東 清一郎Seiichirou Higashi

Last Updated :2021/03/01

所属・職名
大学院先進理工系科学研究科 教授
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メールアドレス
sehigahiroshima-u.ac.jp

基本情報

学位

  • 博士(工学) (東京農工大学)
  • 理学修士 (九州大学)

研究分野

  • 総合理工 / 応用物理学 / プラズマエレクトロニクス
  • 工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器

研究キーワード

  • 低温プロセス
  • 薄膜トランジスタ
  • 多結晶シリコン

教育活動

授業担当

  1. 2020年, 学部専門, 1ターム, 研究指導IIB
  2. 2020年, 学部専門, 1ターム, 固体物性論
  3. 2020年, 学部専門, 4ターム, 電子材料工学
  4. 2020年, 学部専門, 通年, 卒業論文
  5. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 1ターム, 半導体物性工学
  6. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 2ターム, 電子工学特別演習A
  7. 2020年, 修士課程・博士課程前期, セメスター(前期), 電子工学セミナーA
  8. 2020年, 修士課程・博士課程前期, セメスター(後期), 電子工学セミナーB
  9. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  10. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  11. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 1ターム, 電子工学特別演習A
  12. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 3ターム, 電子工学特別演習B
  13. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 4ターム, 電子工学特別演習B
  14. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 1ターム, 半導体物性工学
  15. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  16. 2020年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  17. 2020年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 量子物質科学特別研究

研究活動

学術論文(★は代表的な論文)

