後藤 秀樹HIDEKI GOTO

Last Updated :2025/03/03

所属・職名
半導体産業技術研究所　教授
メールアドレス
hdkgotohhiroshima-u.ac.jp
自己紹介
現在、将来にわたって、情報処理通信の高度化・高速化が求められており、技術が進展しています。一方、そのためのエネルギー消費も増大しており、近い将来大きな問題となることも指摘されています。 　現在の情報処理通信では、電子が演算を行い、光が通信を行いますが、この垣根を取り払い、演算に光および量子を取り入れるための研究に取り組んでいます。光や量子は、電子にはない特徴があり、これらを融合させることで高い処理能力で少ない消費電力の演算や、環境にやさしい情報処理通信プラットフォームを実現します。

基本情報

主な職歴

  • 2022年04月01日, 広島大学, ナノデバイス研究所, 教授
  • 2020年10月, 2022年03月, 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 所長
  • 2019年07月, 2020年09月, 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 研究所長、研究部長
  • 2016年11月, 2019年09月, 筑波大学, 大学院 数理物質科学研究科, 連携大学院 教授
  • 2014年07月, 2019年06月, 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 研究部長、企画部長、グループリーダ
  • 2010年04月, 2016年10月, 筑波大学, 大学院 数理物質科学研究科, 連携大学院 准教授
  • 2013年04月, 2014年06月, 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 研究グループリーダ
  • 2011年04月, 2014年03月, 甲南大学, 理工学部 物理学科, 非常勤講師
  • 2008年10月, 2013年03月, 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主幹研究員
  • 1998年02月, 2008年09月, 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主任研究員
  • 2004年04月, 2004年05月, University of Illinois, Urbana-Champaign, Department of Electrical Engineering, Visiting reseracher
  • 1993年04月, 1998年01月, 日本電信電話株式会社, NTT基礎研究所, 研究員

学位

  • 修士（工学）　(広島大学)
  • 博士（工学）　(広島大学)

研究キーワード

  • レーザ分光
  • 半導体光デバイス
  • 新規半導体の作製
  • 量子情報処理
  • 量子光学
  • 半導体ナノ構造の光物性

教育活動

授業担当

  1. 2024年, 教養教育, 集中, 海外短期研修(START) A
  2. 2024年, 教養教育, 集中, 海外短期研修(START) A
  3. 2024年, 教養教育, ２ターム, 広島と世界を結ぶ半導体
  4. 2024年, 学部専門, 通年, 卒業論文
  5. 2024年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（前期）, 電子工学セミナーA
  6. 2024年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（後期）, 電子工学セミナーB
  7. 2024年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  8. 2024年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, 電子工学特別演習A
  9. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ２ターム, 電子工学特別演習A
  10. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ３ターム, 電子工学特別演習B
  11. 2024年, 修士課程・博士課程前期, ４ターム, 電子工学特別演習B
  12. 2024年, 修士課程・博士課程前期, 集中, 電子工学特別講義B
  13. 2024年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  14. 2024年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 量子物質科学特別研究

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. Improving optoelectronic properties of InP/InAs nanowire p-i-n devices with telecom-band electroluminescence, OPTICS CONTINUUM, 3巻, 2号, pp. 176-186, 20240215
  2. X-ray reciprocal space mapping analysis of ferromagnetic GdN films grown by pulsed laser epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 124巻, 7号, 20240212
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  3. Thermodynamic constraints and substrate influences on the growth of high-quality Bi2Te3 thin films by pulsed laser deposition, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 15巻, 6号, 20220601
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  4. Low-loss erbium-incorporated rare-earth oxide waveguides on Si with bound states in the continuum and the large optical signal enhancement in them, Optics Express, 29巻, 25号, pp. 41132-41132, 20211206
  5. Thermal effect of InP/InAs nanowire lasers integrated on different optical platforms, OSA Continuum, 4巻, 6号, pp. 1838-1838, 20210615
  6. Spin accumulation in photo-induced potential dimples generated in semiconductors, Communications Physics, 3巻, pp. 11-1-7, 2020
  7. Optical frequency distribution using laser repeater stations with planar lightwave circuits,, Optics Express, 28巻, pp. 9186-9197, 2020
  8. Highly sensitive transient reflection measurement in extreme ultraviolet region for tracking carrier and coherent phonon dynamics, Optics Express, 28巻, pp. 1595-1602, 2020
  9. Epitaxial single-crystal rare-earth oxide in horizontal slot waveguide for silicon-based integrated active photonic devices, Optics Express, 28巻, pp. 14448-14460, 2020
  10. Nanowire-based telecom-band light-emitting diodes with efficient light extraction, Jpn. J. Appl. Phys., 59巻, pp. 105003-1-8, 2020
  11. Phase velocity of drifting spin wave packets in semiconductor two-dimensional electron gas, Appl. Phys. Express, 12巻, pp. 013001-1-5, 2019
  12. Telecom-band lasing in single InP/InAs heterostructure nanowires at room temperature, Science Adv., 5巻, pp. eaat8896-1-9, 2019
  13. Strain-induced exciton decomposition and anisotropic lifetime modulation in a GaAs micromechanical resonator, Phys. Rev. B, 99巻, pp. 115315-1-6, 2019
  14. Low-temperature formation of GeSn nanodots by Sn mediation,, Jpn. J. Appl. Phys., 58巻, pp. SDDG09-1-8, 2019
  15. Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation,, Jpn. J. Appl. Phys., 58巻, pp. SDDG10-1-5, 2019
  16. Optical coherent transients in 167Er3+ at telecom-band wavelength, Opt. Lett., 44巻, pp. 4933-4936, 2019
  17. Mid-Infrared Lasing of Single Wurtzite InAs Nanowire, Nano Lett., 9巻, pp. 8059-8065, 2019
  18. Diameter-tailored telecom-band luminescence in InP/InAs heterostructure nanowires grown on InP (111)B substrate with continuously-modulated diameter from microscale to nanoscale, Nanotechnology, 29巻, pp. 152202-1-12, 2018
  19. Relationship between the Fano asymmetry parameter and time-domain spectra studied by time-resolved measurement of carriers and phonons in p-type Si, Phys. Rev. B, 97巻, pp. 104301-1-5, 2018
  20. Multi-petahertz electron interference in Cr:Al2O3 solid-state material, Nature Commun., 9巻, pp. 1468-1-6, 2018
  21. Sub-50-as isolated extreme ultraviolet continua generated by 1.6-cycle near-infrared pulse combined with double optical gating scheme, Appl. Phys. Lett., 112巻, pp. 181105-1-5, 2018
  22. Direct modulation of a single InP/InAs nanowire light-emitting diode, Appl. Phys. Lett., 112巻, pp. 251106-1-5, 2018
  23. Dynamic Control of the Coupling between Dark and Bright Excitons with Vibrational Strain, Phys. Rev. Lett., 120巻, pp. 267401-1-6, 2018
  24. Epitaxial growth and optical properties of Er-doped CeO2 on Si(111), Opt. Mat. Express, 8巻, pp. 2843-2849, 2018
  25. Alternating InAsP/InP heterostructure nanowires grown with tertiary-butyl chloride, Nano Futures, 2巻, pp. 045006-1-8, 2018
  26. Characterization of longitudinal acoustic phonons in InGaAsP multiple quantum wells by asynchronous optical sampling, Appl. Phys. Lett., 113巻, pp. 201102-1-4, 2018
  27. Mechanism of concentration quenching in epitaxial (ErxSc1-x)2O3 thin layers, Opt. Mat. Express, 7巻, pp. 1097-1104, 2017
  28. Effect of isotopic purification on spectral-hole narrowing in 167Er3+ hyperfine transitions, Appl. Phys. Express, 10巻, pp. 042801-1-4, 2017
  29. Reduced pulse energy for frequency comb offset stabilization with a dual-pitch periodically poled lithium niobate ridge waveguide, Appl. Phys. Lett., 110巻, pp. 241107-1-5, 2017
  30. Octave-spanning supercontinuum generation at telecommunications wavelengths in a precisely dispersion- and length-controlled silicon-wire waveguide with a double taper structure, Appl. Phys. Lett., 111巻, pp. 021105-1-5, 2017
  31. Drift-induced enhancement of cubic Dresselhaus spin-orbit interaction in two-dimensional electron gas, Phys. Rev. Lett., 119巻, pp. 187703-1-5, 2017
  32. Drift transport of helical spin coherence with tailored spin?orbit interactions, Nature Commun., 7巻, pp. 10722-1-6, 2016
  33. Bias dependence of spin injection/transport properties of a perpendicularly magnetized FePt/MgO/GaAs structure, Appl. Phys. Express, 9巻, pp. 043002-1-4, 2016
  34. Petahertz optical drive with wide-bandgap semiconductor, Nature Phys., 12巻, pp. 741-745, 2016
  35. Ultralow-phase-noise millimetre-wave signal generator assisted with an electro-optics-modulator-based optical frequency comb, Scientific Reports, 6巻, pp. 24621-1-7, 2016
  36. Dynamical observation of photo-Dember effect on semi-insulating GaAs using femtosecond core-level photoelectron spectroscopy, Appl. Phys. Express, 8巻, pp. 022401-1-4, 2015
  37. Controlled 1.1-1.6 μm luminescence in gold-free multi-stacked InAs/InP heterostructure nanowires, Nanotechnology, 26巻, pp. 115704-1-9, 2015
  38. Determination of phonon decay rate in p-type silicon under Fano resonance by measurement of coherent phonons, AIP Advances, 5巻, pp. 097152-1-6, 2015
  39. Frequency stabilization of an Er-doped fiber laser with a collinear 2f-to-3f self-referencing interferometer, Appl. Phys. Lett., 106巻, pp. 231106-1-4, 2015
  40. Bridging the Gap between the Nanometer-Scale Bottom-Up and Micrometer-Scale Top-Down Approaches for Site-Defined InP/InAs Nanowires, ACS Nano, 9巻, pp. 10580-10589, 2015
  41. Cavity-less on-chip optomechanics using excitonic transitions in semiconductor heterostructures, Nature Commun., 6巻, pp. 8478-1-6, 2015
  42. Growth of InP nanowires on graphene-covered Fe, Jpn. J. Appl. Phys., 53巻, pp. 015504-1-6, 2014
  43. Deep-level transient spectroscopy characterization of In(Ga)As quantum dots fabricated using Bi as a surfactant, Jpn. J. Appl. Phys., 53巻, pp. 06JG11-1-5, 2014
  44. Evaluation of hole-spin superposition in GaAs/AlGaAs quantum wells through time-resolved photoluminescence measurements, Appl. Phys. Lett., 104巻, pp. 252426-1-4, 2014
  45. Etching effect of tertiary-butyl chloride during InP-nanowire growth, J. of Cryst. Growth, 402巻, pp. 299-303, 2014
  46. MOCVD-grown compressively strained C-doped InxGa1?xAs1?ySby with high-In/Sb content for very low turn-on-voltage InP-based DHBTs, J. of Cryst. Growth, 404巻, pp. 172-176, 2014
  47. Nonlinear optical spectra having characteristics of Fano interferences in coherently coupled lowest exciton biexciton states in semiconductor quantum dots, AIP Advances, 4巻, pp. 107124-1-7, 2014
  48. A simple method for forming compositionally graded InxGa1?xAs1?ySby base of double-heterojunction bipolar transistors modulating CBr4-doping-precursor flow in metalorganic chemical vapor deposition, Appl. Phys. Express, 7巻, pp. 114102-1-4, 2014
  49. Valley-antisymmetric potential in graphene under dynamical deformation, Phys. Rev. B, 90巻, pp. 205402-1-8, 2014
  50. Characterizing inner-shell with spectral phase interferometry for direct electric-field reconstruction, Nature Commun., 5巻, pp. 5599-1-6, 2014
  51. Manipulation of mobile spin coherence using magnetic-field-free electron spin resonance, Nature Phys., 9巻, pp. 280-283, 2013
  52. Au-free InAs nanowires grown in In-particle-assisted vapor-liquid-solid mode: growth, structure, and electrical property, AIP Advances, 3巻, pp. 052107-1-12, 2013
  53. Population dynamics in epitaxial Er2O3 thin films grown on Si(111), Appl. Phys. Lett., 102巻, pp. 241918-1-4, 2013
  54. Xe K-shell X-ray generation using conical nozzle and 25 TW laser, Laser and Particle Beams, 31巻, pp. 419-425, 2013
  55. Modifying exciton optical properties in quantum dots with coherent phonons induced by ultrafast optical pulses, Appl. Phys. Lett., 103巻, pp. 112104-1-4, 2013
  56. Topological Raman Band in the Carbon Nanohorn, Phys. Rev. Lett., 111巻, pp. 116801-1-5, 2013
  57. Direct Biexciton Creation with Two-Photon Excitation for Ideal Entangled Photon Pair Emissions in Optically Active Quantum Dots, Jpn. J. Appl. Phys., 52巻, pp. 120202-1-4, 2013
  58. Proposal of Spin Complementary Field Effect Transistor, Appl. Phys. Lett., 100巻, pp. 113502-1-3, 2012
  59. Flat-Top and Stacking-Fault-Free GaAs-Related Nanopillars Grown on Si Substrates, J. of Nanotechnology, 2012巻, pp. 890607-1-8, 2012
  60. Vertically aligned InP nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode, Appl. Phys. Express, 5巻, pp. 055201-1-3, 2012
  61. Spatially modulated photoluminescence properties in dynamically strained GaAs/AlAs quantum wells by surface acoustic wave, Appl. Phys. Lett., 100巻, pp. 162109-1-4, 2012
  62. Charged exciton creation with two-color optical excitation method and analysis of initialization process of electron spin qubit in quantum dots, J. of Appl. Phys., 111巻, pp. 123520-1-6, 2012
  63. Time-Resolved Surface Photoelectron Spectroscopy of Photoexcited Electron and Hole Dynamics on GaAs Using 92 eV Laser Harmonic Source, Jpn. J. Appl. Phys., 51巻, pp. 072401-1-6, 2012
  64. VLS Growth of Alternating InAsP/InP Heterostructure Nanowires for Multiple-Quantum-Dot Structures, Nano Lett., 12巻, pp. 2888-2893, 2012
  65. Dynamic control of photoluminescence polarization properties in GaAs/AlAs quantum wells by surface acoustic waves, Phys. Rev. B, 86巻, pp. 035311-1-8, 2012
  66. Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface, Adv. Mater., 24巻, pp. 4296-4300, 2012
  67. Optomechanical photoabsorption spectroscopy of exciton states in GaAs, Appl. Phys. Lett., 101巻, pp. 082107-1-3, 2012
  68. Creation of charged excitons with two-color excitation method and initialization of electron spin qubit in quantum dots, Appl. Phys. Lett., 98巻, pp. 032101-1-3, 2011
  69. Vibration Amplification, Damping, and Self-Oscillations in Micromechanical Resonators Induced by Optomechanical Coupling through Carrier Excitation, Phys. Rev. Lett., 106巻, pp. 036801-1-4, 2011
  70. Predominant Si Doping through Au Catalyst Particles in the Vapor－Liquid－Solid Mode over the Shell Layer via the Vapor-Phase Epitaxy Mode of InAs Nanowires, J. Phys. Chem. C 2011, 115巻, pp. 2923-2930, 2011
  71. Doping-type dependence of phonon dephasing dynamics in Si, Appl. Phys. Lett., 98巻, pp. 141904-1-3, 2011
  72. Distinctive Feature of Ripening During Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy Using Bi as a Surfactant, Jpn. J. Appl. Phys., 50巻, pp. 06GH01-1-4, 2011
  73. Acoustically Induced Spin-Orbit Interactions Revealed by Two-Dimensional Imaging of Spin Transport in GaAs, Phys. Rev. Lett., 106巻, pp. 216602-1-4, 2011
  74. Carrier-mediated Optomechanical Coupling in GaAs Cantilevers, Phys. Rev. B, 84巻, pp. 014305-1-10, 2011
  75. Effect of Electron Spin-spin Exchange Interaction on Spin Precession in Coupled Quantum Well, J. of Appl. Phys., 110巻, pp. 033109-1-5, 2011
  76. Structural, Compositional, and Optical Characterizations of Vertically Aligned AlAs/GaAs/GaP Heterostructure Nanowires Epitaxially Grown on Si Substrate, Jpn. J. Appl. Phys., 49巻, pp. 015001-1-6, 2010
  77. Parallel-aligned GaAs nanowires with <110> orientation laterally grown on (311)B substrates by gold-catalyzed vapor-liquid-solid mode, Nanotechnology, 21巻, pp. 095607-1-10, 2010
  78. Towards New Low-dimensional Semiconductor Nanostructures and New Possibilities, NTT Technical Review, 8巻, pp. 19-26, 2010
  79. Growth and Characterization of Telecommunication-Wavelength Quantum Dots Using Bi as a Surfactant, Jpn. J. Appl. Phys., 49巻, pp. 06GJ01-1-7, 2010
  80. Observation of Coherent Phonons in Metallic Carbon Nanotubes, Appl. Phys. Lett., 97巻, pp. 121910-1-3, 2010
  81. <110>-Oriented In0.04Ga0.96As Nanowires Laterally Grown on GaAs (311)B Substrate in Au-Catalyzed Vapor?Liquid?Solid Mode, Appl. Phys. Express, 3巻, pp. 105002-1-3, 2010
  82. Magneto-optical spectroscopy of excitons and trions in charge-tunable quantum dots, Phys. Rev. B, 79巻, pp. 121303-1-4(R), 2009
  83. Photoluminescence dynamics in GaAs/AlAs quantum wells modulated by one-dimensional standing surface acoustic waves, Appl. Phys. Lett., 94巻, pp. 131912-1-3, 2009
  84. Dependence of Electron g-Factor on Barrier Aluminum Content in GaAs/AlGaAs Quantum Wells, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 48巻, pp. 063002-1-7, 2009
  85. Spatial and temporal modulation of exciton photoluminescence properties in GaAs/AlAs dynamic quantum dots formed by surface acoustic waves, Phys. Rev. B, 80巻, pp. 075304-1-8, 2009
  86. Synthesis of GaAs nanowires with very small diameters and their optical properties with the radial quantum-confinement effect, Appl. Phys. Lett., 95巻, pp. 123104-1-3, 2009
  87. Single-photon emission from single quantum dots in a hybrid pillar microcavity, Appl. Phys. Lett., 92巻, pp. 081906-1-3, 2008
  88. Dependence of electron spin g-factor on magnetic field in quantum well, J. Lumin., 128巻, pp. 865-867, 2008
  89. Single-photon emission from single quantum dots in a hybrid pillar microcavity, Appl. Phys. Lett., 92巻, pp. 081906-1-3, 2008
  90. Quality factor control and lasing characteristics of InAs/InGaAs quantum dots embedded in photonic-crystal nanocavities, Optics Express, 16巻, pp. 5199-5205, 2008
  91. Photoluminescence lifetime and potential fluctuation in wurtzite Zn1?xCdxO alloy films, Appl. Phys. Lett., 93巻, pp. 171913-1-3, 2008
  92. Spin selective optical excitation in charge-tunable GaAs quantum dots, Phys. Stat. Sol. (c), 5巻, pp. 2904-2906, 2008
  93. Full-color electroluminescence from ZnO-based heterojunction diodes, Appl. Phys. Lett., 90巻, pp. 093512-1-3, 2007
  94. Exciton and biexciton emissions from single GaAs quantum dots in (Al,Ga)As nanowires, Jpn. J. Appl. Phys., 46巻, pp. 2578-2580, 2007
  95. Tunable slow light of 1.3 um region in quantum dots at room temperature, Jpn. J. Appl. Phys., 46巻, pp. 2369-2372, 2007
  96. Photoluminescence dynamics of GaAs/AlAs quantum wells modulated by surface acoustic waves, Jpn. J. Appl. Phys., 46巻, pp. L758-L760, 2007
  97. Dimensional oscillation in GaAs/AlAs quantum wells by two-dimensional standing surface acoustic waves, Appl. Phys. Lett., 91巻, pp. 141917-1-3, 2007
  98. Fine Structure and magneto-optics of exciton, trion, and charged biexciton states in single InAs quantum dots emitting at 1.3 mm, Phys. Rev. B, 73巻, pp. 115322-1-7, 2006
  99. Multi-Quantum Structures of GaAs/AlGaAs Free Standing Nanowires, Jpn. J. Appl. Phys., 45巻, pp. 3568-3571, 2006
  100. Detecting spatially localized excitons in InGaN quantum well structures with a micro-photoluminescence technique, Solid State Comm., 138巻, pp. 590-593, 2006
  101. Modifying optical properties of InGaN quantum wells by a large piezoelectric polarization, Phys. Stat. Sol. (c), 3巻, pp. 1974-1977, 2006
  102. Synthesis of terahertz electromagnetic wave pulses using amplitude and phase masks, Chem. Physics, 326巻, pp. 577-582, 2006
  103. Vertical GaP Nanowires Arranged at Atomic Steps on Si(111) Substrates, Appl. Phys. Lett., 89巻, pp. 033114-1-3, 2006
  104. InGaN quantum wells with small potential fluctuation grown on InGaN underlying layers, Appl. Phys. Lett., 89巻, pp. 101110-1-3, 2006
  105. Detecting coupled excitons with micro-photoluminescence techniques in bilayer quantum dots, Phys. Rev. B, 74巻, pp. 115322-1-6, 2006
  106. Classical and quantum optical correlation effects between single quantum dots: The role of the hopping photon, Phys. Rev. B, 74巻, pp. 115334-1-5, 2006
  107. Optical characteristics of single InAs/InGaAsP/InP(100) quantum dots emitting at 1.55 mm, Appl. Phys. Lett., 89巻, pp. 181113-1-3, 2006
  108. Effects of nonradiative centers on localized excitons in InGaN quantum well structures, Appl. Phys. Lett., 89巻, pp. 222110-1-3, 2006
  109. Quantum confinement effects on electron spin g-factor in semiconductor quantum well structures, Phys. Stat. Sol. (c), 3巻, pp. 3496-3499, 2006
  110. Zn1-xCdxO/ZnO Heterostructures for Visible Light Emitting Devices, Jpn. J. Appl. Phys., 44巻, pp. L4-6, 2005
  111. Observation of Cavity Polaritons in InGaN Microcavities, Phys. Stat. Sol. (c), 2巻, pp. 809-812, 2005
  112. Nanoholes in InP and C60 Layers on GaAs Substrates by Using AlGaAs Nanowire Templates, Jpn. J. Appl. Phys., 44巻, pp. L428-431, 2005
  113. Blue-purplish InGaN quantum wells with shallow depth of exciton localization, Appl. Phys. Lett., 86巻, pp. 191902-1-3, 2005
  114. Terahertz wave detection performance of photoconductive antennas: Role of antenna structure and gate pulse intensity, J. of Appl. Phys., 97巻, pp. 103103-1-6, 2005
  115. Exciton absorption properties of exciton-biexciton coherently coupled system in quantum dots, Phys. Rev. B, 71巻, pp. 195334-1-9, 2005
  116. Optical nonlinearity induced by exciton-biexciton coherent effects in InGaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 87巻, pp. 102101-1-3, 2005
  117. Charged exciton emission at 1.3 mm from single InAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapour deposition, Appl. Phys. Lett., 87巻, pp. 172101-1-3, 2005
  118. Efficient Observation of Narrow Isolated Photoluminescence Spectra from Spatially Localized Excitons in InGaN Quantum Wells, Jpn. J. Appl. Phys., 44巻, pp. L1381-L1384, 2005
  119. Control of Exciton-photon coupling in GaN-based Microcavities, NTT Technical Review, 3巻, pp. 27-35, 2005
  120. Coherent Nonlinear Optical Properties in Quantum Dots, NTT Technical Review, 3巻, pp. 19-26, 2005
  121. Nanoholes Formed by Au Particles Digging into GaAs and InP Substrates by Reverse Vapor-Liquid-Solid Mechanism, Jpn. J. Appl. Phys., 44巻, pp. L1553-L1555, 2005
  122. Low-frequency spectral enhancement of THz electromagnetic waves emitted from InAs Surface with increased excitation intensity, J. of Appl. Phys., 95巻, pp. 2141-2145, 2004
  123. Quantum Computation with Quantum Dot Excitons, Semicond. Sci. Technol., 19巻, pp. S392-396, 2004
  124. Effects of Biexcitons on Exciton Decoherence Processes in InGaAs Quantum Dots, Phys. Rev. B, 69巻, pp. 155328 -1-8, 2004
  125. Cavity Polaritons in InGaN Microcavities at Room Temperature, Phys. Rev. Lett., 92巻, pp. 256402-1-4, 2004
  126. Systematic pump-probe terahertz wave emission spectroscopy of a photoconductive antenna fabricated on low-temperature grown GaAs, J. of Appl. Phys., 96巻, pp. 3635-3638, 2004
  127. GaAs/AlGaAs Nanowires Capped with AlGaAs Layers on GaAs (311)B Substrates, Appl. Phys. Lett., 85巻, pp. 1808-1810, 2004
  128. Characterization of Wurtzite Zn1-xCdxO Films Using Remote Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Jpn. J. Appl. Phys., 43巻, pp. L1452-1454, 2004
  129. Positional Control of Self-assembled Quantum Dots by Patterning Nanoscale SiN islands, Appl. Phys. Lett., 85巻, pp. 2836-2838, 2004
  130. Spatially Ordered Self-assembled Quantum Dots with Uniform Shapes Fabricated by Patterning Nanoscale SiN Islands, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 43巻, pp. 6894-6899, 2004
  131. High Luminescent Efficiency of InGaN Multiple Quantum Wells Grown on InGaN Underlying Layers, Appl. Phys. Lett., 85巻, pp. 3089-3091, 2004
  132. Effects of exciton?biexciton coherent coupling on exciton absorption in quantum dots, Appl. Phys. Lett., 85巻, pp. 3480-3482, 2004
  133. Exciton Spin Relaxation Properties in Zero Dimensional Semiconductor Quantum Dots, Jpn. J. Appl. Phys., 42巻, pp. 3340-3349, 2003
  134. Electric-field-induced Anisotropy of Excitonic Optical Properties in Semiconductor Quantum Dots, J. of Appl. Phys., 94巻, pp. 342-347, 2003
  135. Low-threshold lasing of InGaN vertical-cavity surface-emitting lasers with dielectric distributed Bragg reflectors, Appl. Phys. Lett., 83巻, pp. 830-832, 2003
  136. Piezoelectric Effects on Photoluminescence Properties in 10-nm-thick InGaN Quantum Wells, Appl. Phys. Lett., 83巻, pp. 4791-4793, 2003
  137. Exciton Rabi Oscillation in Single Quantum Dot, Phys. Rev. Lett., 87巻, pp. 246401-1-4, 2001
  138. Lateral Electric-field effects on Excitonic Photoemission in InGaAs Quantum Disks, Appl. Phys. Lett., 76巻, pp. 867-869, 2000
  139. Effect of Electron-Hole Interaction on Electron Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Wells at Room Temperature, J. of Appl. Phys., 87巻, pp. 3394-3398, 2000
  140. Spin-selective excitation of excitons and biexcitons in InxGa1-xAs quantum disks: Suppression of the spin-flip process in semiconductor zero-dimensional systems, Phys. Rev. B, 60巻, pp. 5791-5796, 1999
  141. Spin relaxation of excitons in zero-dimensional InGaAs quantum disks, Appl. Phys. Lett., 72巻, pp. 1341-1343, 1998
  142. Near-field optical spectroscopy and imaging of InGaAs/AlGaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 72巻, pp. 3494-3496, 1998
  143. Photon-spin controlled lasing oscillation in surface emitting lasers, Appl. Phys. Lett., 73巻, pp. 566-568, 1998
  144. Excitonic optical properties in fractional-layer-superlattice wire structures in intermediate confinement regime between two-dimension and one dimension, Phys. Rev. B, 55巻, pp. 2429-2435, 1997
  145. Radiative recombination lifetime of excitons in thin quantum boxes, J. of Appl. Phys., 81巻, pp. 1785-1789, 1997
  146. Effects of dimensionality on radiative recombination lifetime of excitons in thin quantum boxes of intermediate regime between zero and two dimensions, Jpn. J. Appl. Phys., 36巻, pp. 4204-4208, 1997
  147. Excitonic quantum confinement effects and exciton electroabsorption in semiconductor thin quantum box, J. of Appl. Phys., 82巻, pp. 1667-1677, 1997
  148. Excitonic optical properties in semiconductor thin quantum boxes of intermediate regime between zero and two dimensions, Appl. Phys. Lett., 68巻, pp. 2132-2134, 1996
  149. Excitonic optical properties in fractional-layer-superlattice wire structure,, Appl. Phys. Lett., 69巻, pp. 1512-1514, 1996
  150. Bismuth induced enhancement of Rashba spin-orbit interaction in GaAsBi/GaAs heterostructures, Applied Physics Letters, 122巻, 18号, 20230501

