織・実行委員, 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 2018年/11月/08日, 2018年/11月/09日, 広島大学サタケメモリアルホール, 企画, 講演会, 研究者
    関連URL
  2. International Workshop on Nanodevices Technology 2018, 組織・実行委員, 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, International Workshop on Nanodevices Technology 2018, 2018年/03月/02日, 2018年/03月/02日, 広島大学サタケホール, 企画, セミナー・ワークショップ, 研究者
  3. International Workshop on Nanodevices Technology 2017, 組織・実行委員, 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 2017年/03月/02日, 2017年/03月/02日, 広島大学サタケホール, 企画, セミナー・ワークショップ, 研究者