  1. Direct observation of ultra-rapid solid phase crystallization of amorphous silicon films irradiated by micro-thermal-plasma-jet, Materials Science in Semiconductor Processing, 121巻, pp. 105357-1-105357-9, 20200820
  2. Development of high-yield layer transfer process of single-crystalline silicon thin films on plastic substrate and its application to multi-functional device integration, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 59巻, SGGJ02号, pp. SGGJ02-1-SGGJ02-8, 20200401
  3. Band-energy estimation on silicon cap annealed 4H-SiC surface using hard X-ray photoelectron spectroscopy, SURFACE SCIENCE, 696巻, 202006
  4. Precise measurement of the temperature of a silicon wafer by an optical-interference contactless thermometer during rapid plasma processing, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 127巻, 20号, 20200529
  5. Large area annealing by magnetic field scanning of atmospheric pressure thermal plasma beam, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 59巻, 202006
  6. Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 7巻, 1号, pp. 943-948, 20190603
  7. In situ monitoring to visualize temperature distribution in molten silicon region formed under atmospheric pressure thermal plasma jet irradiation, Applied Physics Express, 13巻, 1号, pp. 015507-1-015507-5, 20191203
  8. Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 6号, pp. 06JH01-1-06JH01-4, 201806
  9. High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 4号, 201704
  10. Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 6号, 201706
  11. 熱プラズマジェットを用いた熱処理技術の開発と電子デバイスプロセスへの応用, Journal of the Vacuum Society of Japan, 60巻, 3号, pp. 77-80, 20170310
  12. Investigations on crack generation mechanism and crack reduction by buffer layer insertion in thermal-plasma-jet crystallization of amorphous silicon films on glass substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 1号, 201501
  13. Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 4号, pp. 04DA08-1-04DA08-5, 201504
  14. High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 6号, pp. 06GC01-1-06GC01-8, 201506
  15. Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 8号, pp. 086503-1-086503-7, 201508
  16. Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by EBSD Pattern Analysis, Mat. Sci. Forum, 821-823巻, pp. 391-394, 2015
  17. Investigation of silicon grain structure and electrical characteristics of TFTs fabricated using different crystallized silicon films by atmospheric pressure micro-thermal-plasma-jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 3号, 201403
  18. Low-temperature layer transfer of midair cavity silicon films to a poly(ethylene terephthalate) substrate by meniscus force, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 1号, 201401
  19. A technique for local area transfer and simultaneous crystallization of amorphous silicon layer with midair cavity by irradiation with near-infrared semiconductor diode laser, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 4号, 201404
  20. Fabrication of N-channel single crystalline silicon (100) thin-film transistors on glass substrate by meniscus force-mediated layer transfer technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53巻, 10号, 201410
  21. Improvement in Characteristic Variability of TFTs Using Grain Growth Control by Micro Thermal Plasma Jet Irradiation on a-Si Strips, JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, 10巻, 11号, pp. 950-955, 201411
  22. Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC Employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer, Mat. Sci. Forum, 778-780巻, pp. 649-652, 2014
  23. Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface, J. Phys.Conf. Series, 417巻, 1号, 2013
  24. Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 674-679, 201305
  25. Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E96C巻, 5号, pp. 702-707, 201305
  26. Layer Transfer and Simultaneous Crystallization Technique for Amorphous Si Films with Midair Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 5号, 201305
  27. Leading Wave Crystallization Induced by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation of Amorphous Silicon Films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 5号, 201305
  28. Highly-Crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 Very High Frequency Inductively-Coupled Plasma: Crystalline Nucleation Initiated by Ni Nanodots, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 11号, 201311
  29. Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide Resistive Random Access Memories with Ti-Based Electrodes, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 11号, 201311
  30. Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force, APPLIED PHYSICS LETTERS, 103巻, 23号, 20131202
  31. XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100), Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 38巻, 3号, pp. 353-357, 2013
  32. Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes, ECS Trans.,, 58巻, 9号, pp. 293-300, 2013
  33. Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods, J. Phys,Conf. Ser.,, 417巻, 1号, 2013
  34. Fabrication of High-Performance Thin-Film Transistors on Glass Substrate by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet-Induced Lateral Crystallization Technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 2号, 201202
  35. Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E95C巻, 5号, pp. 879-884, 201205
  36. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 6号, 201206
  37. マイクロ熱プラズマジェット結晶化におけるアモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いた結晶成長制御, 電子情報通信学会技術研究報告 シリコン材料・デバイス・信学技法, 112巻, 18号, pp. pp67-70, 20120401
  38. 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御, 電子情報通信学会技術研究報告 シリコン材料・デバイス・信学技法, 112巻, 92号, pp. pp.53-58, 20120601
  39. Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion, ECS Trans, 50巻, 9号, pp. 449.-457, 2012
  40. Grain Growth Control during Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation Using Amorphous Si Strips and Slit Masks, ECS Trans, 50巻, 8号, pp. 29-34, 2012
  41. Layer Transfer and Simultaneous Activation of Phosphorous Atoms in Silicon Films by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation, Mat. Res. Soc.Symp. Proc., 1426巻, pp. 275-280, 2012
  42. Layer Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Si Films with Mid-Air Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation, ECS Trans, 50巻, 8号, pp. pp. 43-48, 20121001
  43. Direct observation of grain growth from molten silicon formed by micro-thermal-plasma-jet irradiation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 101巻, 17号, 20121022
  44. Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 51巻, 6S号, 2012
  45. Activation of As Atoms in Ultrashallow Junction during Milli- and Microsecond Annealing Induced by Thermal-Plasma-Jet Irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, 201104
  46. Native Oxidation Growth on Ge(111) and (100) Surfaces, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 4号, 201104
  47. Formation of High-Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 8号, 201108
  48. The Impact of Y Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 6号, 201106
  49. Impact of Annealing Ambience on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E94C巻, 5号, pp. 699-704, 201105
  50. Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E94C巻, 5号, pp. 717-723, 201105
  51. X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Interfacial Reactions between Metal and Ultrathin Ge Oxide, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 10号, 201110