著書等出版物

  1. 2021年, Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires, Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires, Springer, Guoqiang Zhang; Kouta Tateno; Hideki Gotoh, 9789811590504
  2. 2017年10月11日, Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications, Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications, Jenny Stanford Publishing, 9814745766, 9814745766, 528

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. PLD法による(100)MgO上の磁性GdN薄膜の結晶方位制御, 田中 祐輔、Yoshiharu Krockenberger、国橋 要司、新田 淳作、後藤 秀樹、眞田 治樹, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月, 通常, 日本語
  2. <111>A方位持つInPナノワイヤの自己触媒法配列成長, 章 国強、舘野 功太、日比野 浩樹、後藤 秀樹、眞田 治樹, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月, 通常, 日本語
  3. Enhancement of Rashba spin-orbit interaction in GaAsBi thin film, Y. Kunihashi, Y. Shinohara, S. Hasegawa, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, K. Oguri, H. Gotoh, M. Kohda, J. Nitta, H. Sanada, The 25th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-25) and 21st International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-21), 2023年07月, 通常, 英語
  4. Spin state tomography with magneto-optic effect assisted by large hole g-factor in semiconductor two-dimensional systems, H. Sanada, Y. Kunihashi, Y. Shinohara, G. Mariani, H. Gotoh, M. Kohda, and J. Nitta, The 25th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-25) and 21st International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-21), 2023年07月, 通常, 英語
  5. GaAsBiエピタキシャル薄膜におけるスピン軌道相互作用パラメータの定量評価, 国橋 要司、篠原 康、長谷川 将、西中 浩之、吉本 昌広、小栗 克弥、後藤 秀樹、好田 誠、新田 淳作、眞田 治樹, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月, 通常, 英語, 応用物理学会, 東京
  6. 次世代デバイス応用をめざした半導体ヘテロ構造におけるスピン光学物性： スピンの生成と操作およびその物性制御, 後藤秀樹, IEEE広島支部 電子情報通信学会中国支部 共同主催講演会, 2023年04月15日, 招待, 日本語, IEEE広島支部および電子情報通信学会中国支部, 広島市
  7. Predominant incorporation of Bi atoms on (111)B rather than on (111)A with a stack-fault interface in InP1-xBix nanowires, 章 国強; 舘野 功太; 小栗 克弥; 後藤 秀樹, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月
  8. 厚木-和光間光格子時計ネットワークを用いた遠隔標高差測定, 今井弘光; 赤塚友哉; 小栗克弥; 石澤淳; 高本将男; 牛島一朗; 大前宣昭; 田中愛幸; 香取秀俊; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第76回日本物理学会年次大会, 2021年03月
  9. 高Q値中赤外Siマイクロディスク共振器, 三宅 拓磨; 徐 学俊; 澤野 憲太郎; 丸泉 琢也; 俵 毅彦; 後藤 秀樹, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
  10. III-V族ナノワイヤ中の積層欠陥により形成される急峻なヘテロ界面, 章 国強; 舘野 功太; 俵 毅彦; 後藤 秀樹, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
  11. Effect of electronic temperature on spin dynamics for drifting spins, Yoji Kunihashi; Shuntaro Aragaki; Yusuke Tanaka; Haruki Sanada; Takehiko Tawara; Katsuya Oguri; Koji Onomitsu; Makoto Kohda; Junsaku Nitta; Hideki Gotoh, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
  12. Optical Signal Enhancement in Er-incorporated Rare-Earth Oxide Waveguides on Si, Xuejun Xu; Tomohiro Inaba; Tai Tsuchizawa; Atsushi Ishizawa; Takehiko Tawara; Hiroo Omi; Hideki Gotoh, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
  13. Investigation on the growth of Bi2Te3 thin films on CaF2 and BaF2 substrates by pulsed laser deposition, Yusuke Tanaka; Yoji Kunihashi; Yoshiharu Krockenberger; Haruki Sanada; Takehiko Tawara; Katsuya Oguri; Hideki Gotoh, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
  14. Silicon Microdisk Resonators in the Mid-Infrared for On-Chip Gas Sensing, Takuma Miyake; Rikito Osako; Xuejun Xu; Kentarou Sawano; Takuya Maruizumi; Takehiko Tawara; Hideki Gotoh, 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020), 2020年10月
  15. Thermal effect of InP/InAs Nanowire Lasers Integrated with Optical Waveguides, Evans Joseph Frandsen; Masato Takiguchi; Guoqiang Zhang; Hisahi Sumikura; Tai Tsuchizawa; Akihiko Shinya; Hideki Gotoh; Masaya Notomi, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月
  16. Studies of growth conditions of Bi2Te3 on sapphire substrates by pulsed laser deposition, Yusuke Tanaka; Yoji Kunihashi; Yoshiharu Krockenberger; Haruki Sanada; Takehiko Tawara; Katsuya Oguri; Hideki Gotoh, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月
  17. 自己触媒法InPナノワイヤ中の硫黄ドーピング濃度のNanoSIMS測定, 章 国強; 舘野 功太; 俵 毅彦; 後藤 秀樹, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月
  18. 狭線幅2重MOTを用いた高精度光格子時計の高速動作の実証, 今井弘光; 赤塚友哉; 小栗克弥; 石澤淳; 高本将男; 牛島一郎; 大前宣昭; 香取秀俊; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 日本物理学会第75回年次大会, 2020年03月
  19. Spin dynamics of electrons accumulated in light induced potential dots, Haruki Sanada; Yoji Kunihashi; Alexander M. Stramma; Yusuke Tanak; Hideki Gotoh; Koji Onomitsu; Fedele Tagarelli; Makoto Kohda; Junsaku Nitta; Takehiko Tawara; Tetsuomi Sogawa, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
  20. Magnetically-induced spin component in GaAsBi epilayer, Yoji Kunihashi; Yusuke Tanaka; Haruki Sanada; Takehiko Tawara; Makoto Kohda; Junsaku Nitta; Sho Hasegawa; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto; Hideki Gotoh, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
  21. PLD法による単相Bi2Te3薄膜の作製に向けた成長条件の検討, 田中 祐輔; 国橋 要司; 眞田 治樹; 尾身 博雄俵 毅彦; 小栗 克弥; 後藤 秀樹, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
  22. 自己集合法による半導体ナノワイヤ立体ナノ構造, 章 国強; 舘野 功太; 俵 毅彦; 後藤 秀樹, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
  23. 狭線幅2重MOTを用いた高精度光格子時計の高速動作の実証, 今井弘光; 赤塚友哉; 小栗克弥; 石澤淳; 高本将男; 牛島一朗; 大前宣昭; 香取秀俊; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第75回日本物理学会年次大会, 2020年03月
  24. Electrical performance improvement of InAs/InP nanowire telecom-band light emitting diodes, G. Zhang; T. Tawara; H. Gotoh, 42nd Photonics & Electromagnetic Res. Symp. (PIERS2019), 2019年12月
  25. Optical absorption and Emission of Erbium Ions in Integrated Optical Waveguides, X. Xu; V. Fili; T. Inaba; T. Tawara; H. Omi; H. Gotoh, Int. School and Symp. on Nanoscale Transport and phoTonics 2019 (ISNTT2019), 2019年11月
  26. Improvement of the Crystallinity of Gd2O3 on Si by an Interface Control, T. Inaba; X. Xu; T. Tawara; H. Omi; H. Yamamoto; H. Gotoh, Int. School and Symp. on Nanoscale Transport and phoTonics 2019 (ISNTT2019), 2019年11月
  27. Micromechanical Control of Exciton Lifetime, R. Ohta; H. Okamoto; T. Tawara; H. Gotoh; H. Yamaguchi, Int. School and Symp. on Nanoscale Transport and phoTonics 2019 (ISNTT2019), 2019年11月, 英語
  28. Site-controlled Vertical InP Nanowires by Self-assembled Indium Particle Array, G. Zhang; T. Tawara; H. Gotoh, Int. School and Symp. on Nanoscale Transport and phoTonics 2019 (ISNTT2019), 2019年11月
  29. Optical Coherent Transient of 167Er3+ in Y2SiO5 at Telecom-band Wavelength, M. Hiraishi; M. IJspeert; T. Tawara; S. Adachi; R. Kaji; H. Omi; H. Gotoh, Int. School and Symp. on Nanoscale Transport and phoTonics 2019 (ISNTT2019), 2019年11月
  30. 光ファイバ網を用いた高精度光周波数配信, 赤塚友哉; 郷隆司; 今井弘光; 小栗克弥; 石澤淳; 牛島一朗; 大前宣昭; 高本将男; 香取秀俊; 橋本俊和; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 電気学会電子回路研究会（芝浦工業大）, 2019年09月
  31. GaAsBi薄膜中の電子におけるKerr回転スペクトロスコピー, 国橋 要司; 田中 祐輔; 眞田 治樹; 好田 誠; 新田 淳作; 長谷川 将; 西中 浩之; 吉本 昌広; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  32. サブ波長格子構造を有するSi中赤外導波路, 大迫 力人; 徐 学俊; 忠永 修; 澤野 憲太郎; 丸泉 琢也; 俵 毅彦; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  33. 空洞共振器オシレーター駆動EOコムのCEO信号を用いた低ノイズマイクロ波発生, 石澤 淳; 人見 賢弥; 日達 研一; 赤塚 友哉; 西川 正; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  34. マルチプレート圧縮法におけるスペクトル位相特性の評価, 山口 大也; 増子 拓紀; 加藤 景子; 片山 郁文; 武田 淳; 小栗 克弥; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  35. 電気光学変調コムの位相雑音における分散依存性, 人見 賢弥; 石澤 淳; 日達 研一; 赤塚 友哉; 西川 正; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  36. Si基板上へのSi/Gd2O3ヘテロ構造のMBE成長, Viviana Fili; Wojciech Szuba; 徐 学俊; 稲葉 智宏; 俵 毅彦; 尾身 博雄; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  37. 多重量子井戸の時間分解反射率：転送行列による音響フォノン伝搬の解析, 日達 研一; 佐々木 健一; 新垣 駿太郎; 石澤 淳; 西川 正; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  38. 極端紫外領域における高感度過渡反射計測法の確立, 加藤 景子; 増子 拓紀; 国橋 要司; 尾身 博雄; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  39. InAsマイクロワイヤによる中赤外レーザ, 角倉 久史; 章 国強; 滝口 雅人; 武村 尚友; 新家 昭彦; 後藤 秀樹; 納富 雅也, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  40. Optical Properties of Er-incorporated Rare-Earth Oxide in Horizontal Slot Waveguide, Xuejun Xu; Viviana Fili; Tomohiro Inaba; Takehiko Tawara; Hiroo Omi; Hideki Gotoh, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  41. 自己集合法によるハイブリッドナノワイヤ・ナノ微粒子ナノ構造, 章 国強; 舘野 功太; 俵 毅彦; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  42. Si基板上に成長したGd2O3の高品質化における成長初期表面状態の重要性, 稲葉 智宏; 徐 学俊; 俵 毅彦; 尾身 博雄; 山本 秀樹; 後藤 秀樹, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
  43. Horizontal slot waveguides based on epitaxial rare-earth oxide on Si, X. Xu; V. Fili; T. Inaba; T. Tawara; H. Omi; H. Gotoh, 2019 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2019), 2019年09月
  44. Drift spin dynamics in two-dimensional electron gas, Yoji Kunihashi; Yusuke Tanaka; Haruki Sanada; Koji Onomitsu; Hideki Gotoh; Makoto Kohda; Junsaku Nitta; Tetsuomi Sogawa, SPIE Optics+Photonics, 2019年08月
  45. Cascaded optical fiber link using PLC-based laser repeater stations, T. Akatsuka; T. Goh; H. Imai; K. Oguri; A. Ishizawa; I. Ushijima; N. Ohmae; M. Takamoto; H. Katori; T. Hashimoto; H. Gotoh; and T. Sogawa, International Conference on Laser Spectroscopy (ICOLS2019), 2019年07月
  46. Horizontal slot waveguides with strong optical confinement in low refractive index oxide films, X. Xu; T. Inaba; T. Tawara; H. Omi; H. Gotoh, 24th Optelectronics and Communications Conf. (OECC2019), 2019年07月
  47. Strain-induced lifetime modulation of GaAs excitons with a micromechanical resonator, R. Ohta; H. Okamoto; T. Tawara; H. Gotoh; H. Yamaguchi, 21st Int. Conf. on Electron Dynamics in Semiconductors Optoelectronics and Nanostructures (EDISON21), 2019年07月
  48. Mechanical control of localized exciton: strained coupling between dark and bright states and mechanical control of exciton lifetime, R. Ohta; H. Okamoto; T. Tawara; H. Gotoh; H. Yamaguchi, Canada-Japan Workshop on Hybrid Quantum Systems (HQS2019), 2019年06月
  49. Telecom-band lasing nanowires at room temperature, G. Zhang; M. Takiguchi; K. Tateno; T. Tawara; M. Notomi; H. Gotoh, Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), 2019年05月
  50. Mechanical control of localized exciton, R. Ohta; H. Okamoto; T. Tawara; H. Gotoh; H. Yamaguchi, Frontiers in Quantum Materials & Device Workshop (FQMD2019), 2019年05月
  51. 電気光学変調コムのCEO信号の高SNR検出, 人見 賢弥; 石澤 淳; 日達 研一; 西川 正; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月
  52. アト秒位相干渉分光に向けた極端紫外干渉光学系の構築, 増子 拓紀; 千菅 雄太; 浅賀 浩司; 西川 正; 片山 郁文; 武田 淳; 小栗 克弥, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月
  53. InP/InGaAsP量子井戸における音響フォノン周波数シフトの観測, 校條 健太; 日達 研一; 石澤 淳; 西川 正; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月
  54. 167Er3+添加Y2SiO5のフォトンエコーによるコヒーレンス時間の評価, 平石 真也; IJspeert Mark; 俵 毅彦; 足立 智; 尾身 博雄; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月
  55. GaAs機械振動子における束縛励起子の寿命変調, 太田 竜一; 岡本 創; 俵 毅彦; 後藤 秀樹; 山口 浩司, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月
  56. Phase velocity of drifting spin wave packets in GaAs quantum well, Yusuke Tanaka; Yoji Kunihashi; Haruki Sanada; Hideki Gotoh; Koji Onomitsu; Makoto Kohda; Junsaku Nitta; and Tetsuomi Sogawa, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月
  57. ノンスピンバス化に向けた酸化セリウムのバッファ層膜厚の最適化, 稲葉 智宏; 徐 学俊; Wojciech Szuba; 俵 毅彦; 尾身 博雄; 山本 秀樹; 後藤 秀樹, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  58. 自己触媒法で作製した垂直InPナノワイヤの配列, 章 国強; 舘野 功太; 俵 毅彦; 後藤 秀樹, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  59. 振動歪下におけるGaAs束縛励起子の発光寿命測定, 太田 竜一; 岡本 創; 俵 毅彦; 後藤 秀樹; 山口 浩司, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  60. 偏光時間分解ポンププローブ測定によるスピン重ね合わせ状態における位相緩和の観測, 村松 弘基; 伊藤 哲; 後藤 秀樹; 市田 正夫; 安藤 弘明, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  61. 真空蒸着と低温アニールによるSn媒介GeSnナノドット形成, 対馬 和都; 滝田 健介; 俵 毅彦; 舘野 功太; 章 国強; 後藤 秀樹; 岡本 浩, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  62. n型単層エピタキシャルグラフェンにおける非平衡キャリア緩和ダイナミクスのサブ5 fs時間分解ARPES計測, 當銘 賢人; 小栗 克弥; 増子 拓紀; 加藤 景子; 関根 佳明; 日比野 浩樹; 須田 亮; 後藤 秀樹, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  63. Kerr回転顕微測定によるGaAsBi中のスピンダイナミクス評価, 国橋 要司; コスタス ビルケリス; 田中 祐輔; 眞田 治樹; 後藤 秀樹; 好田 誠; 新田 淳作; 芝田 悠将; 西中 浩之; 吉本 昌広; 寒川 哲臣, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  64. Spin-orbit interaction of photo-injected long-lived carriers in undoped GaAs quantum wells, Haruki Sanada; Alexander Stramma; Yoji Kunihashi; Yusuke Tanaka; Hideki Gotoh; Koji Onomitsu; Makoto Kohda; Junsaku Nitta; and Tetsuomi Sogawa1, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月
  65. Observation of Phase Relaxation in Spin Superposition by Polarization- and Time-Resolved Pump and Probe Measurements, H. Muramatsu; T. Ito; H. Gotoh; M. Ichida; and H. Ando, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), 2018年09月
  66. Dynamics of Locally Injected Spin Distribution in Undoped GaAs Quantum Wells, H. Sanada; Y. Kunihashi; Y. Tanaka; A. Stramma; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), 2018年09月
  67. Nanowire-based telecom-band light emitting diodes, G.Zhang; D.Gnatek; M.Takiguchi; K.Tateno; S.Sasaki; X.Xu; T.Tawara; and H. Gotoh, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), 2018年09月
  68. Rabi oscillation 167Er3+ toward quantum memories, M. Hiraishi; M. IJspeert; T. Tawara; and H. Gotoh, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), 2018年09月
  69. Dynamics of dark spin memories in undoped GaAs quantum wells, H. Sanada; Y. Kunihashi; Y. Tanaka; A. Stramma; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2018), 2018年08月
  70. Current-controlled Dresselhaus spin-orbit interaction, Y. Kunihashi; H. Sanada; Y. Tanaka; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2018), 2018年08月
  71. Transient spectroscopy of long-lived dark spins in GaAs quantum wells, H. Sanada; A. Stramma; Y. Kunihashi; Y. Tanaka; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 10th International School and Conference on Physics and Applications of Spin Phenomena in Solids (PASPS10), 2018年08月
