花房 宏明HIROAKI HANAFUSA

Last Updated :2023/01/05

所属・職名
大学院先進理工系科学研究科　准教授
ホームページ
http://www.semicon.hiroshima-u.ac.jp/
メールアドレス
hanafushiroshima-u.ac.jp
自己紹介
半導体結晶の最表面欠陥や半導体プロセス・プラズマの融合研究を推進しています。

基本情報

主な職歴

  • 2011年04月01日, 2012年02月29日, 東京農工大学, 工学部・工学府, 特任助教
  • 2012年03月01日, 2020年03月31日, 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 助教

学歴

  • 東京農工大学, 工学研究科, 日本, 2008年04月, 2011年06月

学位

  • 博士（工学）　(東京農工大学)
  • 修士（工学）　(東京農工大学)

教育担当

  • 【学士課程】 工学部 : 第二類（電気電子・システム情報系） : 電子システムプログラム
  • 【博士課程前期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム
  • 【博士課程後期】 先進理工系科学研究科 : 先進理工系科学専攻 : 量子物質科学プログラム

担当主専攻プログラム

  • 電子システムプログラム

研究分野

  • 総合理工 / 応用物理学 / 薄膜・表面界面物性

研究キーワード

  • 半導体

所属学会

  • 応用物理学会

教育活動

授業担当

  1. 2022年, 学部専門, １ターム, 電気磁気学演習I
  2. 2022年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（前期）, 電子工学セミナーA
  3. 2022年, 修士課程・博士課程前期, セメスター（後期）, 電子工学セミナーB
  4. 2022年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 電子工学プレゼンテーション演習
  5. 2022年, 修士課程・博士課程前期, １ターム, 電子工学特別演習A
  6. 2022年, 修士課程・博士課程前期, ２ターム, 電子工学特別演習A
  7. 2022年, 修士課程・博士課程前期, ３ターム, 電子工学特別演習B
  8. 2022年, 修士課程・博士課程前期, ４ターム, 電子工学特別演習B
  9. 2022年, 修士課程・博士課程前期, 年度, 量子物質科学特別研究
  10. 2022年, 博士課程・博士課程後期, 年度, 量子物質科学特別研究

研究活動

学術論文（★は代表的な論文）

  1. Strain Distribution Analysis of Sputter-Formed Strained Si by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 4巻, 2号, 2011
  2. Growth of high-crystallinity silicon films by a combination of intermittent pulse heating and plasma-enhanced chemical vapor deposition, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 61巻, SI号, 20220701
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  3. Crystalline Ge Layer Growth on Si(001) by Sputter Epitaxy Method, Book of 1st Int. Workshop on Si based Nano-electronics and –photonics eds by S. Chiussi, P. Alpuim, J. Murota, P. González, J. Serra, and B. León, pp. 137-138, 20090901
  4. Ge Flat Layer Growth on Heavily Phosphorus-Doped Si(001) by Sputter Epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, 51巻, pp. 055502, 20120427
  5. SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Procedia Engineering, 36巻, pp. 396-403, 20120401
  6. Direct observation of grain growth from molten silicon formed by micro-thermal-plasma-jet irradiation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 101巻, 17号, 20121022
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  7. Strain Distribution Analysis of Sputter-Formed Strained Si by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy, Applied physics express, 4巻, 2号, pp. 25701-025701-3, 20110113
  8. High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 6号, 20150527
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  9. Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by EBSD Pattern Analysis, Mat. Sci. Forum, 821巻, pp. 391-394, 20150630
  10. Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100), ECS Trans, 64(6)巻, pp. 423-429, 20141012
  11. Properties of Al Ohmic contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer, Mater. Sci. Forum, 778-780巻, pp. 649-652, 20140226
  12. Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers, Applied physics express, 4巻, 2号, pp. 24102-024102-3, 20110127
  13. Strain-Relaxed Si1-xGex and Strained Si Grown by Sputter Epitaxy, Jpn J Appl Phys, 47巻, 4号, pp. 3020-3023, 20080425
  14. Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 6号, 20170516
    DOIを用いた論文検索結果へのリンク
  15. High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 4号, 201705
  16. Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect, Japanese Journal of Applied Physics, 57巻, pp. 06JH01-1-06JH01-40, 20180509
  17. Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 6号, 2018
  18. Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 7巻, 1号, pp. 943-948, 2019
  19. Development of high-yield layer transfer process of single-crystalline silicon thin films on plastic substrate and its application to multi-functional device integration, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 59巻, 2020
  20. In situ monitoring to visualize temperature distribution in molten silicon region formed under atmospheric pressure thermal plasma jet irradiation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 13巻, 1号, 2020
  21. Band-energy estimation on silicon cap annealed 4H-SiC surface using hard X-ray photoelectron spectroscopy, SURFACE SCIENCE, 696巻, 2020
  22. Precise measurement of the temperature of a silicon wafer by an optical-interference contactless thermometer during rapid plasma processing, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 127巻, 20号, 2020
  23. Large area annealing by magnetic field scanning of atmospheric pressure thermal plasma beam, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 59巻, 2020
  24. Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 4巻, 2号, 2011