  52. Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium-Yttrium Mixed Oxide, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 10号, 201110
  53. 大気圧プラズマジェット照射急速熱処理によるナノドットおよび極浅接合形成, 応用物理学会シリコンテクノロジー研究会第133回研究集会, 20110201
  54. Ge(100)表面の極薄TioxキャッピングによるHfO2原子堆積/熱処理時の界面反応制御, シリコン材料・デバイス研究会[SDM], Vol.111巻, No.114号, pp. pp47-50, 20110701
  55. 金属/GeO2界面における科学結合状態の光電子分光分析, シリコン材料・デバイス研究会[SDM], Vol.111巻, No.114号, pp. pp63-68, 20110701
  56. RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性, シリコン材料・デバイス研究会[SDM], Vol.111巻, No.114号, pp. pp97-102, 20110701
  57. Application of Thermal Plasma Jet Irradiation to Crystallization and Gate Insulator Improvement for High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 50巻, 3号, 201103
  58. Characterization of chemical bonding features at metal/GeO2 Interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 88巻, 7号, pp. 1549-1552, 201107
  59. Impact of insertion of ultrathin TaOx, layer at the Pt/TiO2 interface on resistive switching characteristics, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 88巻, 7号, pp. 1152-1154, 201107
  60. Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価, 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, pp. SDM2010-47 pp.79-84, 20100601
  61. TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響, 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, pp. SDM2010-38 pp.27-32, 20100601
  62. Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation, Phys. Status Solidi, C7巻, 3-4号, pp. 732-734, 2010
  63. Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals, ECS Trans, 33巻, 6号, pp. 253-262, 2010
  64. Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Ge Microliquid, ECS Trans, 33巻, 6号, pp. 165-170, 2010
  65. Formation of High Crystallinity Silicon Films by High Speed Scanning of Melting Region Formed by Atmospheric Pressure DC Arc Discharge Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 3巻, 6号, 2010
  66. Formation of High-Quality SiO2 and SiO2/Si Interface by Thermal-Plasma-Jet-Induced Millisecond Annealing and Postmetallization Annealing, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 8号, 201008
  67. Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 3号, 2010
  68. Activation of B and As in Ultrashallow Junction During Millisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 4号, 2010
  69. Formation mechanism of metal nanodots induced by remote plasma exposure, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 12巻, 3号, pp. 626-630, 201003
  70. 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化, 「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」 プラズマ・核融合学会誌, 85巻, 3号, pp. 119-123, 20090301
  71. Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High-Power-Density Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultrashallow Junction Formation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 48巻, 4号, 200904
  72. Characterization of interfacial reaction and chemical bonding features of LaOx/HfO2 stack structure formed on thermally-grown SiO2/Si(100), MICROELECTRONIC ENGINEERING, 86巻, 7-9号, pp. 1650-1653, 2009
  73. Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories, IEICE Trans. on Electronics, E92-C巻, 5号, pp. 616-619, 2009
  74. Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 surface, ECS Trans.,, 19巻, 22号, pp. 35-43, 2009
  75. Nucleation study of hydrogenated microcrystalline silicon (mu c-Si : H) films deposited by VHF-ICP, THIN SOLID FILMS, 516巻, 11号, pp. 3497-3501, 20080401
  76. Crystallization of amorphous Ge films induced by semiconductor diode laser annealing, THIN SOLID FILMS, 516巻, 11号, pp. 3595-3600, 20080401
  77. Effect of He addition on the heating characteristics of substrate surface irradiated by Ar thermal plasma jet, THIN SOLID FILMS, 516巻, 11号, pp. 3680-3683, 20080401
  78. In-situ measurement of temperature variation in Si wafer during millisecond rapid thermal annealing induced by thermal plasma jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 2460-2463, 200804
  79. Self-assembling formation of Ni nanodots on SiO2 induced by remote H-2 plasma treatment and their electrical charging characteristics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 3099-3102, 200804
  80. Characterization of multistep electron charging and discharging of a silicon quantum dots floating gate by applying pulsed gate biases, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 4号, pp. 3103-3106, 200804
  81. Growth of Si crystalline in SiOx films induced by millisecond rapid thermal annealing using thermal plasma jet, SOLID-STATE ELECTRONICS, 52巻, 3号, pp. 377-380, 200803
  82. Progress on charge distribution in multiply-stacked Si quantum dots/SiO2 structure as evaluated by AFM/KFM, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E91C巻, 5号, pp. 712-715, 200805
  83. Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Silicon Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 8号, pp. 6949-6952, 200808
  84. Low temperature high-rate growth of crystalline Ge films on quartz and crystalline Si substrates from VHF inductively-coupled plasma of GeH(4), THIN SOLID FILMS, 517巻, 1号, pp. 216-218, 20081103
  85. Impact of impurity doping into Si quantum dots with Ge core on their electrical charging characteristics, THIN SOLID FILMS, 517巻, 1号, pp. 306-308, 20081103
  86. Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory, ECS Trans.,, 16巻, 9号, pp. 177-182, 2008
  87. Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2, ECS. Trans.,, 16巻, 10号, pp. 255-260, 2008
  88. Control of substrate surface temperature in millisecond annealing technique using thermal plasma jet, THIN SOLID FILMS, 515巻, 12号, pp. 4897-4900, 20070423
  89. Growth of crystallized ge films from VHF inductively-coupled plasma of H-2-diluted GeH4, THIN SOLID FILMS, 515巻, 12号, pp. 4971-4974, 20070423
  90. Evaluation of dielectric reliability of ultrathin HfSiOxNy in metal-gate capacitors, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E90C巻, 5号, pp. 962-967, 200705
  91. Melting and solidification of microcrystalline Si films induced by semiconductor diode laser irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 3B号, pp. 1276-1279, 200703
  92. Characterization of chemical bonding features and defect state density in HfSiOxNy/SiO2 gate stack, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 84巻, 9-10号, pp. 2386-2389, 2007
  93. Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots, Solid State Phenomena, 121-123巻, pp. 557-560, 2007
  94. Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique, Mat. Sci. Forum, 561-565巻, pp. 1213-1216, 2007
  95. High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartz from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2, Mat. Sci. Forum, 561-565巻, pp. 1209-1212, 2007
  96. Electrical Characteristics of Lightly-Doped Si Films Crsytallized by Thermal Plasma Jet Irradiation, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 32巻, pp. 465-468, 2007
  97. Pulsed laser annealing of thin silicon films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45巻, 4A号, pp. 2437-2440, 200604
  98. In-situ observation of rapid crystalline growth induced by excimer laser irradiation to Ge/Si stacked structure, THIN SOLID FILMS, 508巻, 1-2号, pp. 53-56, 20060605
  99. Characterization of electronic charged states of P-doped Si quantum dots using AFM/Kelvin probe, THIN SOLID FILMS, 508巻, 1-2号, pp. 186-189, 20060605
  100. Decay characteristics of electronic charged states of Si quantum dots as evaluated by an AFM/Kelvin probe technique, THIN SOLID FILMS, 508巻, 1-2号, pp. 190-194, 20060605