  72. Simple method to lock an optical frequency comb to an ultra-stable laser without an RF signal generator, K. Hitomi; A. Ishizawa; K. Hitachi; T. Nishikawa; H. Gotoh; T. Sogawa; K. Hara, The 13th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO Pacific Rim 2018), 2018年07月
  73. Characterization of Acoustic Phonons in InGaAsP MQW by Asynchronous Optical Sampling, K. Hitachi; M. Someya; A. Ishizawa; T. Nishikawa; and H. Gotoh, The 13th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO Pacific Rim 2018), 2018年07月
  74. Nonequilibrium Dirac electron dynamics in SiC graphene probed by sub-10-fs angle-resolved photoemission spectroscopy, K. Oguri; K. Tome; H. Mashiko; Y. Sekine; K. Kato; H. Hibino; A. Suda; and H. Gotoh, XXI International Conference on Ultrafast Phenomena (UP2018), 2018年07月
  75. Electric dipole oscillation in solids characterized by Fourier transform extreme ultraviolet attosecond spectroscopy, Y. Chisuga; H. Mashiko; K. Oguri; I. Katayama; J. Takeda; and H. Gotoh, XXI International Conference on Ultrafast Phenomena (UP2018), 2018年07月
  76. InP/InAs heterostructure nanowires grown by self-catalyzed VLS mode, G. Zhang and H.Gotoh, Nanowire Week 2018, 2018年06月
  77. Gb/s direct modulation of a single InP/InAs nanowire light emitting diode at telecom-band, M. Takiguchi; G.Zhang; S.Sasaki; K.Nozaki; E.Chen; K.Tateno; T.Tawara; A.Shinya; H.Gotoh; and M. Notomi, Nanowire Week 2018, 2018年06月
  78. Carrier-envelope-offset locking of 25-GHz EOM comb based on a free-running CW Laser Diode, A. Ishizawa; T. Nishikawa; K. Hara; K. Hitachi; T. Sogawa; and H. Gotoh, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018), 2018年05月
  79. Time-resolved ARPES Based on 8-fs High-harmonic Source in the Extreme Ultraviolet Region, K. Toume; K. Oguri; H. Mashiko; K. Kato; Y. Sekine; H. Hibino; A. Suda and H. Gotoh, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018), 2018年05月
  80. 可搬型ストロンチウム光格子時計の不確かさ評価, 今井弘光; 赤塚友哉; 小栗克弥; 石澤淳; 高本将男; 牛島一朗; 大前宣昭; 香取秀俊; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 日本物理学会 第73回年次大会, 2018年03月
  81. サブ10 fs極端紫外領域高次高調波による時間分解ARPESの実現, 當銘 賢人; 小栗 克弥; 増子 拓紀; 加藤 景子; 関根 佳明; 日比野 浩樹; 須田 亮; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月
  82. InP/InAsナノワイヤ通信波長帯発光ダイオードの電気特性改善, 章 国強; 滝口 雅人; 舘野 功太; 俵 毅彦; 納富 雅也; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月
  83. 電気光学変調を用いた高精度光周波数計測法, 原 一鳳; 石澤 淳; 日達 研一; 西川 正; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月
  84. 非同期光サンプリング法によるInP/InGaAsP量子井戸の音響フォノン振動測定, 染谷 真由; 日達 研一; 石澤 淳; 西川 正; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月
  85. 167Er3+:Y2SiO5における超微細構造準位間でのラビ振動の測定, 平石 真也; IJspeert Mark; 俵 毅彦; 尾身 博雄; 後藤 秀樹, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月
  86. Excitation Power Dependence of Nonequilibrium Carrier Relaxation Dynamics in Graphene, Y. Hasegawa; K. Oguri; K. Kato; T. Nishikawa; and H. Gotoh, International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017), 2017年11月
  87. Diffusion-suppressed Drift-spin Dynamics in GaAs Quantum Wells, Y. Tanaka; Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017), 2017年11月
  88. Spin Diffusion Dynamics Under Spin-orbit Magnetic Field in Undoped GaAs Quantum Wells, H. Sanada; Y. Kunihashi; Y. Tanaka; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017), 2017年11月
  89. Evaluation of 2f -to-3f Self-referencing Interferometer Using Dual-pitch PPLN Ridge Waveguides, K. Hara; K. Hitachi; A. Ishizawa; T. Nishikawa; and H. Gotoh, International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017), 2017年11月
  90. Telecom-band Light Emitting Diodes Based on Bottom-up InAs/InP Heterostructure, G. Zhang; M. Takiguchi; K. Tateno; T. Tawara; M. Notomi; and H. Gotoh, International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017), 2017年11月
  91. State Preparation and Lifetime Measurements through Spectral Hole Burning in 167Er3+:Y2SiO5, M. I. Jspeert; M. Hiraishi; T. Tawara; K. Shimizu; H. Omi; S. Adachi; and H. Gotoh, International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017), 2017年11月
  92. Drift-induced Enhancement of Cubic Dresselhaus Spin-orbit Interaction in Two-dimensional Electron Gas, Y. Kunihashi; H. Sanada; Y. Tanaka; H. Gotoh; K. Onomitsu; K. Nakagawara; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017), 2017年11月
  93. 非同期光サンプリング法を用いたInAsP/InGaAsP量子井戸におけるキャリア緩和時間測定, 日達 研一; 石澤 淳; 西川 正; 後藤 秀樹, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  94. 振動歪による束縛励起子のDark状態とBright状態の結合, 太田 竜一; 岡本 創; 俵 毅彦; 後藤 秀樹; 山口 浩司, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  95. 準モノサイクルパルスを用いた高次高調波発生による時間分解ARPES-吸収分光複合システムの開発, 當銘 賢人; 小栗 克弥; 増子 祐紀; 加藤 景子; 須田 亮; 後藤 秀樹, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  96. 電気光学変調器ベース光コムを用いた新しい低雑音ミリ波発生法, 原 一鳳; 石澤 淳; 日達 研一; 西川 正; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  97. InP/InAsナノワイヤの通信波長帯発光ダイオード, 章 国強; 滝口 雅人; 舘野 功太; 俵 毅彦; 納富 雅也; 後藤 秀樹, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  98. GaAs光ディスク‐機械共振器複合構造の作製と評価, 浅野 元紀; 太田 竜一; 岡本 創; 俵 毅彦; 後藤 秀樹; 山口 浩司, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  99. Er3+超微細構造準位におけるΛ型3準位の初期化, Mark IJspeert; Giacomo Mariani; 俵 毅彦; 清水 薫; 尾身 博雄; 足立 智; 後藤 秀樹, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  100. 電気光学変調器ベース光コムのキャリアエンベロープオフセットロック, 石澤 淳; 西川 正; 日達 研一; 原 一鳳; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  101. 単一InAs/InPナノワイヤ発光ダイオードの動特性評価, 滝口 雅人; 章 国強; 佐々木 智; 野崎 謙悟; Edward Chen; 俵 毅彦; 後藤 秀樹; 納富 雅也, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  102. ペタヘルツ周波数を伴うアルミナ（α-Al2O3）電子系の多重振動応答, 千菅 雄太; 増子 拓紀; 小栗 克弥; 増田 裕行; 片山 郁文; 武田 淳; 後藤 秀樹, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  103. 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-3, 対馬 和都; 滝田 健介; 俵 毅彦; 舘野 功太; 章 国強; 後藤 秀樹; 池田 高之; 水野 誠一郎; 岡本 浩, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
  104. NTT 東大 理研間の光格子時計ネットワークに向けた光周波数伝送, 赤塚友哉; 今井弘光; 小栗克弥; 石澤淳; 高野哲至; 高本将男; 香取秀俊; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 日本物理学会2017年秋季大会, 2017年09月
  105. Dynamic coupling control of dark and bright bound excitons in a mechanical resonator, R. Ohta; H. Okamoto; T. Tawara; H. Gotoh; H. Yamaguchi, International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017 (HQS2017), 2017年09月
  106. Growth of CeO2 on Si (111) substrates as a magnetically purified host crystal for Er3+ dopants, T. Inaba; T. Tawara; H. Omi; H. Yamamoto; H. Gotoh, International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017 (HQS2017), 2017年09月
  107. Λ-system initialization through spectral hole burning in 167Er3+:Y2SiO5, M. IJspeert; G. Mariani; T. Tawara; K. Shimizu; H. Omi; S. Adachi; H. Gotoh, International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017 (HQS2017), 2017年09月
  108. Population trapping through spectral hole burning in 167Er3+:Y2SiO5, M. IJspeert; G. Mariani; T. Tawara; K. Shimizu; H. Omi; S. Adachi; H. Gotoh, 2017 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2017), 2017年09月
  109. Broadband isolated attosecond pulse generation and its application to PHz-wave and electron interaction dynamics in solid, K. Oguri; H. Mashiko; and H. Gotoh, 2nd International Symposium on Attosecond Science, 2017年08月
  110. Spatial-temporal analysis of diffusion-suppressed drift-spin dynamics, Yusuke Tanaka; Yoji Kunihashi; Haruki Sanada; Hideki Gotoh, 22nd International Conference on Electronic Properties of Two Dimensional Systems/18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18), 2017年08月
  111. Diffusion Dynamics of Long-lived Electron Spins in Undoped GaAs Quantum Wells, H. Sanada; Y. Kunihashi; Y. Tanaka; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 22nd International Conference on Electronic Properties of Two Dimensional Systems/18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18), 2017年08月
  112. Electric field induced enhancement of cubic Dresselhaus spin-orbit interaction in GaAs quantum well, Y. Kunihashi; H. Sanada; Y. Tanaka; H. Gotoh; K. Onomitsu; K. Nakagawara; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 22nd International Conference on Electronic Properties of Two Dimensional Systems/18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18), 2017年08月
  113. InP/InAs heterostructure nanowires by self-catalyzed VLS mode, Guoqiang Zhang and Hideki Gotoh, The 15th Internationall Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2017), 2017年08月
  114. Development of an optical lattice clock for a frequency comparison through an optical fiber link over 100 km, Hiromitsu Imai; Tomoya Akatsuka; Katsuya Oguri; Atsushi Ishizawa; Masao Takamoto; Manoj Das; Noriaki Ohmae; Hidetoshi Katori; Hideki Gotoh; Tetsuomi Sogawa, International Conference on Laser Spectroscopy (ICOLS 2017), 2017年07月
  115. Optical fiber link at 1397 nm over 100 km for networking distant Sr optical lattice clocks with 10-18 uncertainties, Tomoya Akatsuka; Hiromitsu Imai; Katsuya Oguri; Atsushi Ishizawa; Tetsushi Takano; Masao Takamoto; Hidetoshi Katori; Hideki Gotoh; Tetsuomi Sogawa, International Conference on Laser Spectroscopy (ICOLS 2017), 2017年07月
  116. Petaherz electron dynamics with wide-bandgap semiconductor, H. Mashiko; K. Oguri; Y. Chisuga; H. Masuda; I. Katayama; J. Takeda; and H. Gotoh, 6th international conference on Attosecond Physics (ATTO2017), 2017年07月
  117. Reduced pulse energy for frequency stabilization with a dual-pitch periodically poled lithium niobate ridge waveguide, K. Hitachi; K. Hara; O. Tadanaga; A. Ishizawa; T. Nishikawa; and H. Gotoh, Conference on Lasers and Electro-optics/ Europian Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-EQEC 2017), 2017年06月
  118. Spectral Hole Narrowing in Er3+ 4f Transitions by Isotope Separation, T. Tawara; G. Mariani; K. Shimizu; H. Omi; S. Adachi; H. Gotoh, Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO2017), 2017年05月
  119. Attosecond-pulse continua with over 70 eV bandwidth by using double optical gated sub-two-cycle pulse, K. Oguri; H. Mashiko; T. Ogawa; Y. Hanada; and H. Gotoh, The 8th Shanghai-Tokyo Advanced Research Symposium on Ultrafast Intense Laser Science (STAR8), 2017年05月
  120. Au-free InP/InAs heterostructure nanowires, Guoqiang Zhang and Hideki Gotoh, Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017), 2017年05月
  121. Mid-infrared lasing of a single InAs nanowire, Hisashi Sumkura; Guoqiang Zhang; Hideki Gotoh and Masaya Notomi, Nanowire Week 2017, 2017年05月
  122. 可搬型ストロンチウム光格子時計の開発, 今井弘光; 小栗克弥; 石澤淳; 赤塚友哉; 高本将男; Manoj Das; 高野哲至; 大前宣昭; 香取秀俊; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 日本物理学会第72回年次大会, 2017年03月
  123. Spatio-temporal analysis of diffusion-suppressed drift spin dynamics, 田中 祐輔; 国橋 要司; 眞田 治樹; 後藤 秀樹; 小野満 恒二; 中川原 圭太; 好田 誠; 新田 淳作; 寒川 哲臣, 第64回応物関係連合講演会, 2017年03月
  124. Effect of momentum distribution on cubic Dresselhaus spin-orbit interaction in two-dimensional electron gas, 国橋 要司; 眞田 治樹; 田中 祐輔; 中川原 圭太; 後藤 秀樹; 小野満 恒二; 好田 誠; 新田 淳作; 寒川 哲臣, 第64回応物関係連合講演会, 2017年03月
  125. Origin of long-lived spin dynamics in undoped GaAs quantum wells, 眞田 治樹; 国橋 要司; 田中 祐輔; 後藤 秀樹; 小野満 恒二; 好田 誠; 新田 淳作; 寒川 哲臣, 第64回応物関係連合講演会, 2017年03月
  126. デュアルピッチPPLN導波路によるCEO周波数安定性の評価, 原 一鳳; 日達 研一; 忠永 修; 石澤 淳; 西川 正; 後藤 秀樹1, 第64回応物関係連合講演会, 2017年03月
  127. 母体結晶のノンスピンバス化を目指したエルビウム添加酸化セリウムのMBE成長, 稲葉 智宏; 俵 毅彦; 尾身 博雄; 山本 秀樹; 後藤 秀樹, 第64回応物関係連合講演会, 2017年03月
  128. 通信波長帯ナノワイヤレーザの波長制御, 章 国強; 滝口 雅人; 舘野 功太; 後藤 秀樹, 第64回応物関係連合講演会, 2017年03月
  129. Petahertz semiconductor drive characterized by isolated attosecond pulse, H. Mashiko; K. Oguri; and H. Gotoh, The 8th Asian Workshop on Generation and Application of Coherent XUV and X-ray Radiation (8th AWCXR), 2017年03月
  130. InP/InAs heterostructure nanowires grown by indium-particle-assisted vapor-liquid-solid mode, Guoqiang Zhang; and Hideki Gotoh, 31st DGKK Workshop: Epitaxy of III/V Semiconductor, 2016年12月
  131. Petaherz electronic response in semiconductor (invited), K. Oguri; H. Mashiko; T. Yamaguchi; A. Suda; and H. Gotoh, The 9th Asian Symposium on Intense Laser Science(ASILS9), 2016年11月
  132. Reduction of pulse energy for frequency stabilization with dual-pitch periodically poled lithium niobate waveguides, K. Hara; K. Hitachi; O. Tadanaga; T. Ishizawa; T. Nishikawa; T. Sogawa; H. Gotoh, 2016 IEEE Photonics Conference (IPC), 2016年10月
  133. Generation of low-phase-noise millimeter waves in a wide frequency range by using a frequency comb based on electro-optics-modulators, A. Ishizawa; T. Nishikawa; T. Goto; K. Hitachi; T. Sogawa; and H. Gotoh, Frontiers in Optics (FIO) 2016, 2016年10月
  134. Light-induced electron dynamics in semiconductor from femtosecond to attosecond regime (invited), K. Oguri; H. Mashiko; T. Yamaguchi; A. Suda; and H. Gotoh, The International Symposium on Ultrafast Intense Laser Science 15 (ISUILS15), 2016年10月
  135. Er3+超微細構造準位の観測, 俵 毅彦; Giacomo Mariani; 清水 薫; 尾身 博雄; 足立 智; 後藤 秀樹, 第77回応用物理学術講演会, 2016年09月
  136. ボトムアップ的手法で作製した通信波長帯室温動作InAs/InPマイクロワイヤレーザ, 章 国強; 滝口 雅人; 舘野 功太; 後藤 秀樹, 第77回応用物理学術講演会, 2016年09月
  137. 100 eV帯域幅を持つ単一アト秒パルス発生, 増子 拓紀; 小栗 克弥; 後藤 秀樹, 第77回応用物理学術講演会, 2016年09月
  138. 低温成長によるZnO膜の平坦化と電気的特性の影響, 中村 篤志; 横北 拓大; 章 国強; 後藤 秀樹, 第77回応用物理学術講演会, 2016年09月
  139. Spin manipulation of drifting electrons by electrically-controlled spin-orbit interaction in GaAs quantum well, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, International Conference on the Physics of Semiconductors 2016 (ICPS2016), 2016年08月
  140. Site-defined InP/InAs heterostructure nanowires with the diameter tuned from microscale to nanoscale, G. Zhang; T. Sogawa; H. Gotoh, International Conference on the Physics of Semiconductors 2016 (ICPS2016), 2016年08月
  141. Spin coherence enhanced by in-plane electric field-induced spin-orbit interaction, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2016), 2016年06月