招待講演、口頭・ポスター発表等

  1. Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis, H. Hanafusa, K. Maruyama, S. Hayashi, S. Higashi, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2014), 2014年09月21日, 通常, 英語, Grenoble, France
  2. EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC 層の結晶性評価, 花房宏明、丸山佳祐、林将平、東清一郎, 第75回 応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月17日, 通常, 日本語, 北海道大学　札幌キャンパス
  3. 電子線後方散乱法を用いたリン注入4H-SiCの結晶性評価, 花房宏明、丸山圭祐、林将平、東清一郎, 平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会　第1回講演会・見学会, 2015年01月24日, 通常, 日本語, 広島大学　東広島キャンパス
  4. 2015年10月, 通常, 英語
  5. 2015年10月04日, 通常, 英語
  6. ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と連続結晶成長, 中島 涼介、花房 宏明、東 清一郎, 第63回応用物理学会学術講演会, 2016年03月19日, 通常, 日本語
  7. 大気圧熱プラズマジェット照射を用いたSiC中P不純物高効率活性化層の結晶性評価, 花房　宏明、東　清一郎, 先進パワー半導体分科会 第２回講演会, 2015年11月09日, 通常, 日本語
  8. 大気圧熱プラズマジェット照射による高温イオン注入した4H-SiC中Pイオンの高効率活性化, 花房 宏明、石丸 凌輔、東 清一郎, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月15日, 通常, 日本語, 名古屋国際会議場
  9. 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化, 石丸 凌輔、花房 宏明、東 清一郎, 第76回応用物理学会学術講演会, 2015年09月13日, 通常, 日本語
  10. 2017年03月02日, 通常, 英語
  11. 2017年03月02日, 通常, 英語
  12. 2017年03月02日, 通常, 英語
  13. 2017年01月16日, 通常, 英語
  14. 2016年11月21日, 通常, 英語
  15. 2016年09月26日, 通常, 英語
  16. 2016年09月25日, 通常, 英語
  17. 大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製, 原田 大夢, 東 清一郎、花房 宏明、新 良太, 第64回応用物理学会学術講演会, 2017年03月14日, 通常, 日本語
  18. ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの加熱特性評価とシリコン薄膜の結晶成長制御, 中島 涼介, 花房 宏明、東 清一郎, 第64回応用物理学会学術講演会, 2017年03月14日, 通常, 日本語
  19. シリコンキャップアニールによるn型4H-SiCのオーミック電極形成, 谷口 太一, 花房　宏明、東　清一郎, 第64回応用物理学会学術講演会, 2017年03月14日, 通常, 日本語
  20. ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの生成とアモルファスシリコン結晶化への応用, 中島　涼介, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, シリコンテクノロジー分科会　第199回研究集会, 2017年02月17日, 招待, 日本語
  21. 大気圧熱プラズマジェットの磁場制御とSiCデバイス作製プロセスに向けた大面積熱処理への応用, 寺本憲司, 花房宏明、東清一郎, 先進パワー半導体分科会　第3回講演会, 2016年11月08日, 通常, 日本語
  22. Si層挿入によるn型4H-SiCにおけるオーミックコンタクト形成要因の調査, 谷口 太一, 花房 宏明、東 清一郎, 先進パワー半導体分科会　第3回講演会, 2016年11月08日, 通常, 日本語
  23. 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiC の熱酸化, 花房 宏明, 東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第13回研究集会, 2016年10月21日, 通常, 日本語
  24. ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と結晶成長制御, 中島 涼介, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第13回研究集会, 2016年10月21日, 通常, 日本語
  25. 中空構造 SOI 層を用いたフレキシブル基板への転写技術におけるパターン微小化, 竹島 真治, 水上 隆達、山下 知徳、花房 宏明、東 清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第13回研究集会, 2016年10月21日, 通常, 日本語
  26. フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化”, 稗田 竜己, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 通常, 日本語
  27. ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化, 中島 涼介, 新 良太、花房 宏明、東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 通常, 日本語
  28. 交番磁場印加による大気圧熱プラズマジェットの走査と半導体基板の加熱, 寺本 憲司, 花房 宏明、東 清一郎, 第77回応用物理学会学術講演会, 2016年09月13日, 通常, 日本語
  29. 外部磁場印加による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御と半導体基板の加熱, 寺本　憲司, 花房　宏明、東　清一郎, 2016年度　応用物理・物理系学会中国四国支部　合同学術講演会, 2016年07月31日, 通常, 日本語
  30. 外部磁場による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御, 寺本　憲司, 花房　宏明、東　清一郎, 第35回電子材料シンポジウム, 2016年07月06日, 通常, 日本語
  31. 窒素ブーストによる大気圧熱プラズマジェットの超ハイパワー化, 花房 宏明, 中島 涼介、東 清一郎, 第78回応用物理学会学術講演会, 2017年09月05日, 通常, 日本語
  32. 窒素ブーストにより超ハイパワー化した大気圧熱プラズマジェットの加熱特性, 花房　宏明, 中野　航、中島　涼介、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第14回研究集会, 2017年10月20日, 通常, 日本語
  33. シリコンキャップアニール処理したn型4H-SiC表面の電子状態評価, 花房　宏明, 東堂　大地、東　清一郎, 電子デバイス界面テクノロジー研究会　第23回研究会　材料・プロセス・デバイス特性の物理, 2018年01月19日, 通常, 日本語