  101. Crystallization of Si in millisecond time domain induced by thermal plasma jet irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45巻, 5B号, pp. 4313-4320, 200605
  102. Analysis of transient temperature profile during thermal plasma jet annealing of si films on quartz substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45巻, 5B号, pp. 4355-4357, 200605
  103. Study of Charged States of Si Quantum Dots with Ge Core, Electrochem. Soc. Trans.,, 3巻, 7号, pp. 257-262, 2006
  104. Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp. 133-136, 2006
  105. Multistep Electron Charging to and Discharging from Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in nMOSFETs, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp. 137-140, 2006
  106. Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp. 145-148, 2006
  107. Nitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp. 153-156, 2006
  108. Impact of Nitrogen Incorporation into Yittrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp. 157-160, 2006
  109. Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) Systems, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 31巻, pp. 125-128, 2006
  110. Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation, J. of Surf. Sci. and Nanotech.,, 4巻, pp. 174-179, 2006
  111. Characterization of atom diffusion in polycrystalline Si/SiGe/Si stacked gate, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E88C巻, 4号, pp. 646-650, 200504
  112. Application of plasma jet crystallization technique to fabrication of thin-film transistor, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44巻, 1-7号, pp. L108-L110, 2005
  113. Characterization of germanium nanocrystallites grown on SiO2 by a conductive AFM probe technique, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E88C巻, 4号, pp. 705-708, 200504
  114. A new crystallization technique of Si films on glass substrate using thermal plasma jet, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp. 8-11, 20050515
  115. Formation of microcrystalline germanium (mu c-Ge : H) films from inductively coupled plasma CVD, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp. 12-15, 20050515
  116. Influence of substrate dc bias on crystallinity of silicon films grown at a high rate from inductively-coupled plasma CVD, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp. 39-42, 20050515
  117. Control of the nucleation density of Si quantum dots by remote hydrogen plasma treatment, APPLIED SURFACE SCIENCE, 244巻, 1-4号, pp. 75-78, 20050515
  118. Pulsed laser crystallization of very thin silicon films, THIN SOLID FILMS, 487巻, 1-2号, pp. 63-66, 20050901
  119. Crystallization of Si films on glass substrate using thermal plasma jet, THIN SOLID FILMS, 487巻, 1-2号, pp. 122-125, 20050901
  120. Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor Using Plasma Jet Crystalliztion Technique, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 30巻, pp. 283-286, 2005
  121. Electrical Characterization of HfAlOx/SiON Dielectric Gate Capacitors, Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,, 30巻, pp. 205-208, 2005
  122. Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack, Electrochem. Soc. Trans.,, 1巻, 1号, pp. 163-172, 2005
  123. Electrical characterization of Ge microcrystallites by atomic force microscopy using a conducting probe, THIN SOLID FILMS, 457巻, 1号, pp. 103-108, 20040601
  124. Impact of rapid thermal O-2 anneal on dielectric stack structures of hafnium aluminate and silicon dioxide formed on Si(100), JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 43巻, 11B号, pp. 7831-7836, 200411
  125. Characterization of interfacial oxide layers in heterostructures of hafnium oxides formed on NH3-nitrided Si(100), JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 43巻, 11B号, pp. 7890-7894, 200411
  126. Single-grain Si TFTs with ECR-PECVD gate SiO2, IEEE Trans. Electron Devices,, 51巻, pp. 500-502, 2004
  127. レーザーアニールにおけるシリコン膜の極短時間溶融・固化現象と膜物性, レーザー研究, 31巻, 1号, pp. 26-32, 20030101
  128. High Quality Gate-SiOx and SiOx/Si Interface Formation at Low Temperature Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, Jpn. J. Appl. Phys., 42巻, pp. L814-L817, 20030401
  129. Defect control Process Technologies for High-Performance Polycrystalline Si Thin-Film Transistor Fabrication, Solid State Phenomena, 93巻, pp. 49-54, 2003
  130. High-Quality SiO2/Si Interface Formation and Its Application to Fabrication of Low-Temperature-Processed Polycrystalline Si Thin-Film Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 41巻, 6A号, pp. 3646-3650, 20020601
  131. Development of High-Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors (TFTs) Using Defect Control Process Technologies, IEEE Electron Device Letters, 23巻, 7号, pp. 407-409, 20020701
  132. Pulsed-Laser-Induced Microcrystallization and Amorphization of Silicon Thin Films, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 2A号, pp. 480-485, 20010201
  133. Low Temperature Formation of Device Quality SiO2/Si Interfaces Using Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 6A号, pp. 4171-4175, 20010601
  134. Stress in Pulsed-Laser Crystallized Silicon Films, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 2A号, pp. 731-735, 20010201
  135. Analysis of free-carrier optical absorption used for characterization of microcrystalline silicon films, Solar Energy Mat. & Solar Cells, 66巻, pp. 389-395, 2001
  136. Characterization of pulsed laser crystallization of silicon thin film, Solar Energy Mat. & Solar Cells, 66巻, pp. 381-387, 2001
  137. Reduction of defects of polycrystalline silicon thin films by heat treatment with high-pressure H2O vapor, Solar Energy Mat. & Solar Cells, 66巻, pp. 577-583, 2001
  138. Improvement of Electrical Properties of Pulsed Laser Crystallized Silicon Films by Oxygen Plasma Treatment, Japanese Journal of Applied Physics, 39巻, 4A号, pp. 1656-1659, 20000401
  139. Electrical Properties of Pulsed Laser Crystallized Lightly Doped Polycrystalline Silicon Films, Japanese Journal of Applied Physics, 38巻, 8A号, pp. L857-L860, 19990801
  140. Electrical Properties of Pulsed Laser Crystallized Silicon Films, European Journal of Applied Physiology, 38巻, 4A号, pp. 1892-1897, 19990401
  141. Stochastic Electron Acceleration by an Electron Cyclotron Wave Propagating in an Inhomogeneous Magnetic Field, J. Phys. Soc. Jpn.,, 65巻, 9号, pp. 2860-2866, 1996
  142. New Microwave Launcher for Producing ECR Plasmas without Window Contamination I. Excitation of Electron Cyclotron Wave, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 32巻, 4号, pp. 1818-1821, 1993
  143. Overdense Plasma Production Using Electron Cyclotron Waves, J. Phys. Soc. Jpn.,, 60巻, 5号, pp. 1600-1607, 1991
  144. Heat Treatment with High-Pressure H2O Vapor of Pulsed Laser Crystallized Silicon Films, Japanese Journal of Applied Physics, 39巻, 7A号, pp. 3883-3887
  145. Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100), ECS Trans, 64巻, 6号, pp. 423-429, 20141001
  146. Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique, ECS Trans, 64巻, 10号, pp. 17-22, 20141001
  147. Effect of Grain Growth Control by Atmospheric Micro-Thermal- Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Strips on TFT Characteristics, ECS Trans, 64巻, 10号, pp. 23-29, 20141001
  148. Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System, J. Phys. Conf. Ser.,, 417巻, 1号
  149. Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique, Trans. MRS-J.,, 34巻, 2号, pp. 309-312, 2009
  150. In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing, ECS Trans.,, 13巻, 1号, pp. 31-36, 2008