  142. Site-defined InP/InAs heterostructure nanowires with tunable diameter by in-situ diameter-tuning technique, G. Zhang; K. Tateno; T. Sogawa; and H. Gotoh, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2016), 2016年06月
  143. Acoustic transport and manipulation of electron spins in semiconductors, H. Sanada; Y. Kunihashi; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; P.V. Santos and T. Sogawa, SPICE Workshop Quantum Acoustics ? Surface Acoustic Waves meets Solid State Qubits, 2016年05月
  144. Enhancement of spin transport length with tailored spin-orbit interaction, 国橋 要司; 眞田 治樹; 後藤 秀樹; 小野満 恒二; 好田 誠; 新田 淳作; 寒川 哲臣, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  145. デュアルピッチPPLN導波路によるCEO周波数安定化の低パルスエネルギー閾値化, 原 一鳳; 日達 研一; 忠永 修; 石澤 淳; 西川 正; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹1, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  146. グラフェン転写シリコン導波路からのスーパーコンティニューム光発生, 後藤 貴大; 石澤 淳; 高 磊; 土澤 泰; 松田 信幸; 日達 研一; 西川 正; 山田 浩治; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹1, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  147. Erイオンにおける誘導ラマン断熱通過, 濱田 裕紀; 俵 毅彦; 足立 智; アレシュ イエナス; 尾身 博雄; 後藤 秀樹, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  148. GaN半導体を用いたペタヘルツ光学動作, 増子 拓紀; 小栗 克弥; 山口 量彦; 須田 亮; 後藤 秀樹, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  149. 半導体電子系ペタヘルツ応答検出に向けた単一アト秒量子干渉法の提案, 小栗 克弥; 増子 拓紀; 山口 量彦; 須田 亮; 後藤 秀樹, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  150. in-situ直径変調法で作製した位置制御InP/InAsヘテロナノワイヤ, 章 国強; 舘野 功太; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  151. ファノ共鳴におけるコヒーレントフォノンの初期位相シフトの観測, 加藤 景子; 長谷川 祐哉; 小栗 克弥; 西川 正; 後藤 秀樹, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  152. 位相変調器ベース光コムを用いた広周波数可変な低位相雑音ミリ波発生, 石澤 淳; 西川 正; 後藤 貴大; 日達 研一; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第63回応物関係連合講演会, 2016年03月
  153. Gate-controlled spin coherence of drifting electrons in GaAs quantum wells, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; and T. Sogawa, Internetional Symposium on Nanoscale Transport and Technology 2015 (ISNTT 2015), 2015年11月
  154. Bridging the gap between the Nanometer-scale bottom-up and micrometer-scale top-down approaches through a self-assembly process, G. Zhang; M. Takiguchi; K. Tateno; and H. Gotoh, Internetional Symposium on Nanoscale Transport and Technology 2015 (ISNTT 2015), 2015年11月
  155. Acoustic control of optical properties and spins in quantum wells, T. Sogawa; H. Sanada; Y. Kunihashi; and H. Gotoh, International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN2015), 2015年11月
  156. Electrical control of drifting spin coherence, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, International Workshop : Quantum Nanostructures and Electron-Nuclear Spin Interactions, 2015年10月
  157. Drifting spin precession modified by cubic Dresselhaus spin-orbit interaction in GaAs quantum wells, 国橋要司; 眞田治樹; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; 寒川哲臣, 第76回応用物理学術講演会, 2015年09月
  158. 広モード間隔光周波数コムを用いたマルチヘテロダイン実時間分光, 石澤 淳; 西川 正; Ming Yan; Guy Millot; 後藤 秀樹; Theodor W H?nsch; Nathalie Picqu?, 第76回応用物理学術講演会, 2015年09月
  159. デュアルコム分光用多段電気光学変調器ベース光周波数コム光源, 西川 正; 石澤 淳; Ming Yan; 後藤 秀樹; Theodor Haensch; Nathalie Picque, 第76回応用物理学術講演会, 2015年09月
  160. 単一アト秒パルスを用いた内殻電子の双極子応答計測法の確立, 増子 拓紀; 小栗 克弥; 山口 量彦; 須田 亮; 後藤 秀樹, 第76回応用物理学術講演会, 2015年09月
  161. 自己形成法を用いた、ナノメートル領域のボトムアップ法とマイクロメートル領域のトップダウン法との架橋技術の構築, 章 国強; 滝口 雅人; 舘野 功太; 後藤 秀樹, 第76回応用物理学術講演会, 2015年09月
  162. Estimation of Spin-orbit Interaction Parameters with Drifting Spins in Semiconductor Quantum Wells, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), 2015年09月
  163. Determination of phonon decay-rate in p-type Si under Fano resonance by meas-urements of coherent phonons with femto-second laser pulses, K. Kato; K. Oguri; H. Sanada; T. Tawara; T.Sogawa and H. Gotoh, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), 2015年09月
  164. Bridging the Gap between the Nanometer-scale Bottom-up and Micrometer-scale Top-down Approaches for Site-defined InP/InAs Heterostructure Nanowires, G. Zhang; M. Takiguchi; K. Tateno; and H. Gotoh, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), 2015年09月
  165. Observation of Hole-Spin Superposition in GaAs Quantum Well under Magnetic Field, Tetsu Ito; Hideki Gotoh; Masao Ichida; and Hiroaki Ando, 17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-17), 2015年07月
  166. Self-Aligned Gate-All-Around InAs Nanowire Field-Effect Transistors, Satoshi Sasaki; Kouta Tateno; Guoqiang Zhang; Shiro Saito; and Hideki Gotoh, 17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-17), 2015年07月
  167. Optical measurements of perpendicularly polarized spin injection in L10-FePt/MgO/n-GaAs structures, R. Osugi; Y. Kunihashi; H. Sanada; M. Kohda; H. Gotoh; T. Sogawa; and J. Nitta, 17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-17), 2015年07月
  168. Electrical control of drifting spin coherence in persistent spin helix condition, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-17), 2015年07月
  169. Octave Spanning Frequency Comb Generation in a Dispersion-Controlled Short Silicon-Wire Waveguide with a Fiber Laser Oscillator, T. Goto; A. Ishizawa; R. Kou; T. Tsuchizawa; N. Matsuda; K. Hitachi; T. Nishikawa; K. Yamada; T. Sogawa; and H. Gotoh, The 2015 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015), 2015年05月
  170. A Robust 2f-to-3f Collinear Interferometer with a Dual-Pitch Periodically Poled Lithium Niobate Ridge Waveguide, K. Hitachi; A. Ishizawa; O. Tadanaga; H. Mashiko; T. Nishikawa; T. Sogawa; H. Gotoh, The 2015 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015), 2015年05月
  171. Broadband Dual-comb Spectroscopy with Cascaded-electro-optic-modulator-based Frequency Combs, T. Nishikawa; A. Ishizawa; M. Yan; H. Gotoh; T. W. H?nsch; and N. Picque, The 2015 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015), 2015年05月
  172. Optical Frequency Combs of Multi-GHz Line-spacing for Real-time Multi-heterodyne Spectroscopy, A. Ishizawa; T. Nishikawa; M. Yan; G. Millot; H. Gotoh; T. W. H?nsch; and N. Picque, The 2015 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015), 2015年05月
  173. Low-Phase-Noise Millimeter-Wave Signal Generator assisted with Frequency Comb based on Electro-Optics-Modulators, A. Ishizawa; T. Nishikawa; T. Goto; K. Hitachi; T. Sogawa; and H. Gotoh, The 2015 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015), 2015年05月
  174. Electrical control of drifting spin coherence in GaAs quantum well, 国橋要司; 眞田治樹; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; 寒川哲臣, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  175. シリコンのコヒーレントフォノンの発生起源に関する実験的考察, 加藤 景子; 小栗 克弥; 後藤 秀樹, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  176. 電気光学変調器ベース光周波数コムを用いた低位相雑音ミリ波発生, 石澤 淳; 西川 正; 後藤 貴大; 日達 研一; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  177. オンチップスーパーコンティニューム光スペクトルとシリコン導波路入射パルス波形の関係, 後藤 貴大; 石澤 淳; 高 磊; 土澤 泰; 松田 信幸; 日達 研一; 西川 正; 山田 浩治; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  178. 2f-3f自己参照干渉計によるCEO周波数の安定性評価, 日達 研一; 石澤 淳; 忠永 修; 増子 拓紀; 西川 正; 寒川 哲臣; 後藤 秀樹, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  179. GaAs 量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態の直線偏光分解ポンプローブ測定法による評価, 伊藤 哲; 後藤 英樹(秀樹); 夫馬 宗一郎; 市田 正夫; 安藤 弘明, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  180. 自己触媒VLSナノワイヤにおける軸方向成長速度の均一化, 章 国強; 舘野 功太; 後藤 秀樹, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  181. InAsP/InPナノワイヤ成長におけるTBAsパルス供給とTBClの効果, 舘野 功太; 滝口 雅人; 章 国強; 後藤 秀樹, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  182. (ErSc)2O3 薄膜におけるアップコンバージョン発光とフォトニックバンドギャップによる抑制, 俵 毅彦; Thomas McManus; 川上 欣洋; 尾身 博雄; Adel Najar; 鍛治 怜奈; 足立 智; 後藤 秀樹, 第62回応物関係連合講演会, 2015年03月
  183. フェムト秒時間分解内殻光電子分光法によるGaAs表面の動的光デンバー効果の観測, 小栗克弥; 角井貴信; 加藤景子; 中野秀俊; 西川正; 舘野功太; 寒川哲臣; 後藤秀樹, 日本物理学会第70回年次大会, 2015年03月
  184. 分散制御した短尺シリコン導波路を用いたオンチップスーパーコンティニウム光, 後藤貴大; 石澤淳; 高磊; 土澤泰; 松田信幸; 日達研一; 西川正; 山田浩治; 寒川哲臣; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  185. Detection of the exact persistent spin helix state using drift spin transport in GaAs quantum well, 国橋要司; 眞田治樹; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; 寒川哲臣, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  186. 単一アト秒パルスを用いた自動電離における時間依存双極子応答の位相再構成, 増子拓紀; 山口量彦; 小栗克弥; 須田亮; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  187. 高ドープシリコンのコヒーレントフォノン緩和ダイナミクスにおける温度依存性, 加藤景子; 小栗克弥; 眞田治樹; 俵毅彦; 寒川哲臣; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  188. GaAs量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態に対するバンド混合効果, 伊藤哲; 後藤秀樹; 市田正夫; 安藤弘明, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  189. 量子ドット中の励起子分子状態の2色PL励起スペクトル法による評価, 後藤秀樹; 眞田治樹; 山口浩司; 寒川哲臣, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  190. (Er1-xScx)2O3MBE成長膜中Er置換サイトのEr濃度依存性, 尾身博雄; 俵毅彦; 鍛冶玲奈; 足立智; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  191. 酸化エルビウム薄膜における上位準位へのポピュレーション移動, 俵毅彦; 尾身博雄; Adel Najar; 鍜治怜奈; 足立智; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  192. 非均一なナノワイヤ成長速度の時間依存性, Guoqiang Zhang; 舘野功太; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  193. InAs/InPヘテロ構造ナノワイヤにおける歪のシミュレーション評価, 舘野功太; 章国強; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  194. CBr4流量変調によるInP系DHBTの組成傾斜InGaAsSbベース形成, 星拓也; 柏尾典秀; 杉山弘樹; 横山春喜; 栗島賢二; 井田実; 松崎秀昭; 神徳正樹; 後藤秀樹, 第75回応用物理学術講演会, 2014年09月
  195. Anisotropic spin dynamics of drifting electrons with coexistence of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interactions, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), 2014年09月
  196. Effects of Band Mixing on Hole-Spin Superposition in GaAs/AlGaAs Quantum Wells, T. Ito; H. Gotoh; M. Ichida; and H. Ando, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), 2014年09月
  197. Strain Characterization of InAs Segment in Au-free InP/InAs Heterostructure Nanowires by Micro-Raman Measurement, G. Zhang; S. Kenichi; S. Nakagawa; K. Tateno; T. Sogawa and H. Gotoh, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), 2014年09月
  198. Direct Imaging of Long-Distance Spin Transport under Persistent Spin Helix Condition in GaAs Quantum Well, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and T. Sogawa, 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2014), 2014年08月
  199. Manipulation of optical field emitted from autoionizing transition stimulated by isolated attosecond pulse, H. Mashiko; T. Yamaguchi; K. Oguri; A. Suda; and H. Gotoh, 19th International Conference on Ultrafast Phenomena (UP2014), 2014年07月
  200. Nonuniform growth rate of semiconductor nanowires with the growth time in the vapor-liquid-solid mode, G. Zhang; K. Tateno; and H. Gotoh, The 17th International Conference on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE XVII), 2014年07月
  201. Temporal characterization of emitted field from autoionization state stimulated by isolated attosecond pulse, H. Mashiko; T. Yamaguchi; K. Oguri; A. Suda; and H. Gotoh, The 2014 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2014), 2014年06月
  202. Optical transition between Stark levels in (ErSc)2O3 epitaxitial films, T. Tawara; H. Omi; A. Najar; R. Kaji; S. Adachi; and H. Gotoh, The 2014 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2014), 2014年06月
  203. A collinear 2f-to-3f self-referencing interferometer with a dual-pitch PPLN ridge waveguide, K. Hitachi; A. Ishizawa; T. Nishikawa; H. Mashiko; O. Tadanaga; M. Asobe; T. Sogawa; and H. Gotoh, The 2014 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2014), 2014年06月
  204. On-Chip Supercontinuum Generation in a Dispersion-Controlled Silicon-Wire Waveguide, A. Ishizawa; T. Goto; H. Nishi; N. Matsuda; R. Kou; K. Hitachi; T. Nishikawa; ; K. Yamada; T. Sogawa; H. Gotoh, The 2014 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2014), 2014年06月
  205. TBCl etching for uniform‐diameter InAsP nanowires, Tateno Kouta; Zhang Guoqiang; Gotoh Hideki, The 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2014), 2014年05月
  206. Coherent manipulation of electron spins in acoustically induced moving dots, H. Sanada; Y. Kunihashi; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; P. V. Santos; and T. Sogawa, 8th International Conference on Quantum Dots (QD2014), 2014年05月
  207. 永久スピンらせん状態における光励起スピンダイナミクスのモンテカルロシミュレーション, 国橋要司; 眞田治樹; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; 寒川哲臣, 第61回応物関係連合講演会, 2014年03月
  208. 分散制御シリコン導波路を用いたオンチップスーパーコンティニウム光, 後藤貴大; 石澤淳; 西英隆; 松田信幸; 高磊; 日達研一; 西川正; 山田浩治; 寒川哲臣; 後藤秀樹, 第61回応物関係連合講演会, 2014年03月
  209. Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成, 岡本浩; 林一稀; 小林弓華; 俵毅彦; 舘野功太; 章国強; 後藤秀樹, 第61回応物関係連合講演会, 2014年03月
  210. TBClを用いたInAsPナノワイヤ成長の検討, 舘野功太; 章国強; 後藤秀樹, 第61回応物関係連合講演会, 2014年03月
  211. InP/InAs ヘテロナノワイヤの歪み評価, 章国強; 中川周平; 舘野功太; 寒川哲臣; 後藤秀樹, 第61回応物関係連合講演会, 2014年03月
  212. 移動スピン共鳴, 眞田治樹; 国橋要司; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; Paulo Santos; 寒川哲臣, 第61回応物関係連合講演会, 2014年03月
  213. Si(111)上にMBE成長した(Sc1-xErx)2O3膜のEXAFS解析, 尾身博雄; 俵毅彦; 鍛冶玲奈; 穂積貴人; 足立智; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第61回応物関係連合講演会, 2014年03月
  214. Manipulation of electron spin coherence using acoustically induced moving dots in semiconductors, H. Sanada; Y. Kunihashi; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; P. V. Santos; and T. Sogawa, International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN2013), 2013年12月
  215. Bias and temperature dependences of perpendicularly polarized spin injection in L10-FePt / MgO / GaAs spin injection devices, R. Ohsugi; J. Shiogai; M. Kohda; Y. Kunihashi; H. Sanada; T. Seki; Y. Sakuraba; M. Mizuguchi; H. Gotoh; T. Sogawa; K. Takanashi; and J. Nitta, International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2013), 2013年11月