  34. 大気圧熱プラズマジェット照射によるGaN中のMgの活性化, 花房 宏明、東 清一郎、塩崎 宏司, 第65回応用物理学会学術講演会, 2018年03月17日, 通常, 日本語
  35. Silicidation-Less Ohmic Contact Formation on N-Type 4H-SiC with Silicon Cap Annealing, H. Hanafusa, T. Taniguchi and S. Higashi, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), 2017年09月17日, 通常, 英語
  36. Extremely High-power-density Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Generated by Nitrogen-boost Effect, H. Hanafusa, W. Nakano, R. Nakashima and S. Higashi, Int. Symp. Dry Process (DPS2017), 2017年11月16日, 通常, 英語
  37. Activation of High-temperature-implanted Phosphorus Atoms in 4H-SiC by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing, H. Hanafusa, S. Higashi, 2018 18th Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2018), 2018年03月08日, 招待, 英語
  38. シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する調査, 東堂 大地、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月20日, 通常, 日本語
  39. ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS論理回路のバッテリーレス動作, 長澤 聡、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月24日, 通常, 日本語
  40. シリコン熱光学係数の精密測定による非接触温度測定の高精度化, 亀田 朝輝、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月21日, 通常, 日本語
  41. 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール, 河崎 星輝、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月20日, 通常, 日本語
  42. 大気圧熱プラズマジェット照射による溶融シリコン内温度分布の可視化, 水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月20日, 通常, 日本語
  43. 花房 宏明、東 清一郎、塩崎 宏司, 大気圧熱プラズマジェット照射によるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化, 第79回応用物理学会学術講演会, 2018年09月19日, 通常, 日本語
  44. ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS 論理回路のバッテリーレス動作, 長澤　聡、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第15回研究集会, 2019年11月09日, 通常, 日本語
  45. “窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットの電極消耗量の低減, 瀬川　和輝、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第15回研究集会, 2019年11月09日, 通常, 日本語
  46. 大気圧熱プラズマジェット照射中における溶融シリコン内温度分布の２次元的可視化, 水川　友里、花房　宏明、東　清一郎, 薄膜材料デバイス研究会　第15回研究集会, 2019年11月09日, 通常, 日本語
  47. 熱電対を用いた裏面温度測定によるシリコンウェハ非接触温度測定の絶対温度の検証, 亀田 朝輝、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月12日, 通常, 日本語
  48. 中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術における転写時間の短縮化, 河北 竜治、平野 友貴、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月09日, 通常, 日本語, 東京工業大学　大岡山キャンパス
  49. 単結晶シリコン薄膜のフレキシブル基板上への繰り返し転写プロセスの構築, 平野 友貴、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  50. プラスチック上のフローティングゲートメモリ作製のための低温プロセス技術に関する研究, 近藤 史康、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月09日, 通常, 日本語
  51. ペロブスカイト太陽電池と単結晶シリコンCMOS論理回路のガラス基板上における集積化, 長澤 聡、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  52. 菊池線パターン解析によるSi結晶内の欠陥量評価法の開発, 花房 宏明、沖 昴志、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  53. 大気圧熱プラズマジェット照射中の溶融シリコン内温度分布解析, 水川 友里、花房 宏明、東 清一郎, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月10日, 通常, 日本語
  54. 大気圧熱プラズマジェット照射後のポストアニールによるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化促進, 花房 宏明、東 清一郎、塩崎 宏司, 第66回応用物理学会学術講演会, 2019年03月11日, 通常, 日本語
  55. 2018年09月05日, 通常, 英語
  56. 2018年09月03日, 通常, 英語
  57. 2018年09月10日, 通常, 英語
  58. 2018年09月30日, 招待, 英語
  59. 2018年11月12日, 通常, 英語
  60. 2018年11月14日, 通常, 英語
  61. 2019年03月01日, 通常, 英語
  62. 2019年03月08日, 通常, 英語

社会活動

委員会等委員歴

  1. 第５回薄膜太陽電池セミナー実行委員, 2014年, 2014年
  2. 第６回薄膜太陽電池セミナー実行委員, 2015年, 2015年
  3. 応用物理学会中国四国支部会計幹事, 2015年04月, 2017年03月, 応用物理学会中国四国支部
  4. 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 実行委員, 2019年01月13日, 2019年06月30日, 日本結晶成長学会　ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
  5. 第41回ドライプロセス国際シンポジウム　実行委員, 2019年01月11日, 2019年12月31日, 第41回ドライプロセス国際シンポジウム組織委員会