著書等出版物

  1. 2004年, THIN FILM TRANSISTORS Materials and processes Volume 2 Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors , Kluwer Academic Publisher (Dordrecht), 2004年, 単行本(学術書), 共編著, d.g.ast o.bonnaud o-k.kwon i.lee y.lee t.mohammed-brahim t.sameshima m.s.shur s.uchikoga t.ytterdal b-d choi t.a.fjeldly s.j.fonash 東 清一郎 b.iniguez 石原 令子 j.jang y.kuo
  2. 2011年08月, 大気圧プラズマの技術とプロセス開発, シーエムシー出版, 2011年, 08, 単行本(学術書), 共編著, 9784781304076
  3. 2008年11月, 薄膜トランジスタ, コロナ社, 2008年, 11, 単行本(学術書), 共著, 9784339008029
  4. 2007年02月, 低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発-システムオンパネルを目指して-, 熱プラズマジェットを用いた結晶化技術, シーエムシー出版, 2007年, 02, 単行本(学術書), 共編著, 978-4-88231-678-7

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. Two-dimensional Visualization of Temperature Distribution in Molten Region of a-Si Film during Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing, Y. Mizukawa, A. Kameda, H. Hanafusa and S. Higashi, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), 2019年09月02日, 通常, 英語, Nagoya, Japan
  2. Characteristics of Rapidly Solid Phase Crystallized Amorphous Silicon Films Formed by Micro-Thermal-Plasma Jet Irradiation, Hoa ThiKhanh Nguyen, H. Hanafusa, Y. Mizukawa, S. Hayashi, S. Higashi, 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020), 2020年09月27日, 通常, 英語, ALL-VIRTUAL conference
  3. 光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いた実測反射率測定における光吸収要因解析, 小柳 樹、水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日, 通常, 日本語, オンライン
  4. 新規薄膜太陽電池材料BaSi2内の常磁性・輻射性欠陥, 佐藤 拓磨、Mouesca Jean-Marie、Barra Anne-Laure、今井 基晴、東 清一郎、Gambarelli Serge、末益 崇, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日, 通常, 日本語, オンライン
  5. 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiCウェハ内部の熱拡散過程の可視化, 藤本 渓也、小柳 樹、水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日, 通常, 日本語, オンライン
  6. シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気伝導機構の解析, 花房 宏明、東堂 大地、東 清一郎, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日, 通常, 日本語, オンライン
  7. 中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術のロールtoロール製法への応用に向けた研究, 河北 竜治、花房 宏明、水川 友里、東 清一郎, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日, 通常, 日本語, オンライン
  8. Investigation on Rapid Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Films Induced by Micro-Thermal-Plasma Jet, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月08日, 通常, 英語, オンライン
  9. 単結晶シリコン薄膜のプラスチック基板への局所転写に関する研究, 平野 友貴、河北 竜治、花房 宏明、東 清一郎, 第67回応用物理学会春季学術講演会(中止), 2020年03月12日, 通常, 日本語, 上智大学 四谷キャンパス
  10. シリコンキャップアニーリングを行ったn型4H-SiCのオーミックコンタクト形成メカニズムの解明, 東堂 大地、花房 宏明、東 清一郎, 第67回応用物理学会春季学術講演会(中止), 2020年03月12日, 通常, 日本語, 上智大学 四谷キャンパス
  11. 光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたシリコンウェハ内部温度のミリ秒時間分解測定, 小柳 樹、亀田 朝輝、水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第67回応用物理学会春季学術講演会(中止), 2020年03月12日, 通常, 日本語, 上智大学 四谷キャンパス
  12. 大気圧熱プラズマビームの磁場スキャンによる大面積熱処理技術の研究, 瀬川 和輝、花房 宏明、水川 友里、東 清一郎, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日, 通常, 日本語, 上智大学 四谷キャンパス
  13. Investigation the solid phase crystallization kinetics at the high-temperature region by annealing amorphous silicon using micro-thermal-plasma jet, Nguyen ThiKhanh Hoa、Yuri Mizukawa、Hiroaki Hanafusa、Seiichiro Higashi, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日, 通常, 日本語, 上智大学 四谷キャンパス
  14. 光学干渉非接触温度計を用いたプラズマプロセス中のシリコンウェハ温度の高精度測定, 亀田 朝輝、水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日, 通常, 日本語, 上智大学 四谷キャンパス
  15. 大気圧熱プラズマジェットアニールにおける放射温度計を用いたGaNの温度測定, 花房 宏明、東 清一郎, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月12日, 通常, 日本語
  16. シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのオーミックコンタクト形成要因の調査, 東堂 大地、花房 宏明、東 清一郎, 先進パワー半導体分科会 第6回講演会, 2019年12月03日, 通常, 日本語, 広島国際会議場
  17. 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた高温急速熱処理と4H-SiC中不純物の高速活性化, 河崎 星輝、花房 宏明、東 清一郎, 先進パワー半導体分科会 第6回講演会, 2019年12月03日, 通常, 日本語, 広島国際会議場
  18. Direct Observation of Ultra-rapid Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Films Irradiated by Micro-Thermal Plasma Jet, S. Higashi, 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VIII), 2019年11月27日, 招待, 英語, Sendai, Japan
  19. Measurement of the Thermo-Optic Coefficient and Verification of Absolute Temperature for Plasma Processing Application of Optical Interference Contactless Thermometer of Silicon Wafer, A. Kameda, H. Hanafusa and S. Higashi, 41st International Symposium on Dry Process (DPS2019), 2019年11月21日, 通常, 英語, Hiroshima, Japan
  20. Precise determination of Temperature Distribution in Molten on Insulating Substrate Silicon Formed by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing, Y. Mizukawa, A. Kameda, H. Hanafusa and S. Higashi, 41st International Symposium on Dry Process (DPS2019), 2019年11月21日, 通常, 英語, Hiroshima, Japan
  21. Large Area Annealing by Magnetic Field Scanning of Atmospheric Pressure Thermal Plasma Beam, K. Segawa, H. Hanafusa, Y. Mizukawa and S. Higashi, 41st International Symposium on Dry Process (DPS2019), 2019年11月21日, 通常, 英語, Hiroshima, Japan
  22. 大気圧熱プラズマジェット照射で形成された融液シリコン内の2次元温度分布における高精度判定, 水川 友里、亀田 朝輝、花房 宏明、東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会, 2019年11月08日, 通常, 日本語, 龍谷大学
  23. Single-Crystalline Silicon CMOS Fabrication on PET By Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique, S. Higashi, 236th Electrochem. Soc. (ECS) Meeting, 2019年10月13日, 招待, 英語, Atlanta, GA, USA
  24. Investigation on Electrical Characteristics of 4H-SiC Schottky-Barrier-Diodes after Silicon-Cap-Annealing, D. Todo, H. Hanafusa, S. Higashi, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), 2019年09月29日, 通常, 英語, Kyoto, Japan
  25. 大気圧熱プラズマジェット照射中におけるa-Si膜上溶融領域の温度分布可視化のためのin-situモニタリング, 水川 友里、亀田 朝輝、花房 宏明、東 清一郎, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 通常, 日本語, 北海道大学 札幌キャンパス
  26. Direct observation of phase transformation and transient reflectivity of amorphous silicon film during micro-thermal plasma jet irradiation, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月18日, 通常, 英語, 北海道大学 札幌キャンパス