  216. Coherent manipulation of electron spins travelling in semiconductors without external magnetic fields, H. Sanada; Y. Kunihashi; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; P. V. Santos; and T. Sogawa, International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2013), 2013年11月
  217. 面直磁化L10-FePt / MgO構造からGaAsへの電気的スピン注入とその空間分解カー測定, 大杉廉人; 好田誠; 国橋要司; 眞田治樹; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 関剛斎; 水口将輝; 高梨弘毅; 新田淳作, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  218. 無磁場電子スピン共鳴による輸送電子スピンのコヒーレント操作, 眞田治樹; 国橋要司; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; パウロ サントス; 寒川哲臣, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  219. GaAs量子井戸中をドリフトする電子スピンの電気的制御, 国橋要司; 眞田治樹; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; 寒川哲臣, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  220. VLS成長InPナノワイヤ太陽電池の検討, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  221. Si基板上(Er1-xScx)2O3のＭＢＥ成長, 尾身博雄; 俵毅彦; 鍛冶玲奈; 穂積貴人; 足立智; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  222. 自己触媒法によって成長したInP/InAsナノワイヤの光学特性, 章国強; Danang Birowosuto; 舘野功太; 後藤秀樹, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  223. 量子ドット中の励起子・励起子分子光非線形におけるFano共鳴効果, 後藤秀樹; 眞田治樹; 山口浩司; 寒川哲臣, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  224. 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜の スカンジウム混晶化による光学特性の改善, 俵毅彦; 尾身博雄; 穂積貴人; 鍜治怜奈; 足立智; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  225. 光変調器を用いた高繰返しレーザーの波長可変性, ヌルエミー ビンティ チェアニ; 山崎美穂; 石澤淳; 日達研一; 小栗克弥; 後藤秀樹; 西川正; 寒川哲臣, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  226. GaAs量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態の励起エネルギー依存性, 伊藤哲; 後藤秀樹; 市田正夫; 安藤弘明, 第74回応用物理学術講演会, 2013年09月
  227. Gate Control of Spatial Electron Distribution in Perisitent Spin Helix State, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; T. Sogawa, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013年09月
  228. Dynamics of Hole-spin Superposition in GaAs/AlGaAs Quantum Wells, T. Ito; H. Gotoh; M. Ichida; and H. Ando, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013年09月
  229. InP Nanowires on Graphen-covered Micron Fe Wires, K. Tateno; G. Zhang and H. Gotoh, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013年09月
  230. Energy transfer in epitaxial Er2O3 thin films grown on Si(111) substrates, T. Tawara; T. Hozumi; H. Omi; R. Kaji; S. Adachi; H. Gotoh; T. Sogawa, IEEE Photonics Conference 2013 (IPC2013), 2013年09月
  231. Size-controlled InAs nanostructures in InP NW grown via the Au-free VLS mode, G. Zhang; D. Birowosuto; K. Tateno; H. Gotoh; and H. Sogawa, SPIE Optics + Photonics, 2013年08月
  232. Gate-controlled spin precession of drifting electrons in GaAs QW, Y. Kunihashi; H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; T. Sogawa, 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(MSS-16), 2013年07月
  233. Magnetic-field-free electron spin resonance in winding GaAs channel, H. Sanada; Y. Kunihashi; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; P. V. Santos; T. Sogawa, 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(MSS-16), 2013年07月
  234. Comparison between magneto-optical Kerr effect and electrical 3T-Hanle effect in perpendicular L10-FePt / MgO / GaAs spin injection devices, R. Ohsugi; J. Shiogai; M. Kohda; Y. Kunihashi; H. Sanada; T. Seki; Y. Sakuraba; M. Mizuguchi; H. Gotoh; T. Sogawa; K. Takanashi; J. Nitta, 7th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VII), 2013年07月
  235. Fano Quantum Interference Effects in Exciton-Biexciton Coherently Coupled System in Quantum Dots, H. Gotoh; H. Sanada; H. Yamaguchi; and T. Sogawa, The 2013 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2013), 2013年06月
  236. Biexciton Creation Without Undesireble Excitons for Ideal Entangled Photon Pair Emissions in Optically-active Quantum Dots, H. Gotoh; H. Sanada; H. Yamaguchi; and T. Sogawa, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 2013年05月
  237. VLS-grown InP Nanowires on Iron Metal Mediated by Graphene Layers, K. Tateno; K. Kanzaki; G. Zhang; H. Gotoh; H. Hibino; T. Sogawa, 2013 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2013年04月
  238. Biｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用いたIn(Ga)As量子ﾄﾞｯﾄのDLTS評価, 鈴木聡一郎; 岡本浩; 舘野功太; 俵毅彦; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第60回応物関係連合講演会, 2013年03月
  239. GaAs量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態のダイナミクス評価, 伊藤哲; 後藤秀樹; 市田正夫; 安藤弘明, 第60回応物関係連合講演会, 2013年03月
  240. 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜の光学特性, 俵 毅彦; 穂積貴人; 尾身博雄; 鍛治怜奈; 足立智; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第60回応物関係連合講演会, 2013年03月
  241. Si基板上酸化エルビウムのＭＢＥ成長, 尾身博雄; 俵毅彦; 鍜治怜奈; 穂積貴人; 足立智; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第60回応物関係連合講演会, 2013年03月
  242. 持続的スピンらせん状態におけるスピン空間分布の電界依存性, 国橋要司; 眞田治樹; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田誠; 新田淳作; 寒川哲臣, 第60回応物関係連合講演会, 2013年03月
  243. グラフェンを介したFe基板上InPナノワイヤ成長, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 日比野浩樹; 寒川哲臣, 第60回応物関係連合講演会, 2013年03月
  244. 自己触媒法InPナノワイヤの成長過程における直径制御, 章 国強; Danang Birowosuto; 舘野功太; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第60回応物関係連合講演会, 2013年03月
  245. Step-free界面を有するInN/GaN単一量子井戸からの紫色狭線発光, 赤坂哲也; 後藤秀樹; 小林康之; 山本秀樹, 第73回応用物理学術講演会, 2012年09月
  246. GaAs微細構造上に選択成長したInAsナノ構造の特性, Marlene Zander; 西永慈郎; 後藤秀樹; 堀越佳治, 第73回応用物理学術講演会, 2012年09月
  247. 量子ドットを用いた良好なもつれ光子発生のための励起子分子生成, 後藤秀樹; 眞田治樹; 山口浩司; 寒川哲臣, 第73回応用物理学術講演会, 2012年09月
  248. 微小な金粒子を用いたInAsP/InPナノワイヤ成長, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第73回応用物理学術講演会, 2012年09月
  249. 自己触媒ＶＬＳ法によるInAsP/InAs/InAsPヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長, 章 国強; 舘野功太; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第73回応用物理学術講演会, 2012年09月
  250. InAsP-InAs-InAsP hetero-nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode, G. Zhang; K. Tateno; H. Gotoh; and T. Sogawa, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), 2012年09月
  251. Cavity-free laser cooling of a GaAs/AlGaAs micromechanical resonator using optical absorption at exciton states, T. Watanabe; H. Okamoto; K. Onomitsu; H. Gotoh; T. Sogawa; and H. Yamaguchi, 31st International Conference of the Physics of Semiconductors, 2012年07月
  252. Imaging of Tunable Spin Precession in GaAs Moving Dots, H. Sanada; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; P. V. Santos; and T. Sogawa, 31st International Conference of the Physics of Semiconductors, 2012年07月
  253. Modifying Excitonic Properties in Quantum Dots using Coherent Phonons Induced by Ultrafast Optical Pulses, H. Gotoh; H. Sanada; H. Yamaguchi; and T. Sogawa, 31st International Conference of the Physics of Semiconductors, 2012年07月
  254. InP/InAs multi-stacked heterostructure nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode, G. Zhang; K. Tateno; H. Gotoh; and T. Sogawa, 31st Electronic Materials Symposium, 2012年07月
  255. VLS growth of nanowires on graphen, K. Tateno; G. Zhang; H. Gotoh; H. Hibino; and T. Sogawa, 31st Electronic Materials Symposium, 2012年07月
  256. VLS Growth of III-V Semiconductor Nanowires on Graphene Layers, K. Tateno; D. Takagi; G. Zhang; H. Gotoh; H. Hibino; T. Sogawa, 2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2012年04月
  257. 自己触媒ＶＬＳ法によるInP-InAsヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長, 症(章) 国強; 舘野功太; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  258. グラフェン上InPナノワイヤ成長, 舘野功太; 神崎賢一; 日比野浩樹; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  259. 表面弾性波のつくる導波路型ダイナミックドットを用いたスピン輸送, 眞田治樹; 後藤秀樹; 小野満恒二; 好田 誠; 新田淳作; Paulo V. Santos; 寒川哲臣, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  260. 量子ドット励起子に対する光励起によって発生したフォノン効果, 後藤秀樹; 眞田治樹; 山口浩司; 寒川哲臣, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  261. GaAs励起子吸収を用いたカンチレバーの振動モード冷却, 渡邉敬之; 岡本 創; 小野満恒二; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 山口浩司, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  262. 空間分解Monte Carlo法に基づく準一次元系スピン緩和の理論解析, 国橋要司; 好田 誠; 眞田治樹; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 新田淳作, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  263. 液体ヘリウム温度におけるグラファイトのコヒーレントフォノンダイナミクス, 加藤景子; 小栗克弥; 眞田治樹; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 西川 正; 寒川哲臣, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  264. 高次高調波を用いたフェムト秒時間分解表面光電子分光による過渡表面光起電力効果の観測, 小栗克弥; 角井貴信; 加藤景子; 中野秀俊; 西川 正; 後藤秀樹; 舘野功太; 片山郁文; 武田 淳; 寒川哲臣, 第59回応物関係連合講演会, 2012年03月
  265. 表面弾性波を用いた半導体中の電子スピン操作, 眞田 治樹; 後藤 秀樹; 好田 誠; 新田 淳作; 小野満 恒二; Paulo V. Santos; 寒川 哲臣, 第16回 半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16), 2011年12月
  266. Formation of ohmic contact of InP nanowires without annealing processes, G. Zhang; S. Saito; K. Tateno; H. Gotoh; and T. Sogawa, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), 2011年09月
  267. GaAs/AlGaAsヘテロ構造カンチレバーにおけるキャリア誘起光機械結合, 渡邉敬之; 岡本 創; 小野満恒二; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 山口浩司, 第72回応用物理学術講演会, 2011年08月
  268. InAsP/InPナノワイヤ成長におけるInAs反応種の拡散の影響, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第72回応用物理学術講演会, 2011年08月
  269. 自己触媒法により成長したInP ナノワイヤ, 章 国強; 舘野功太; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第72回応用物理学術講演会, 2011年08月
  270. 電子線蒸着法を用いたL10-FePt / MgO 面直スピン注入源からGaAsへの電気的スピン注入, 大杉廉人; 好田 誠; 眞田治樹; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 関 剛斎; 水口将輝; 高梨弘毅; 新田淳作, 第72回応用物理学術講演会, 2011年08月
  271. 量子ドット中の励起子に対する金属薄膜での光吸収効果, 後藤秀樹; 眞田治樹; 山口浩司; 寒川哲臣, 第72回応用物理学術講演会, 2011年08月
  272. Acoustically Controlled Spin-Orbit Interactions in GaAs, H. Sanada; T. Sogawa; H. Gotoh; K. Onomitsu; M. Kohda; J. Nitta; and P. V. Santos, The 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-15), 2011年07月
  273. 表面弾性波によるスピン輸送におけるスピン軌道相互作用の空間異方性, 眞田治樹; 後藤秀樹; 好田 誠; 新田淳作; 小野満恒二; 寒川哲臣, 第58回応物関係連合講演会, 2011年03月
  274. InPナノワイヤにおけるアニール工程無しのオーミック接触形成, Guoqiang Zhang; 齊藤志郎; 舘野功太; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第58回応物関係連合講演会, 2011年03月
  275. Wurtzite 結晶構造 InAsP量子ドット/InPナノワイヤのVLS成長の検討, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第58回応物関係連合講演会, 2011年03月
  276. 量子ドットでの最低次励起子・励起子分子における光非線形効果の励起エネルギー依存性, 後藤秀樹; 眞田治樹; 鎌田英彦; 山口浩司; 寒川哲臣, 第58回応物関係連合講演会, 2011年03月
  277. Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのMOVPE成長と評価V, 岡本 浩; 鈴木聡一郎; 舘野功太; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 寒川哲臣, 第58回応物関係連合講演会, 2011年03月
  278. 高次高調波光電子分光によるGaAs表面バンド変化のダイナミクス計測, 小栗克弥; 加藤景子; 西川正; 後藤秀樹; 舘野功太; 寒川哲臣; 中野秀俊, レーザー学会学術講演会第31回年次大会, 2011年01月
  279. 高次高調波パルスによるGaAs表面起電力効果の時間分解計測, 小栗克弥; 加藤景子; 西川正; 後藤秀樹; 舘野功太; 寒川哲臣; 中野秀俊, レーザー学会第407回研究会ー短波長光の発生とその応用, 2010年12月
  280. Zn(Mg,Cd)O混晶の構造並びに光学特性評価, 山本兼司; 坪井貴子; 大橋俊哉; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 中村篤志; 天明二郎, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  281. Biｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用いたIn(Ga)As量子ﾄﾞｯﾄのMOVPE成長と評価IV, 岡本 浩; 俵 毅彦; 舘野功太; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 寒川哲臣, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  282. 単一励起子ー光子強結合状態の励起条件依存性, 俵 毅彦; 鎌田英彦; Stephen Hughes; 岡本 浩; 納富雅也; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  283. 量子ドットにおける最低次励起子・励起子分子の非線形PL特性, 後藤秀樹; 眞田治樹; 鎌田英彦; 山口浩司; 寒川哲臣, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  284. 半導体量子井戸における輸送中スピン歳差運動の表面弾性波による制御, 眞田治樹; 後藤秀樹; 好田 誠; 新田淳作; 小野満恒二; 寒川哲臣, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  285. InAsP量子ドット/InPナノワイヤのヘテロ界面の状態, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  286. VLS法を用いて作製した(311)B及び(001)基板上三角形及び梯形断面形状を持つ横方向GaAsナノワイヤ, 章 国強; 舘野功太; 後藤秀樹; 寒川哲臣, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  287. 59次高調波パルスを用いたポンププローブ型半導体表面光電子分光, 小栗克弥; 加藤景子; 西川 正; 後藤秀樹; 舘野功太; 寒川哲臣; 中野秀俊, 第71回応用物理学術講演会, 2010年09月
  288. Lateral Nanowires with Triangular and Trapezoidal Cross-sections on (311)B and (001) Substrates, G. Zhang; K. Tateno; H. Gotoh; and T. Sogawa, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), 2010年09月
  289. Dynamics of highly-polarized travelling spins measured using magneto-optic Kerr effect, H. Sanada; H. Gotoh; M. Kohda; J. Nitta; K. Onomitsu; H. Yamaguchi; and T. Sogawa, 30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2010), 2010年07月
  290. Role of Background Photons in a Strongly-Coupled Quantum Dot-Nanocavity System, T. Tawara; H. Kamada; S. Hughes; H. Okamoto; M. Notomi; H. Gotoh, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), 2010年05月
  291. Growth and Characterization of <110>-0riented In0.04Ga0.96As Nanowires Laterally Grown on GaAs (311)B Substrate in the Au-catalyzed Vapor-liquid-solid Mode, G. Zhang; K. Tateno; H. Gotoh; and H. Nakano, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), 2010年05月
  292. Spin Initialization by Polarization-resolved Two-color Optical Pumping in Quantum Dots without Static Magnetic Fields, H. Gotoh; H. Sanada; H. Kamada; H. Yamaguchi; and H. Nakano, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), 2010年05月
  293. カーボンナノチューブのコヒーレントフォノンにおける環境効果, 加藤景子; 石澤 淳; 小栗克弥; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  294. 金属型単層カーボンナノチューブのコヒーレントフォノンに及ぼす光励起キャリアの影響, 加藤景子; 石澤 淳; 小栗克弥; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  295. VLSモードによるGaAs(311)B基板上横方向In0.04Ga0.96Asナノワイヤの結晶成長と構造分析, 章 国強; 舘野功太; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  296. Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのMOVPE成長と評価III, 岡本 浩; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 鎌田英彦, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  297. 表面弾性波により変調されたGaAs量子井戸中のキャリアスピンがもたらす磁気光学カー効果, 眞田治樹; 後藤秀樹; 好田 誠; 新田淳作; 小野満恒二; 山口浩司; 寒川哲臣, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  298. InPナノワイヤ中に形成されたInAsP量子ドットの発光特性, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  299. 単一励起子ー光子強結合状態の励起条件依存性, 俵 毅彦; 鎌田英彦; Stephen Hughes; 岡本 浩; 納富雅也; 後藤秀樹, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  300. 量子ドットの荷電励起子を用いた単一電子スピン初期化の解析, 後藤秀樹; 眞田治樹; 鎌田英彦; 山口浩司; 中野秀俊, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  301. GaAs/AlGaAs結合量子井戸における電子スピン間相互作用の解析, 伊藤 哲; 志智 亘; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第57回応物関係連合講演会, 2010年03月
  302. VLS法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤ構造形成と光物性, Guoqiang Zhang; 舘野功太; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第70回応用物理学術講演会, 2009年09月
  303. Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのMOVPE成長と評価II, 岡本 浩; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 寒川哲臣, 第70回応用物理学術講演会, 2009年09月
  304. AlxGa1-xAsバルクにおける電子ｇ因子のPLエネルギー依存性, 志智 亘; 伊藤 哲; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田秀彦; 安藤弘明, 第70回応用物理学術講演会, 2009年09月
  305. GaAs/AlGaAs結合量子井戸における電子間相互作用がスピン歳差運動に与える影響, 伊藤 哲; 志智 亘; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第70回応用物理学術講演会, 2009年09月
  306. 近接２量子ドット間のコヒーレントな励起子交換, 鎌田英彦; 後藤秀樹; Stephen Hughes, 第70回応用物理学術講演会, 2009年09月
  307. ゼロ磁場における量子ドット中の荷電励起子を用いた単一電子スピンの初期化, 後藤秀樹; 眞田治樹; 鎌田英彦; 山口浩司; 中野秀俊, 第70回応用物理学術講演会, 2009年09月
  308. Si基板上ツインフリーGaAsピラー内への量子ドット形成, 舘野功太; Guoqiang Zhang; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第70回応用物理学術講演会, 2009年09月
  309. Photoluminescence study of bare freestanding gallium arsenide nanowires grown by vapor-liquid-solid method, G. Zhang; K. Tateno; H. Sanada; T. Tawara; H. Gotoh; and H. Nakano, 8th Pacific Rim Conference on Lasers and Elecro-Optics (CLEO/Pacific Rim 2009), 2009年08月
  310. Evidence of different doping modes in tapered VLS nanowires by studying axial distribution of carrier concentration in Si-doped InAs nanowires, G. Zhang; K. Tateno; S. Suzuki; H. Gotoh; and H. Nakano, The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), 2009年07月
  311. Excited-state spectroscopy of charged quantum dots in magnetic field, H. Sanada; T. Sogawa; H. Gotoh; Y. Tokura; H. Yamaguchi; H. Nakano and H. Kamada, The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), 2009年07月
  312. L10-FePt / MgO / GaAs-based LED構造を用いた電気的スピン注入におけるMgOバリア層の影響, 宮脇哲也; 好田 誠; 眞田治樹; 後藤秀樹; 三谷誠司; 高梨弘毅; 新田淳作, 第56回応物関係連合講演会, 2009年03月
  313. 磁場下における電荷制御量子ドットのエネルギー構造と発光遷移, 眞田治樹; 寒川哲臣; 後藤秀樹; 都倉康弘; 山口浩司; 中野秀俊; 鎌田英彦, 第56回応物関係連合講演会, 2009年03月
  314. Size-dependent Optical Properties of Freestanding GaAs Nanowires, G. Zhang; K. Tateno; H. Sanada; T. Tawara; H. Gotoh; and H. Nakano, International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT 2009), 2009年02月
  315. Optical Properties of GaAs/AlAs dynamic quantum wires formed by one-dimensional standing waves, T. Sogawa; H. Sanada; H. Gotoh; H. Yamaguchi; S. Miyashita; and P. V. Santos, IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC2008), 2008年10月
  316. 量子ドットにおける荷電励起子の基底・高次準位発光の磁場依存性, 眞田治樹,鎌田英彦,寒川哲臣,後藤秀樹,都倉康弘,山口浩司,中野秀俊, 第69回応用物理学術講演会, 2008年09月
  317. キャリア励起によるカンチレバーの振動制御, 岡本 創; 伊藤大介; 小野満恒二; 眞田治樹; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 山口浩司, 第69回応用物理学術講演会, 2008年09月
  318. GaAs/AlxGa1-xAs量子井戸における電子g因子のPLエネルギー依存性, 志智 亘; 伊藤 哲; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第69回応用物理学術講演会, 2008年09月
  319. 室温におけるCdTeの電子g因子, 伊藤 哲; 志智 亘; 岡見吉隆; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第69回応用物理学術講演会, 2008年09月
  320. Spin Characterization of Excited Trion in GaAs Quantum Dots, H. Sanada; T. Sogawa; H. Gotoh; H. Kamada; H. Yamaguchi; and H. Nakano, Fifth International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS V), 2008年08月
  321. 量子ドットを有するハイブリッド型ピラー微小共振器からの単一光子発生, 山口貴雄; 俵 毅彦; 鎌田英彦; 後藤秀樹; 岡本 浩; 中野秀俊; 三上 修, 第55回応物関係連合講演会, 2008年03月
  322. GaAs/AlxGa1-xAs量子井戸における電子g因子の構造依存性 (I) -実験-, 伊藤 哲; 志智 亘; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第55回応物関係連合講演会, 2008年03月
  323. GaAs/AlxGa1-xAs量子井戸における電子g因子の構造依存性（II）, 志智 亘; 伊藤 哲; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第55回応物関係連合講演会, 2008年03月
  324. 赤色発光Zn0.39Cd0.61OO混晶膜の発光寿命とポテンシャルゆらぎ, 山本兼司; 大橋俊哉; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 中村篤志; 天明二郎, 第55回応物関係連合講演会, 2008年03月
  325. Spin Selective Excitation in Charge Tunable GaAs Quantum Dots, H. Sanada; T. Sogawa; H. Gotoh; H. Kamada; H. Yamaguchi; and H. Nakano, The 34 International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), 2007年10月
  326. 線欠陥型ナノ共振器に埋め込まれた低密度量子ドットの発光特性, 俵 毅彦; 鎌田英彦; 田辺孝純; Nicholas Cade; 倉持栄一; Yong-Hang Zhang; 岡本 浩; 後藤秀樹; 納富雅也; 寒川哲臣, 第68回応用物理学術講演会, 2007年09月
  327. 電荷制御GaAs量子ドットにおける偏光分解フォトルミネッセンス, 眞田治樹; 寒川哲臣; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 山口浩司; 中野秀俊, 第68回応用物理学術講演会, 2007年09月
  328. 表面弾性波による動的制御GaAs量子ドットのPL偏光ダイナミックス, 寒川哲臣; 眞田治樹; 後藤秀樹; 山口浩司; 宮下 宣; Paulo Santos, 第68回応用物理学術講演会, 2007年09月
  329. スピン歳差運動における電子-電子相互作用の影響, 志智 亘; 伊藤 哲; 岡見吉隆; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田秀彦; 安藤弘明, 第68回応用物理学術講演会, 2007年09月
  330. a面サファイア基板上Zn1-xCdxO混晶膜の発光寿命, 山本兼司; 大橋俊哉; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 中村篤志; 天明二郎, 第68回応用物理学術講演会, 2007年09月
  331. Fabrication and Optical Properties of Hybrid-Type Pillar Microcavity, T. Yamaguchi; T. Tawara; H. Gotoh; H. Kamada; H. Okamoto; H. Nakano; O. Mikami, 12th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2007), 2007年07月
  332. Dynamic Polarization Anisotropy of Moving Dots Formed by Surface Acoustic Waves, T. Sogawa; H. Sanada; H. Gotoh; H. Yamaguchi; S. Miyashita; and P. V. Santos, International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures (EP2DS), 2007年07月
  333. Dependence of Electron Spin g-Factor on Magnetic Field in Quantum Wells, T. Ito; W. Shichi; Y. Nishioka; M. Ichida; H. Gotoh; H. Kamada; and H. Ando, DPC 07, 2007年06月
  334. Temperature Insensitive Ultra LowThreshold Lasing in Quantum-Dot Photonic-Crystal Nanocavities, T. Tawara; H. Kamada; Y.-H. Zhang; N. I. Cade; T. Tanabe; H. Gotoh; D. Ding; S. Johnson; E. Kuramochi; M. Notomi; H. Nakano, Conference on Lasers and Electro-optics (CLEO/QELS2007), 2007年05月
  335. InAs量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振特性, 俵 毅彦; 鎌田英彦; Yong-Hang Zhang; Nicholas Cade; 田辺孝純; 後藤秀樹; Ding Ding; Shane Johnson; 倉持栄一; 納富雅也; 中野秀俊, 第54回応物関係連合講演会, 2007年03月
  336. 量子ドットを有するハイブリッド型ピラー微小共振器の発光特性, 山口貴雄; 俵 毅彦; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 岡本 浩; 中野秀俊; 三上 修, 第54回応物関係連合講演会, 2007年03月
  337. 表面弾性波による動的閉じ込め量子構造の光物性制御およびその応用, 寒川哲臣; 後藤秀樹; 平山祥郎; 佐久 規; 宮下 宣; Paulo Santos; Klaus Ploog, 第54回応物関係連合講演会, 2007年03月
  338. GaAs量子ドットにおける負の荷電励起子からの顕微フォトルミネッセンス, 眞田治樹; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 鎌田英彦; 山口浩司; 中野秀俊, 第54回応物関係連合講演会, 2007年03月
  339. 電子スピン歳差運動の磁場極性依存性, 伊藤 哲; 志智 亘; 西岡愛恵; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第54回応物関係連合講演会, 2007年03月
  340. 量子井戸における電子g因子の異方性, 志智 亘; 伊藤 哲; 西岡愛恵; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第54回応物関係連合講演会, 2007年03月
  341. n-MgyZn1-yO/Zn1-xCdxO/p-MgyZn1-yOヘテロLEDの作製と発光スペクトル評価, 中村篤志; 山本兼司; 大橋俊哉; ガンジルサンディップ; 後藤秀樹; 天明二郎, 第54回応物関係連合講演会, 2007年03月
  342. Evidence of Quantum Dot-like Nano-objects in InGaN Quantum Wells Provided by Narrow Photoluminescence Spectra from Localized Excitons, H. Gotoh; T. Akasaka; T. Tawara; Y. Konayashi; T. Makimoto; and H. Nakano, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006), 2006年10月
  343. GaAsおよびInGaAs量子井戸における電子ｇ因子（Ⅱ）―計算―, 志智亘; 伊藤哲; 森定慎介; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第67回応用物理学術講演会, 2006年09月
  344. GaAsおよびInGaAs量子井戸における電子ｇ因子（I）―実験―, 伊藤哲; 志智亘; 森定慎介; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明, 第67回応用物理学術講演会, 2006年09月
  345. Optical Properties of Dynamically-modulated Dots and Wires Formed by Surface Acoustic Waves, T. Sogawa; H. Gotoh; Y. Hirayama; T. Saku; S. Miyashita; P. V. Santos; and K. H. Ploog, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), 2006年09月
  346. Exciton and Biexciton Emissions from Single GaAs Quantum Dots in (Al Ga)As Nanowires, H. Sanada; H. Gotoh; K. Tateno; and H. Nakano, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), 2006年09月
  347. Tunable Slow Light of 1.3 μm Region in Quantum Dots at Room Temperature, H. Gotoh; S. W. Chang; S. L. Chuang; H. Okamoto; and Y. Shibata; H. Sanada, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), 2006年09月
  348. 2段階エッチングによるハイブリッド型微小共振器ピラー構造の作製, 山口貴雄; 俵毅彦; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 中野秀俊; 岡本浩; 三上修, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  349. p型SiC基板を用いたZnCdO/MgZnO EL素子作製」, 中村篤志; 大橋俊哉; 山本兼司; 青木徹; 後藤秀樹; 天明二郎, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  350. Si(111)基板上GaPナノワイヤ及びナノヘテロ構造の成長, 舘野功太; 眞田治樹; 日比野浩樹; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  351. レーザ構造中のInGaN量子井戸構造における局在励起子の発光特性, 後藤秀樹; 赤坂哲也; 俵毅彦; 小林康之; 牧本俊樹; 中野秀俊, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  352. 表面弾性波による動的変調GaAs量子井戸における次元性制御, 寒川哲臣; 後藤秀樹; 平山祥朗; 佐久規; 宮下宣; P. Santos; K. Ploog, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  353. On Demand Single Photon Emission at 1.3 mm from Individual InAs Quantum Dots, Nicholas Cade; Hideki Gotoh; Hidehiko Kamada; Takehiko Tawara; Hiroshi Okamoto; Hidetoshi Nakano, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  354. Dot in Well型InAs量子ドットを用いた1.3 mm帯での室温におけるSlowlightの観測, 後藤秀樹; Shu-Wei Chang; Shun-Lien Chuang; 岡本浩; 柴田泰夫, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  355. 2層量子ドットにおける励起子対の結合制御, 眞田治樹; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 中野秀俊; 安藤弘明; 天明二郎, 第67回応用物理学術講演会, 2006年08月
  356. Dimensionality Control in GaAs Quantum Wells Dynamically-modulated by Surface Acoustic Waves, T. Sogawa; H. Gotoh; Y. Hirayama; T. Saku; S. Miyashita; P. V. Santos; and K. H. Ploog, International Conference of Physics of Semiconductors (ICPS28), 2006年07月
  357. Quantum confinement effects on electron spin g-factor in semiconductor quantum well structures, T. Ito; S. Morisada; M. Ichida; H. Gotoh; H. Kamada; and H. Ando, EXCON 2006, 2006年06月
  358. Dependence of Interference Spectrum between Harmonics from a ZnO Thin Film on the Carrier-envelope Phase of Few-cycle Laser Pulses, A. Ishizawa; H. Gotoh; H. Nakano; A. Nakamura; and J. Temmyo, Conference on Lasers and Electro-optics (CLEO/QELS2006), 2006年05月
  359. Detecting Coupled Excitons by Photoluminescence Excitation in Bi-layer Quantum Dots, H. Gotoh; H. Sanada; H. Kamada; H. Nakano; H. Ando; and J. Temmyo, Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS2006), 2006年05月
  360. FLS量子細線における偏光異方性の磁場依存性, 伊藤哲; 森定慎介; 西岡愛恵; 市田正夫; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 小林直樹; 安藤弘明, 第53回応物関係連合講演会, 2006年03月
  361. Zn1-xCdxOダブルへテロ構造EL発光デバイスの作製, 中村篤志; 石原純二; 後藤秀樹; 青木徹; 天明二郎, 第53回応物関係連合講演会, 2006年03月
  362. Si(111)上に自己配列したAu微粒子から生じるGaPナノワイヤ, 舘野功太; 日比野浩樹; 後藤秀樹; 中野秀俊, 第53回応物関係連合講演会, 2006年03月
  363. VLSナノワイヤ中に埋め込まれたGaAs/AlGaAsヘテロ構造の光学特性評価, 眞田治樹; 後藤秀樹; 舘野功太; 中野秀俊, 第53回応物関係連合講演会, 2006年03月
  364. サファイヤ基板上に成長したInGaN量子井戸構造の局在励起子からの発光観測, 後藤秀樹; 赤坂哲也; 俵毅彦; 小林康之; 牧本俊樹; 中野秀俊, 第53回応物関係連合講演会, 2006年03月
  365. 2層量子ドットにおける双極子間相互作用によって結合した励起子対の検出, 後藤秀樹; 眞田治樹; 鎌田英彦; 中野秀俊; 安藤弘明; 天明二郎, 第53回応物関係連合講演会, 2006年03月
  366. 架橋単層カーボンナノチューブのPL/ラマンスペクトルにおける環境効果, 小林慶裕; N. Cade; 後藤秀樹; 高木大輔; 本間芳和, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  367. リモートプラズマ励起MOCVD法によるZnCdOナノドットからの紫色発光, 山本兼司; 中村篤志; 石原純二; 後藤秀樹; 青木徹; 天明二郎, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  368. MgZnOをバリア層とするZnCdOヘテロ構造の作製, 中村篤志; 山本兼司; 石原純二; 後藤秀樹; 青木徹; 天明二郎, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  369. InGaN共振器における励起子-光子強結合状態の時間分解PL測定, 俵毅彦; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 赤坂哲也; 牧本俊樹; 中野英俊, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  370. VLS機構の逆過程で形成されるナノホール, 舘野功太; 後藤秀樹; 渡辺義夫, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  371. 近接2量子ドット間の励起子hopping交換と分布数の半相関, 鎌田英彦; 後藤秀樹; Stephen Hughes; 天明二郎; 安藤弘明, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  372. ポテンシャル揺らぎの少ないInGaN量子井戸, 赤坂哲也; 後藤秀樹; 中野秀俊; 牧本俊樹, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  373. InGaN量子井戸構造における局在励起子からの発光観測, 後藤秀樹; 赤坂哲也; 俵毅彦; 小林康之; 牧本俊樹; 中野秀俊, 第66回応用物理学術講演会, 2005年09月
  374. Fine-structure and Exciton Complexes in Long-wavelength InAs Quantum Dots, N. I. Cade; H. Gotoh; H. Kamada; T. Tawara; T. Sogawa; H. Nakano; and H. Okamoto, 9th Conference on Optics and Excitons in Confined Systems (OECS-9), 2005年09月
  375. Multi-quantum structures of GaAs/AlGaAs free-standing nanowires, K. Tateno; H. Gotoh; and Y. Watanabe, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM’05), 2005年09月
  376. Modifying Optical Properties of InGaN Quantum Wells by a Large Piezoelectric Polarization, H. Gotoh; T. Tawara; Y. Kabayashi; N. Kobayashi; Y. Yamauchi; T. Makimoto; and T. Saitoh, 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6), 2005年08月
  377. Dispersion Relation of InGaN Cavity Polaritons Measured by Angle-resolved Photoluminescence, T. Tawara; H. Gotoh; H. Kamada; T. Akasaka; T. Makimoto; T. Saitoh; and H. Nakano, Pacific Rim Conference on Lasers and Elecro-Optics (IQEC/CLEO-PR2005), 2005年07月
  378. Enhanced Single QD Spectra from 2D GaAs Photonic Crystal Cavities, T. Ito; T. Tawara; K. Tateno; H. Yamaguchi; M. Ueki; S. Mitsugi; E. Kuramochi; H. Gotoh; and M. Notomi, Pacific Rim Conference on Lasers and Elecro-Optics (IQEC/CLEO-PR2005), 2005年07月
  379. Dephasing of Single InGaAs QD Exciton with Interaction between QDs, T. Kutsuwa; H. Gotoh; H. Kamada; J. Temmyo; and H. Ando, International Quantum Electronics Conference (IQEC/CLEO-PR2005), 2005年07月
  380. Entangling Single-Quantum Dot Excitons through Dipole-Dipole Interactions in a Semiconductor, S. Hughes; H. Gotoh; and H. Kamada, International Quantum Electronics Conference (IQEC/CLEO-PR2005), 2005年07月
  381. Optical Characteristics of Single InAs/InGaAs Quantum Dots Emitting around 1.3 mm, N. I. Cade; H. Okamoto; H. Gotoh; H. Kamada; T. Tawara; T. Sogawa; and H. Nakano, International Quantum Electronics Conference (IQEC/CLEO-PR2005), 2005年07月
  382. Optical Nonlinearity by Exciton-biexciton Coherent Effects in Quantum Dots, H. Gotoh; H. Kamada; T. Saitoh; H. Ando; and J. Temmyo, International Quantum Electronics Conference (IQEC/CLEO-PR2005), 2005年07月