  27. Development of High Yield Layer Transfer Process of Single Crystalline Silicon Thin Film on Plastic Substrate and Its Application to Floating Gate Memory Fabrication, T. Hirano, R. Mizukami, T. Yamashita, F. Kondo, H. Hanafusa, Y. Mizukawa and S. Higashi, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), 2019年09月02日, 通常, 英語, Nagoya, Japan
  28. Generation of Atmospheric Pressure Thermal Plasma Beam by Nitrogen Addition to Ar DC Arc Discharge, K. Segawa, H. Hanafusa, Y. Mizukawa, and S. Higashi, 2019 Asia-Pacific Workshop Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Dev. (AWAD2019), 2019年07月01日, 通常, 英語, Busan, Korea
  29. 水のメニスカス力を利用した単結晶シリコン転写技術によるプラスチック上CMOSデバイス作製, 東 清一郎, 広島大学、静岡大学合同ワークショップ 研究交流会2019, 2019年06月28日, 通常, 日本語, 静岡大学浜松キャンパス
  30. Visualization of Temperature Field in Molten Silicon Formed by Thermal Plasma Jet Induced Ultra-rapid Annealing, S. Higashi, 2019 Int. Thin-Film Transistor Conf. (ITC2019), 2019年02月28日, 招待, 英語, Naha, Japan
  31. メニスカス力を利用した転写法によるプラスチック基板上単結晶シリコンCMOS回路作製技術, 東 清一郎, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第24回研究会), 2019年01月24日, 招待, 日本語, 東レ総合研修センター
  32. Ultra-rapid Phase Transformation of Amorphous Germanium Thin-Films on Insulator Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiatio, S. Higash, 12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, 2018年12月06日, 招待, 英語, Sendai, Japan
  33. ヘテロインテグレーションに向けたプラスチックへの単結晶シリコン薄膜転写技術, 東 清一郎, 平成30年度日本材料科学会関西・中国支部 第1回支部講演会, 2018年11月28日, 招待, 日本語, 近畿大学広島キャンパス
  34. Melting and Crystallization of Amorphous Germanium Films on Insulating Substrate By Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet,, S. Higash, H. Harada, and T. Nakatani, 2018 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting, 2018年09月30日, 通常, 英語, Cancun, Mexico
  35. Meniscus Force Mediated Transfer of Single-Crystalline Silicon Thin Films on PET Substrate and Its Application to CMOS Circuit Fabrication, S. Higashi, 18th International Meeting on Information Display (IMID2018), 2018年08月28日, 招待, 英語, Busan, Korea
  36. Nitrogen-boosted Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Generation and Its Application to Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass, Int. Thin-Film Transistor Conf. (ITC2018), 2018年02月28日, 招待, 英語
  37. Low Temperature Formation of SiNx Encapsulation Films by Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, S. Higashi, M. Wei, T. Kanamaru, 24th Int.Display Workshops (IDW'17), 2017年12月06日, 通常, 英語
  38. 単結晶シリコン薄膜転写技術によるプラスチック上CMOS回路動作, 東 清一郎, 有機エレクトロニクス研究会, 2017年11月24日, 招待, 日本語
  39. 超ハイパワー熱プラズマジェットによる核生成制御, 東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会 山陰特別研究会(土屋教授退職記念), 2017年03月21日, 通常, 日本語
  40. 熱プラズマジェットによる超急速熱処理と半導体デバイス応用, 東 清一郎, 日本物理学会 第72回年次大会(2017年), 2017年03月17日, 招待, 日本語
  41. 超ハイパワー大気圧プラズマジェットによる急速熱処理と単結晶シリコン成長技術への応用, 東 清一郎, エコ薄膜研究会, 2017年01月30日, 招待, 日本語
  42. 大気圧プラズマによるIV 族半導体薄膜の結晶成長と欠陥制御, 東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 招待, 日本語
  43. Atmospheric pressure micro-thermal-plasma-jet irradiation on amorphous germaniumstrips and its application to thin film transistor fabrication, S. Higashi, H. Harada, T. Nakatani, 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), 2016年07月04日, 通常, 英語
  44. Activation of Impurity Atoms in 4H-SiC Wafer by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation, S. Higashi, 16th International Workshop on Junction Technology (IWJT2016 ), 2016年05月09日, 招待, 英語
  45. 熱プラズマジェット(TPJ)を用いた熱処理技術の開発と電子デバイスプロセスへの応用, 東 清一郎, 日本真空学会2015年11月研究例会, 2015年11月17日, 招待, 日本語
  46. Silicon CMOS on glass and plastic - Crystallization and layer transfer approaches -, S. Higashi, Semiconductor Tech. Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors V, 2015年06月14日, 招待, 英語
  47. 大気圧プラズマを用いた急速熱処理技術と半導体デバイスプロセスへの応用, 東 清一郎, 平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, 2015年01月24日, 招待, 日本語
  48. 大気圧熱プラズマ結晶化および単結晶薄膜転写によるガラスおよびプラスティック上の高性能薄膜トランジスタ作製, 東 清一郎、林 将平、森崎 誠司、赤澤 宗樹、酒池 耕平, 第75回 応用物理学会学術講演会, 2014年09月17日, 通常, 日本語
  49. 半導体薄膜の結晶成長とデバイス応用, 東 清一郎, 第59回物性若手夏の学校 , 2014年08月01日, 招待, 日本語
  50. Atmospheric Pressure Plasma Processing and Layer Transfer Technique for Thin-Film Device Fabrication on Glass and Plastic Substrates, 2014年05月18日, 招待, 英語
  51. メニスカス力を用いた単結晶シリコン薄膜転写技術とそのデバイス応用, 東 清一郎, シリコン材料・デバイス研究会, 2014年04月10日, 招待, 日本語
  52. Low-Temperature Formation of Single-Crystalline Silicon on Glass and Plastic Substrates and Its Application to MOSFET Fabrication, S. Higashi, K. Sakaike, S. Hayashi, S. Morisaki, M. Akazawa, S. Nakamura, and T. Fukunaga, Int. Display Workshops (IDW'13), 2013年12月04日, 招待, 英語
  53. Growth Control of Crystalline Silicon during Microsecond Phase Transformation and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication, S. Higashi, S. Hayashi, S. Morisaki, and Y. Fujita, AMFPD13, 2013年06月26日, 招待, 英語
  54. 大気圧熱プラズマジェットを用いた急速熱処理技術と半導体デバイスプロセス応用, 東 清一郎, 平成24年度 第1回電子デバイス事業化フォーラム, 2012年07月07日, 招待, 日本語
  55. Application of Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet to Ultra Rapid Thermal Annealing for Semiconductor Device Fabrication, S. Higashi, Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2012), 2012年05月14日, 招待, 英語
  56. Rapid Thermal Annealing by Atmospheric Pressure Micro-thermal–Plasma–jet and Its Application to Thin FilmTransistor Fabrication –Crystallization Doping, and Reliability Improvement, S. Higashi, 2012 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, 2012年04月09日, 招待, 英語
  57. DCアーク放電大気圧プラズマジェットによる半導体薄膜結晶成長, 東 清一郎, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年08月29日, 招待, 日本語
  58. Fabrication of High Performance TFTs by Atmospheric Pressure Micro-thermal-plasma-jet Induced Lateral Crystallization Technique, S. Higashi, S. Hayashi, Y. Nishida, and R. Matsubara, 2011 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, 2011年04月25日, 通常, 英語
  59. 大気圧プラズマジェット照射急速熱処理によるナノドットおよび極浅接合形成, 東 清一郎, 第133回シリコンテクノロジー, 2011年02月18日, 通常, 日本語, 東京大学浅野キャンパス
  60. Millisecond Annealing Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultra Shallow Junction Formation, S. Higashi, 2010 Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2010), 2010年05月10日, 招待, 英語
  61. 大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用, 東 清一郎, 電子情報通信学会SDM研究会, 2010年04月23日, 招待, 日本語, 沖縄
  62. 結晶化・相変化への応用 熱プラズマジェットによるアモルファスシリコンの結晶化, 東 清一郎, 第31回真空展 VACUUM2009 併設真空トピックス, 日本真空協会9月研究例会, スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第115回定例研究会, 2009年09月16日, 招待, 日本語
  63. Control of Growth Orientation during Rapid Solidification of Si Microliquid, S. Higashi, N. Koba, T. Matsumoto, and S. Miyazaki, 23rd Int. Conf. Amorphous Nanocrystalline Semiconductors (ICANS23), 2009年08月23日, 通常, 英語
  64. TFTの基礎, 東 清一郎, 第5回SID日本支部サマーセミナー, 2009年08月03日, 招待, 日本語
  65. Millisecond Thermal Processing for TFT and ULSI, S. Higashi, Semiconductor Tech. Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors II, 2009年07月05日, 招待, 英語
  66. 熱プラズマジェットによるミリ秒急速熱処理とその半導体プロセス応用, 東 清一郎, 第44回応用物理学会スクール, 2009年04月01日, 招待, 日本語, 筑波大学
  67. Application of Thermal Plasma Jet to Crystallization of Amorphous Si Films on Glass Substrate and Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, 6th Asian-European Int. Conf. Plasma Surf. Eng. (AEPSE 2007) Workshop on Flat-panel and Flexible Devices, 2007年09月28日, 招待, 英語
  68. Poly-Si TFT 新たなSi膜結晶化法(熱プラズマジェット法), 東 清一郎, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月04日, 招待, 日本語, 北海道工業大学
  69. 熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理技術のTFT作製プロセス応用, 東 清一郎, 半導体界面制御技術第154委員会第58回研究会, 2007年05月16日, 招待, 日本語, 首都大学東京
  70. Ultrarapid thermal annealing induced by DC arc discharge plasma jet its application, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, 5th Int. Symp. Nanotechnol. JAPAN NANO 2007, 2007年02月20日, 通常, 英語
  71. Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Irradiation, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, Fifth Hiroshima Int. Workshop Nanoelectronics for Tera-Bit Information Processing, 2007年01月29日, 通常, 英語
  72. Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki, 3rd Int. TFT Conf., 2007年01月25日, 通常, 英語
  73. Ultrarapid Thermal Annealing Induced by Plasma Jet Irradiation and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, Int. 21st Century COE Symp. Atomistic Fabrication Tech., 2006年10月19日, 通常, 英語
  74. Rapid Thermal Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, 12th Int. Display Workshop/Asia Display 2005, 2005年12月06日, 招待, 英語
  75. Formation of Si Nano-Crystals by Millisecond Annealing of SiOx Films using Thermal Plasma Jet, S. Higashi, T. Okada, N. Fujii, N. Koba, H. Murakami, and S. Miyazaki, Fourth Hiroshima Int. Workshop Nanoelectronics Tera-Bit Information Processing, 2005年09月16日, 通常, 英語
  76. SiOx薄膜のミリ秒熱処理によるSiナノ結晶作製, 東 清一郎、藤井 直人、岡田 竜弥、木庭 直浩、村上 秀樹、宮崎 誠一, 第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月07日, 通常, 日本語, 徳島大学
  77. Rapid Thermal Annealing of Thin Films in Millisecond Time Domain Using Thermal Plasma Jet, S. Higashi, AM-LCD 05, 2005年07月06日, 招待, 英語
  78. Crystallization of Amorphous Si Films on Glass Substrate Using Plasma Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Taniguchi, H. Murakami, and S. Miyazaki, 3rd Hiroshima Int. Workshop Nanoelectronics Tera-Bit Information Processing, 2004年12月06日, 通常, 英語
  79. 短時間局所熱処理技術を用いたアモルファスSi膜の結晶化とデバイス応用, 東 清一郎, 第31回アモルファス物質の物性と応用セミナー, 2004年11月25日, 招待, 日本語, 金沢
  80. Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet, S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami, and S. Miyazaki, Int. Conf. Polycrystalline Semiconductors 2004 (POLYSE), 2004年09月05日, 通常, 英語
  81. Crystallization of Si Thin Film Using Thermal Plasma Jet and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Ando, and T. Sameshima, AM-LCD 04, 2004年08月25日, 通常, 英語
  82. 熱プラズマジェットによる薄膜の短時間熱処理技術, 東 清一郎、加久 博隆、谷口 弘、村上 秀樹、宮崎 誠一, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年03月28日, 通常, 日本語, 東京工科大学
  83. Interface – The Key to High-Performance Poly-Si TFT Fabrication, S. Higashi, D. Abe, K. Miyashita, T. Kawamura, S. Inoue, and T. Shimoda, 2003年05月18日, 招待, 英語
  84. 間接加熱法を用いたSi膜結晶化プロセスの検討, 東 清一郎、井上 聡、下田 達也, 第50回応用物理関係連合講演会, 2003年03月, 通常, 日本語
  85. Defect control Process Technologies for High-Performance Polycrystalline Si Thin-Film Transistor Fabrication,, S. Higashi, D. Abe, Y. Hiroshima, K. Miyashita, T. Kawamura, S. Inoue, and T. Shimoda, 7th Int. Conf. Polycrystalline Semiconductors VII (POLYSE VII), 2002年09月10日, 通常, 英語
  86. Effect of SiO2/Si Interface Quality on the Performance of Polycrystalline Si Thin-Film Transistor, S. Higashi, D. Abe, Y. Hiroshima, K. Miyashita, T. Kawamura, S. Inoue, and T. Shimoda, AM-LCD 02, 2002年07月10日, 通常, 英語
  87. 欠陥制御プロセスを用いた高性能poly-Si TFTの作製, 東 清一郎、安部 大介、広島 安、川村 高広、宮下 一幸、井上 聡、下田 達也, 第49回応用物理関係連合講演会, 2002年03月, 通常, 日本語
  88. Low Temperature Process Technologies and Their Application to Polycrystalline Si Thin-Film Transistor Fabrication, S. Higashi, D. Abe, S. Inoue, and T. Shimoda, AM-LCD 01, 2001年07月11日, 通常, 英語
  89. Pulsed-Laser-Induced Microcrystallization and Amorphization of Silicon Thin Films, S. Higashi, S. Inoue, T. Shimoda and T. Sameshima, AM-LCD 01, 2001年07月11日, 通常, 英語
  90. Low Temperature Process Technologies for The Next Generation High Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors, S. Higashi, D. Abe, S. Inoue and T. Shimoda, Mat. Res. Soc. Symp., 2001年04月16日, 招待, 英語
  91. Low Temperature Process Technologies and "Process Integration," for High Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors, S. Higashi, Electrochem. Soc. Proc, 2000年10月23日, 招待, 英語, Phoenix, USA
  92. Low Temperature Formation of Device Quality MOS Interface Using SiO Evaporation in Oxygen Radical Atmosphere, S. Higashi, D. Abe, Y. Tsunoda and T. Sameshima, Tech. Pap. AM-LCD 2000, 2000年07月12日, 通常, 英語
  93. エキシマレーザー結晶化におけるシリコン薄膜の溶融・固化過程のその場観測II, 東 清一郎、鮫島 俊之, 第47回応用物理学関係連合講演会, 2000年03月, 通常, 日本語
  94. SiO蒸着法を用いた低温SiO2膜形成, 東 清一郎、角田 義幸、鮫島 俊之, 第47回応用物理学関係連合講演会, 2000年03月, 通常, 日本語
  95. Electrical Properties of Excimer Laser Crystallized Polycrystalline Silicon Films, S. Higashi, Tech. Pap. AM-LCD 99, 1999年07月14日, 招待, 英語
  96. エキシマレーザー結晶化微量ドープpoly-Si膜の評価, 東 清一郎、加納 善明、坂本 圭司、尾崎 健太郎、鮫島 俊之, 第46回応用物理学会学術講演会, 1999年03月, 通常, 日本語
  97. A 1.8-in. Poly-Si TFT-LCD for HDTV Projectors with a 5-V Fully Integrated Driver, S. Higashi, Y. Matsueda, S. Takenaka, M. Miyasaka, I. Yudasaka, and H. Ohshima, Society for Information Display 95, 1995年05月16日, 通常, 英語