  383. ZnCdO/ZnOヘテロ構造のPL温度特性評価, 中村篤志; 石原純二; 重盛聡; 山本兼司; 後藤秀樹; 青木徹; 天明二郎, 第52回応物関係連合講演会, 2005年04月
  384. 架橋単層カーボンナノチューブの位置指定PL/ラマン測定, 小林慶裕; N. Cade; 後藤秀樹; 高木大輔; 本間芳和, 第52回応物関係連合講演会, 2005年04月
  385. 化合物半導体へテロ構造ナノワイヤの成長と評価, 渡辺義夫; 舘野功太; 後藤秀樹; 村下達, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  386. InGaN共振器ポラリトンの角度分解PL測定, 俵毅彦; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 赤坂哲也; 牧本俊樹; 中野英俊, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  387. GaAs系2次元フォトニック結晶共振器の作製と発光特性, 伊藤哲; 俵毅彦; 舘野功太; 山口浩司; 植木峰雄; 三木聡; 倉持栄一; 後藤秀樹; 納富雅也, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  388. VLS成長とMOVPEによる3次元AlGaAsナノヘテロ構造, 舘野功太; 後藤秀樹; 渡辺義夫, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  389. 量子ドット間での強い双極子相互作用：2光子スイッチングおよび量子ビットエンタングルメント, S. Hughes; 後藤秀樹; 鎌田英彦, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  390. 1.3ミクロンで発光する単一InAs/InGaAs量子ドットにおける電子殻構造, N. Cade; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 俵毅彦; 寒川哲臣; 岡本浩; 中野秀俊, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  391. 単一InGaAs量子ドット励起子発光の位相緩和とドット間相互作用, 久津輪武史; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明; 天明二郎, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  392. 量子ドットにおける励起子・励起子分子コヒーレント効果による光非線形, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 齊藤正; 安藤弘明; 天明二郎, 第52回応物関係連合講演会, 2005年03月
  393. Nanowires and Nanoholes on GaAs (311) B Substarates, K. Tateno; H. Gotoh; and Y. Watanabe, International Conference on Nanoelectronics Nanostrucures and Carrier Interactions (NNCI2005), 2005年02月
  394. Exciton and Biexciton Coherent Optical Properties in Semiconductor Nanostructures, H. Gotoh and H. Kamada, The 1st International Symposium on Nanovision Science, 2005年02月
  395. ZnCdO/ZnOヘテロ構造のRP-MOCVD成長, 石原純二; 中村篤志; 重盛聡; 山本兼司; 後藤秀樹; 青木徹; 天明二郎, 第65回応用物理学術講演会, 2004年09月
  396. InGaN下地層を用いたInGaN多重量子井戸のPL発光寿命, 赤坂哲也; 後藤秀樹; 中野秀俊; 牧本俊樹, 第65回応用物理学術講演会, 2004年09月
  397. InGaN共振器ポラリトンの発光特性, 俵毅彦; 後藤秀樹; 赤坂哲也; 牧本俊樹; 齊藤正, 第65回応用物理学術講演会, 2004年09月
  398. VLSナノワイヤを利用したナノホールの作製, 舘野功太; 後藤秀樹; 渡辺義夫, 第65回応用物理学術講演会, 2004年09月
  399. 単一量子ドット励起子発光の自己電場相関と位相緩和, 久津輪武史; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安東弘明; 天明二郎, 第65回応用物理学術講演会, 2004年09月
  400. 量子ドットにおける励起子吸収に対するコヒーレント効果の偏光依存性, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 齊藤正; 安藤弘明; 天明二郎, 第65回応用物理学術講演会, 2004年09月
  401. Generation of Frequency-tunable THz Waves by using birefringent Crystal and Grating Pair, R. Yano; H. Gotoh; and T. Hattori, 14th International Conference on Ultrafast Phenomena, 2004年07月
  402. Observation of InGaN Cavity Polaritons at Room Temperature, T. Tawara; H. Gotoh; T. Akasaka; N. Kobayashi; and T. Saitoh, International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC2004), 2004年05月
  403. Electromagnetically Induced Transparency-like Exciton Nonlinear Absorption in Quantum Dots, H. Gotoh; H. Kamada; T. Saitoh; H. Ando; and J. Temmyo, International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC2004), 2004年05月
  404. 複屈折結晶を用いた強度変調光パルス発生およびそのTHｚ電磁波発生への応用, 矢野隆治; 後藤秀樹; 服部利明, 第51回応物関係連合講演会, 2004年03月
  405. 窒化物半導体微小共振器における強結合状態の励起子数依存性, 俵毅彦; 後藤秀樹; 赤坂哲也; 牧本俊樹; 齊藤正, 第51回応物関係連合講演会, 2004年03月
  406. 表面弾性波による動的閉じ込めドットの発光スペクトル, 寒川哲臣; 後藤秀樹; 齊藤正; 平山祥郎; 佐久規; P. Santos; K. Ploog, 第51回応物関係連合講演会, 2004年03月
  407. 量子ドットにおける励起子吸収に対する励起子－励起子分子間コヒーレンスの影響, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 齊藤正; 安藤弘明; 天明二郎, 第51回応物関係連合講演会, 2004年03月
  408. Low-threshold lasing of optically pumped InGaN vertical-cavity surface-emitting lasers with dielectric mirrors, T. Tawara; H. Gotoh; T. Akasaka; N. Kobayashi; and T. Saitoh, 5th Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics(CLEO/Pacific Rim 2003), 2003年12月
  409. Large piezoelectric effects on photoluminescence properties in 10 nm-thick InGaN Quantum wells, H. Gotoh; Y. Kobayashi; N. Kobayashi; T. Saitoh; and T. Tawara, 5th Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics(CLEO/Pacific Rim 2003), 2003年12月
  410. 光伝導アンテナにおけるＴＨz電磁波検出効率のアンテナ構造依存性, 矢野隆治; 平山祥郎; 宮下宣; 後藤秀樹; 角屋豊; 山西正道, 第64回応用物理学術講演会, 2003年09月
  411. 1次元InGaN微少共振器構造の光子－励起子弱結合領域における光学特性, 俵毅彦; 後藤秀樹; 赤坂哲也; 小林直樹; 齊藤正, 第64回応用物理学術講演会, 2003年09月
  412. InGaN量子井戸構造のPL発光に対するピエゾ電界効果の井戸幅依存性, 後藤秀樹; 俵毅彦; 小林康之; 山内喜晴; 牧本俊樹; 齊藤正; 小林直樹, 第64回応用物理学術講演会, 2003年09月
  413. Spectral profile of THz electromagnetic waves emitted from photoconductive antenna studied by pump-probe THz wave emission spectroscopy, R. Yano; H. Gotoh; Y. Hirayama; and S. Miyashita, The 28th international conference on infrared and millimeter waves, 2003年09月
  414. Spectral properties and structure dependence of detection efficiency of photoconductive antennas, R. Yano; Y. Hirayama; S. Miyashita; H. Gotoh; Y. Kadoya; K. Kusuda; and M. Yamanishi, The 10th International Workshop on Femtosecond Technology, 2003年07月
  415. Exciton-Biexciton Coherent Coupling Effects on Exciton Absorption in Quantum Dots, H. Gotoh; H. Kamada; T. Saitoh; H. Ando; and J. Temmyo, Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS2003), 2003年06月
  416. 光伝導アンテナにおけるキャリアダイナミクスとTHz電磁波周波数特性, 矢野隆治; 平山祥郎; 宮下宣; 後藤秀樹, 第50回応物関係連合講演会, 2003年03月
  417. III－N系1次元微小共振器によるモード分裂の観測, 俵毅彦; 後藤秀樹; 赤坂哲也; 小林直樹; 齊藤正, 第50回応物関係連合講演会, 2003年03月
  418. 量子ドット励起子量子コンピュータ, 鎌田英彦; 後藤秀樹; 安藤弘明; 高河原俊秀; 天明二郎, 第50回応物関係連合講演会, 2003年03月
  419. 厚い(～10nm)InGaN量子井戸構造のPL発光に対するピエゾ電界効果, 後藤秀樹; 俵毅彦; 小林康之; 小林直樹; 齊藤正, 第50回応物関係連合講演会, 2003年03月
  420. Quantum dot exciton Rabi oscillation and quantum gate operation, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; and T. Takagahara, 8th Int. Symp. on Advanced Physical Fields(APF8), 2003年01月
  421. Quantum gate operation of exciton qubits in semiconductor quantum dots, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; T. Takagahara and J. Temmyo, Photonics West 2003, 2003年01月
  422. Ⅲ-N系2次元フォトニック結晶による微小共振器の作製と評価, 俵毅彦; 後藤秀樹; 熊谷雅美; 赤坂哲也; 小林直樹; 齊藤正, 第63回応用物理学術講演会, 2002年09月
  423. 光伝導アンテナから放射されるTHz電磁波のスペクトル特性およびスクリーニング効果, 矢野隆治; 平山祥郎; 宮下宣; 後藤秀樹, 第63回応用物理学術講演会, 2002年09月
  424. 単一InGaAs量子ドットを用いた単一光子の発生, 鎌田英彦; C. Santori; 山本喜久; 後藤秀樹; 天明二郎; 向井孝彰, 第63回応用物理学術講演会, 2002年09月
  425. 量子ドットにおける励起子-励起子分子結合によるElectro- magnetically Induced Transparency, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 齊藤正; 安藤弘明; 天明二郎, 第63回応用物理学術講演会, 2002年09月
  426. Single Quantum Dots Exciton : Application to Quantum Optics, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; T. Takagahara and J. Temmyo, 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2002), 2002年09月
  427. Quantum Mechanical Time-Evolution of Exciton States in Semiconductor Quantum Dots : Quantum Gate Operation of Exciton Qubits, H. Kamada; H. Ando; T. Takagahara; H. Gotoh; and J. Temmyo, The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2002), 2002年09月
  428. Quantum gate operation of quantum dot exciton, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; and T. Takagahara, International symposium on quantum computing, 2002年07月
  429. Quantum Mechanical Interference in Single Dot Exciton Driven by Number of Photons in Single Photon Regime, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; and T. Takagahara, International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS2002), 2002年07月
  430. Excitation Intensity Dependence of THz Spectrum Emitted from InAs, R. Yano; Y. Hirayama; S. Miyashita; H. Gotoh; Y. Kadoya; K. Kusuda; and M. Yamanishi, The 9th Inernational Workshop on Femtosecond Technology, 2002年06月
  431. Exciton Rabioscillation: Coherently Manipulate Zero-dimensional Quantum States by Light, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; T. Takagahara; and J. Temmyo, Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS2002), 2002年05月
  432. Importance of Biexcitonic Scattering in Exciton Dephasing in Quantum Dots, H. Gotoh; H. Kamada; T. Saitoh; H. Ando; and J. Temmyo, Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS2002), 2002年05月
  433. 単一量子ドット励起子のコヒーレント光制御, 鎌田英彦; 後藤秀樹; 安藤弘明; 高河原俊秀; 天明二郎, 第49回応物関係連合講演会, 2002年03月
  434. InAs表面から発生するTHz電磁波の励起強度依存性, 矢野隆治; 平山祥朗; 宮下宣; 後藤秀樹; 角屋豊; 楠田晃嗣; 山西正道, 第49回応物関係連合講演会, 2002年03月
  435. テンプレートを用いた自己組織化InGaAs量子ディスクの制御, 重盛聡; 天明二郎; 後藤秀樹; 鎌田英彦; 齊藤正, 第49回応物関係連合講演会, 2002年03月
  436. 0次元量子ディスク構造における励起子コヒーレンスに対する励起子間相互作用の影響, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 齊藤正; 安藤弘明; 天明二郎, 第49回応物関係連合講演会, 2002年03月
  437. Coherent optical control of single dot exciton wavefunction, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; and T. Takagahara, The first International Workshop on Quantum Dots for Quantum Computing and Classical Size Effect Circuits (IWQDQC), 2002年01月
  438. Quantum gate operation of quantum dot exciton, H. Kamada; H. Gotoh; H.Ando; T. Takagahara and J. Temmyo, 第５回量子情報技術研究会 (QIT5), 2001年11月
  439. 単一InGaAs量子ドット励起子の光誘起population振動, 鎌田英彦; 安藤弘明; 高河原俊秀; 後藤秀樹; 天明二郎,, 第62回応用物理学術講演会, 2001年09月
  440. 高分解能PLEによるInGaAs量子ディスクの励起子コヒーレンス評価, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 齊藤正; 安藤弘明; 天明二郎, 第62回応用物理学術講演会, 2001年09月
  441. Exciton Rabi oscillation in a single self-organized InGaAs quantum dot, H. Kamada; H. Ando; T. Takagahara; H. Gotoh; and J. Temmyo, 7th International Conference of Optics and Excitons in Confined System (OECS7), 2001年09月
  442. Exciton Rabi Oscillation in Single Quantum Dot: Temporal Measurement of Oscilation and Corresponding Energy Level Splitting, H. Kamada; H. Ando; T.Takagahara; H. Gotoh and J. Temmyo, The Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO Pacific Rim 2001), 2001年07月
  443. 量子ディスク構造における電界誘起偏光異方性の解析, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 天明二郎; 齊藤正; 安藤弘明, 第61回応用物理学術講演会, 2000年09月
  444. Lateral Electric-field Effects on Excitonic Optical Properties of InGaAs Quantum Disks, H. Gotoh; H. Kamada; H. Ando; and J. Temmyo, Fifth Optoelectronics and Communication Conference (OECC 2000), 2000年07月
  445. InGaAs量子ディスクにおける励起子シュタルク効果, 後藤秀樹; 鎌田英彦; 安藤弘明; 天明二郎, 第47回応物関係連合講演会, 2000年03月
  446. 円偏光で光励起したGaAs面発光レーザの擬連続発振特性, 安藤弘明; 寺井飛鳥; 寒川哲臣; 後藤秀樹; 大塚建樹, 第59回応物理学術講演会, 1999年09月
  447. Effect of Electron-Hole Interaction on Electron Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Wells, H. Gotoh; H. Ando; T. Sogawa; H. Kamada; T. Kagawa and H. Iwamura, The Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/Pacific Rim'99), 1999年09月
  448. GaAs/AlGaAs量子井戸における電子スピン緩和に対する正孔の影響, 後藤秀樹; 安藤弘明; 寒川哲臣; 鎌田英彦; 香川俊明; 岩村英俊, 第46回応物関係連合講演会, 1999年03月
  449. Photon-spin controlled lasing oscillation in GaAs VCSELs, H. Ando; T. Sogawa; and H. Gotoh, the 25th International Symposium on Compound Semiconductors, 1998年10月
  450. 電子スピンの操作による面発光レーザ偏光特性の制御, 後藤秀樹; 寒川哲臣; 安藤弘明, 第59回応物理学術講演会, 1998年09月
  451. Spin relaxation of excitons in zero dimensional semiconductors, H. Gotoh; H. Ando; H. Kamada; A. Chavez-Pirson; and J. Temmyo, International Symposium on Quantum Optics and Mesoscopic Physics, 1998年07月
  452. Near-field optical nanoprobing of InGaAs/AlGaAs quantum dots, A. Chavez-Pirson; J. Temmyo; H. Kamada; H. Gotoh; and H. Ando, the 1998 International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS '98), 1998年05月
  453. 量子井戸構造における局在励起子の位相緩和, 後藤秀樹,鎌田英彦,安藤弘明, 第45回応物関係連合講演会, 1998年03月
  454. スピンを制御した面発光レーザの発振特性, 安藤弘明,寒川哲臣,後藤秀樹,, 第45回応物関係連合講演会, 1998年03月
  455. Spin selective excitation of exciton and biexciton in zero dimensional InGaAs quantum disks, H. Kamada; H. Gotoh; H. Ando; and J. Temmyo, The 3rd Symposium on the physics and application of spin-related phenomena in semiconductors, 1997年11月
  456. 0次元InGaAs量子ディスクにおける長いスピン緩和時間, 後藤秀樹,鎌田英彦,A. Chavez-Pirson; 安藤弘明,天明二郎, 第58回応用物理学術講演会, 1997年09月
  457. Extreamly long spin relaxation time in zero-dimensional InGaAs quantum disks, H. Gotoh; H. Kamada; A. Chavez-Pirson; H Ando; and J. Temmyo, Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS '97), 1997年05月
  458. InGaAs量子ディスクにおける発光再結合寿命時間の温度依存性, 後藤秀樹; A. Chavez-Pirson; 鎌田英彦; 安藤弘明; 天明二郎, 第44回応物関係連合講演会, 1997年03月
  459. Damage induced by a low-biased 92-MHz anode-coupled reactive ion etcher using chlorine-nitrogen mixed plasmas, T. Saitoh; H. Gotoh; T. Sogawa and H. Kanbe, Material Research Society (MRS) 1996 Fall Meeting, 1996年12月
  460. Effects of dimensionality on radiative recombination lifetime of excitons in thin quantum boxes of intermediate regime between zero and two dimensions, H. Gotoh; H. Ando; and T. Takagahara, 1996 International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS '96), 1996年11月
  461. 塩素/窒素混合プラズマを用いた92MHz陽極結合RIEによるGaAsの低損傷エッチング, 齊藤正; 後藤秀樹; 寒川哲臣; 神戸宏, 第57回応用物理学会学術講演会, 1996年09月
  462. 薄い量子箱における励起子電界効果, 後藤秀樹; 安藤弘明; 齊藤正, 第57回応用物理学術講演会, 1996年09月
  463. Optical nonlinearities in GaAs fractional-layer-superlattice quantum wires, A. Chavez-Pirson; H. Ando; H. Gotoh; H. Saito; N. Kobayashi; and H. Kanbe, Quantum Electronics and Laser Science Conference (QELS '96), 1996年06月
  464. 薄い量子箱構造における励起子発光寿命に対する局在化の影響, 後藤秀樹; 安藤弘明; 高河原俊秀; 斎藤正; 神戸宏, 第43回応物関係連合講演会, 1996年03月
  465. 分数層超格子細線における励起子光学特性の理論解析, 安藤弘明; 後藤秀樹; A. Chavez-Pirson, 第43回応物関係連合講演会, 1996年03月
  466. 薄い量子箱構造における励起子光学特性の理論解析, 後藤秀樹; 安藤弘明; 斎藤正; 神戸宏, 第56回応用物理学術講演会, 1995年08月
  467. GaAs/AlAs分数層超格子細線における１次元励起子の光学特性, 安藤弘明; 斎藤久夫; A. Chavez-Pirson; 後藤秀樹; 小林直樹; 神戸宏, 第56回応用物理学術講演会, 1995年08月
  468. Enhancement of the excitonic effects in semiconductor thin quantum boxes with large lateral size, H. Gotoh; H. Ando; and H. Kanbe, 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 1995年08月
  469. Excitonic optical properties in fractional-layer-superlattice wire structure: dimensional tunability from 2D to 1D, H. Ando; H. Saito; A. Chavez-Pirson; H. Gotoh; N. Kobayashi; and H. Kanbe, Conf. on Lasers and Electro-Optics/Pacific Rim '95, 1995年07月
  470. GaAs量子細線における偏光依存光非線形効果, 後藤秀樹; 安藤弘明; 神戸宏, 第42回応物関係連合講演会, 1995年03月
  471. GaAs量子細線における励起子光非線形効果, 安藤弘明; 後藤秀樹; 神戸宏, 学振１５１委員会 原子オーダープロセッシング分科会研究会, 1995年01月
  472. GaAs量子細線における光極子モーメントとその対称性, 後藤秀樹; 安藤弘明; 神戸宏, 第55回応用物理学術講演会, 1994年09月
  473. 量子細線における励起子光非線形効果の理論解析, 安藤弘明; 後藤秀樹; 神戸宏, 第55回応用物理学術講演会, 1994年09月