受賞

  1. 2015年04月14日, APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会会長

取得

  1. 特許権, 特許4072625, 2008年02月01日, 量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路
  2. 特許権, 特許4265817, 2009年02月27日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  3. 特許権, 特許4322958, 2009年06月12日, 測定装置および測定方法
  4. 特許権, 特許4392045, 2009年10月16日, 発光素子およびその製造方法
  5. 特許権, 特許4441689, 2010年01月22日, 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法及びメモリ素子、発光素子
  6. 特許権, KR:10-0951305, 2010年03月29日, 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法
  7. 特許権, 特許4517144, 2010年05月28日, MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置
  8. 特許権, US:7768032, 2010年08月03日, 発光効率が向上可能な発光素子およびその製造方法
  9. 特許権, CN:ZL200680024509.3, 2010年08月18日, 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法
  10. 特許権, 特許4594971, 2010年09月24日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  11. 特許権, US:7812621, 2010年10月12日, 測定装置および測定方法
  12. 特許権, US:7829935, 2010年11月09日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  13. 特許権, US:7898020, 2011年03月01日, 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
  14. 特許権, 特許4742279, 2011年05月20日, 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法
  15. 特許権, US:8419272, 2013年04月16日, TENPERATURE MEASURING DEVICE THERMAL TREATMENT DEVICE USING THE SAME,THEMPERATURE MEASURING METHOD(温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法)
  16. 特許権, 特許5286499, 2013年06月14日, 半導体膜の製造方法、半導体素子の製造方法、電気光学装置、電子機器
  17. 特許権, US:8653518, 2014年02月18日, 半導体素子
  18. 特許権, CN:ZL200980134165.5, 2014年07月30日, 結晶製造装置、それを用いて製造された半導体デバイスおよびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  19. 特許権, 特許5626796, 2014年10月10日, 直列接続型ソーラーセル及びソーラーセルシステム
  20. 特許権, 5727696, 2015年04月10日, 半導体製造装置および半導体の製造方法
  21. 特許権, US:9343576, 2016年05月17日, 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス
  22. 特許権, 5972605, 2016年07月22日, 半導体処理装置および半導体処理方法
  23. 特許権, 6078920, 2017年01月27日, 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス
  24. 特許権, 特許第3870420号, 2006年10月27日, アクティブマトリクス基板の製造方法、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、表示装置の製造方法、及び電子機器の製造方法
  25. 特許権, 特許第3346145号, 2002年09月06日, 半導体膜の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置及びアニール装置
  26. 特許権, US:7940244, 2011年05月10日, Liquid crystal display device, driving method for liquid crystal display devices, and inspection method for liquid crystal display devices
  27. 特許権, US:7782311, 2010年08月24日, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, DRIVING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES, AND INSPECTION METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES
  28. 特許権, US:6023260, 2000年02月08日, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, DRIVING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES, AND INSPECTION METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES
  29. 特許権, US:6337677, 2002年01月08日, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, DRIVING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES, AND INSPECTION METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES
  30. 特許権, US:6136632, 2002年10月24日, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING AN ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
  31. 特許権, US:7271793, 2007年09月18日, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, DRIVING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES, AND INSPECTION METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES
  32. 特許権, US:6905920, 2005年06月14日, Method for fabrication of field-effect transistor to reduce defects at MOS interfaces formed at low temperature
  33. 特許権, US:7932886, 2011年04月26日, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE,DRIVING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES,AND INSPECTION FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES

外部資金

競争的資金等の採択状況

  1. 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP), プラスティック上で実現する単結晶シリコンCMOS技術, 2015年01月01日, 2015年12月31日
  2. 最先端・次世代研究開発支援プログラム, 超高密度大気圧熱プラズマジェットを用いた半導体単結晶薄膜成長と大面積電子デバイス応用, 2011年02月10日, 2014年03月31日
  3. プラズマジェットを用いたアモルファスSi膜結晶化技術の薄膜トランジスタ製造プロセス応用, 2005年
  4. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), マイクロ熱プラズマジェット照射による四族半導体単結晶ナノ薄膜成長, 2010年, 2012年
  5. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), Ge-Si系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御とエレクトロルミネッセンス, 2009年, 2012年
  6. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), 超急速熱処理における非接触温度測定と不純物の短時間活性化に関する研究, 2007年, 2009年
  7. 科学研究費助成事業(特定領域研究), シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発, 2006年, 2009年
  8. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成, 2006年, 2008年
  9. 科学研究費助成事業(萌芽研究), PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス, 2005年, 2006年
  10. 科学研究費助成事業(基盤研究(A)), 自己組織化シリコン系量子ドットにおけるスーパーアトム構造の創成と電子状態制御, 2003年, 2005年
  11. 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽研究), フレキシブル基板上の異種材料デバイス混載技術に関する研究, 2015年, 2016年
  12. 科学研究費助成事業(基盤研究(B)), 大気圧プラズマジェットを用いたフレキシブル基板上単結晶シリコンCMOS技術, 2016年, 2018年
  13. 研究成果展開事業(研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)), 長尺線状大気圧プラズマジェット発生技術の開発, 2019年09月02日, 2020年08月31日

社会活動

委員会等委員歴

  1. 支部幹事, 2020年04月, 2021年03月, 応用物理学会中国四国支部会
  2. 組織委員, 2020年04月, 2021年03月, 薄膜材料デバイス研究会事務局
  3. JJAP特集号責任編集委員, 2014年01月, 2014年12月, 国際固体素子・材料コンファレンス事務局
  4. JJAP編集委員, 2013年04月, 2014年03月, (社)応用物理学会
  5. 出版・論文委員, 2014年01月, 2017年03月31日, Dry Process Symposium
  6. 応用物理学会 機関誌編集委員, 2014年04月, 2016年03月, (社)応用物理学会
  7. JJAP編集委員, 2014年04月, 2015年03月, (社)応用物理学会
  8. 応用物理学会 機関誌編集委員, 2015年04月, 2016年03月, (社)応用物理学会
  9. JJAP編集委員, 2015年04月, 2016年03月, (社)応用物理学会
  10. 国際固体素子・材料コンファレンス論文委員, 2018年01月, 2018年12月, (社)応用物理学会
  11. 組織委員・実行副委員長・出版委員・プログラム委員, 2018年01月, 2018年12月, ドライプロセス国際シンポジウム
  12. 組織委員, 2017年04月, 2018年03月, 薄膜材料デバイス研究会
  13. 幹事, 2017年04月, 2018年03月, 応用物理学会中国四国支部
  14. 国際固体素子・材料コンファレンス論文委員, 2019年01月, 2019年12月, (社)応用物理学会
  15. 組織委員・実行委員長・出版委員・プログラム委員, 2019年01月, 2019年12月, ドライプロセス国際シンポジウム
  16. 先進パワー半導体分科会講演会実行委員, 2019年05月, 2019年12月, 公益社団法人応用物理学会
  17. 国際固体素子・材料コンファレンス論文委員, 2020年01月, 2020年12月, (社)応用物理学会
  18. 組織委員・実行副委員長・出版委員・プログラム委員, 2020年01月, 2021年12月, ドライプロセス国際シンポジウム
  19. 組織委員・実行副委員長・出版委員・プログラム委員, 2020年06月, 2021年12月, ドライプロセス国際シンポジウム

学術会議等の主催

  1. 第41回ドライプロセス国際シンポジウム, 実行委員長, 2019年11月, 2019年11月

その他社会貢献活動(広大・部局主催含)

  1. IT社会を支える半導体技術, 広島大学, 高校生を対象とした公開講座「工学入門」, 2003年/08月/01日, 2003年/08月/07日
  2. 広島大学 学術講演会「NEXT 明日を拓く科学」, 大気圧プラズマを用いたグリーンテクノロジー, 2012年/03月/20日, 広島大学東千田町キャンパス
  3. 広島大学 学術講演会「NEXT 明日を拓く科学」, 大気圧プラズマを用いたグリーンイノベーション, 2012年/11月/03日, 広島大学東広島キャンパス
  4. 広島大学 学術講演会「NEXT 明日を拓く科学」, プラスティック上に集積回路や太陽電池をつくる, 2014年/03月/07日, 広島大学東広島キャンパス