受賞

  1. 2019年, 業績賞（論文賞）, レーザー学会
  2. 2014年03月, 論文賞, NTT物性科学基礎研究所
  3. 2014年, Poster Award, JSAP
  4. 2012年12月, 研究開発賞, NTT先端技術総合研究所
  5. 2012年03月, 業績賞, NTT物性科学基礎研究所
  6. 2010年, SSDM Paper Award, International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  7. 2007年, SSDM Paper Award, International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  8. 1999年03月, 業績賞, NTT基礎研究所

取得

  1. 特許第7007668号, 2022年01月12日, 光ファイバリンクおよび中継ノード
  2. 特許第6792841号, 2020年11月11日, スピン軌道相互作用の増大方法
  3. 特許第6712074号, 2020年06月02日, 光伝送装置
  4. 特許第6667827号, 2020年02月28日, スピン軌道相互作用の制御方法
  5. 特許第6280070号, 2018年01月26日, 歪みセンサーおよび歪み検出方法
  6. 特許第6271401号, 2018年01月12日, 量子ドットナノワイヤの製造方法
  7. 特許第6243322号, 2017年11月17日, 機械振動子測定装置および機械振動子制御装置
  8. 特許第6238360号, 2017年11月10日, ナノ構造の製造方法
  9. 特許第6222737号, 2017年10月13日, 電子スピン制御方法
  10. 特許第6054834号, 2016年12月09日, ナノワイヤの作製方法
  11. 特許第5952206号, 2016年06月17日, 電子スピン操作装置
  12. 特許第5920927号, 2016年04月22日, スピン装置およびその製造方法
  13. 特許第5626847号, 2014年10月10日, ナノ構造体およびその製造方法
  14. 特許第5554627号, 2014年06月06日, 半導体電子スピン操作方法および装置
  15. 特許第4909816号, 2012年01月20日, 電子スピン共鳴測定装置および電子スピン共鳴測定方法
  16. 特許第4448324号, 2010年01月29日, 半導体光デバイス
  17. 特許第3522525号, 2004年02月20日, 光スイッチ
  18. 特許第3364655号, 2002年11月01日, 半導体光素子
  19. 特許第3340899号, 2002年08月16日, 半導体微細構造の製造方法
  20. 特許第3306817号, 2002年05月17日, 電界効果光変調素子

外部資金

競争的資金等の採択状況

  1. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 永久スピンらせん状態を用いた電子スピンのマクロコヒーレンス実現, 2020年04月01日, 2023年03月31日
  2. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), Development of rare-earth oxide based optical amplifiers and lasers integrated on Si by using magnetic light-matter interactions, 2019年04月01日, 2022年03月31日
  3. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 希土類酸化膜光導波路によるオンチップ光子-電子コヒーレント結合, 2019年04月01日, 2022年03月31日
  4. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 固体ナノ構造における波長マネジメントを用いたオンデマンドもつれ光子源の研究, 2016年04月01日, 2019年03月31日
    関連URL
  5. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ, 2016年04月01日, 2019年03月31日
    関連URL
  6. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 酸化エルビウム結晶におけるポピュレーション操作と量子メモリへの応用, 2012年04月01日, 2015年03月31日
    関連URL
  7. 科学研究費助成事業 若手研究(A), ダイナミック量子ドットを用いたスピン量子情報伝送, 2012年04月01日, 2015年03月31日
    関連URL
  8. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 半導体マクロアトムにおける弾性フォノン波を用いた量子相関フォトニクス, 2011年04月01日, 2014年03月31日
    関連URL
  9. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究, 2010年, 2012年
    関連URL
  10. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 表面弾性波により形成した動的制御量子ナノ構造における光学特性解明およびスピン操作, 2007年, 2009年
    関連URL
  11. 科学研究費助成事業 基盤研究(A), 六方晶BN窒化物半導体に関する研究, 2006年, 2009年
    関連URL
  12. 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 半導体マクロアトムにおける光学的スピン操作と結合スピン状態の解明, 2006年, 2007年